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1. 发明申请

WO2011069791A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2011069791A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：PCT/EP2010/067707
申请日：2010-11-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KRÄUTER, Gertrud , BARCHMANN, Bernd , BERGENEK, Krister , RAMCHEN, Johann , ZITZLSPERGER, Michael
发明人： KRÄUTER, Gertrud , BARCHMANN, Bernd , BERGENEK, Krister , RAMCHEN, Johann , ZITZLSPERGER, Michael
IPC分类号： H01L33/56
CPC分类号： H01L33/56 , H01L31/035281 , H01L33/505
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) angegeben, aufweisend: zumindest einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip (3) mit einer Strahlungsauskoppelfläche (6), durch die zumindest ein Teil der im Halbleiterchip (3) erzeugten elektromagnetischen Strahlung den Halbleiterchip (3) verlässt; zumindest ein Konverterelement (4), das dem Halbleiterchip (3) an seiner Strahlungsauskoppelfläche (6) zur Konversion von vom Halbleiterchip (3) emittierter elektromagnetischer Strahlung nachgeordnet ist und eine der Strahlungsauskoppelfläche (6) abgewandete erste Oberfläche (7) aufweist; eine reflektierende Umhüllung (5), wobei die reflektierende Umhüllung (5) den Halbleiterchip (3) und zumindest stellenweise das Konverterelement an Seitenflächen (33, 44) formschlüssig umhüllt, und die erste Oberfläche (7) des Konverterelements (4) frei von der reflektierenden Umhüllung (5) ist.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件（100），包括：至少一个发射辐射的半导体芯片（3），其具有辐射输出（6），通过它至少在半导体芯片所产生的部分（3）电磁辐射离开该半导体芯片（3）; 包括至少一个转换元件（4），它是将半导体芯片（3）在它的辐射输出的（6）下游发射到的从半导体芯片的转化（3）电磁辐射和辐射（6）abgewandete第一表面（7）; 一个反射罩（5），其中，所述反射罩（5）的半导体芯片（3）和至少局部转换器在侧面元件（33，44）接合正包裹和转换器元件（4）的第一表面（7）没有反射的是包络线（5）。

2. 发明申请

WO2016188867A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：用于生产光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2016188867A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/EP2016/061317
申请日：2016-05-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , BIEBERSDORF, Andreas , BECKER, Dirk , BARCHMANN, Bernd , HOXHOLD, Björn , SCHLOSSER, Philipp , WALDSCHIK, Andreas
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L33/005 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2933/0075 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägers (2), wobei der Träger (2) ein metallisches Kernmaterial (24) aufweist und zumindest an einer Trägeroberseite (22) auf das Kernmaterial (24) eine Metallschicht (25) und darauffolgend ein dielektrischer Spiegel (26) aufgebracht sind, B) Ausbilden von mindestens zwei Löchern (3) durch den Träger (2) hindurch, C) Erzeugen einer Keramikschicht (4) mit einer Dicke von höchstens 100 μm zumindest an einer Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), wobei die Keramikschicht (4) als Komponente das Kernmaterial (24) umfasst, D) Aufbringen von metallischen Kontaktschichten (91, 92) auf zumindest Teilbereiche der Keramikschicht (4) an der Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), sodass durch die Löcher (3) die Trägeroberseite (22) elektrisch mit der Trägerunterseite (21) verbunden wird, und E) Aufbringen zumindest eines Strahlung emittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägeroberseite (22) und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips (5) mit den Kontaktschichten (91, 92).
摘要翻译：在至少一个实施方案中，用于生产光电半导体部件（1）的方法被布置并包括以下步骤：至少（以载波顶部22 A）提供一个支撑件（2），其特征在于，所述载体（2），金属芯材（24）和）形成在所述芯材（24）的金属层（25）和随后的介电反射镜（26）被施加，B）形成（至少两个孔（3）通过形成陶瓷层的载体（2）穿过其中，C）4）的至少一个支撑底座（21）和在孔100微米的最大厚度（3），其中，在至少部分所述陶瓷层（4）包括作为部件，所述芯材（24），D）将金属接触层（91，92）在孔上的支撑底座（21）的陶瓷层（4）和（3），以便通过孔（3）载体上侧（22）电连接至所述支撑基部（21）连接，以及e）施加至少一个发射辐射的半导体芯片（5）在载体上顶端（22）和半导体芯片（5）与所述接触层（91，92）电连接。

3. 发明申请

WO2012020062A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2012020062A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/EP2011/063788
申请日：2011-08-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , KRÄUTER, Gertrud
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , KRÄUTER, Gertrud
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/52 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/44 , H01L23/29 , H01L24/24 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2924/12041 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das eine Schutzschicht (80) umfasst, die ein Material aufweist, das hydrophobe Gruppen enthält. Weiterhin wird ein Verfahren angegeben, mit dem ein optoelektronisches Bauelement hergestellt werden kann, und bei dem eine Schutzschicht (80), die hydrophobe Gruppen aufweist, aufgebracht wird.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括包含含疏水性基团的材料的保护层（80）。此外，提供了一种方法，通过该光电子器件可以制造，并且其中具有疏水基团的保护层（80），被施加。

4. 发明申请

WO2011032853A1 OPTOELEKTRONISCHES MODUL 审中-公开
标题翻译：光电模块
公开(公告)号：WO2011032853A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/EP2010/063035
申请日：2010-09-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEGLEITER, Walter , KALTENBACHER, Axel , BARCHMANN, Bernd , WEIDNER, Karl , REBHAN, Matthias
发明人： WEGLEITER, Walter , KALTENBACHER, Axel , BARCHMANN, Bernd , WEIDNER, Karl , REBHAN, Matthias
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/24
摘要： Es wird ein optoelektronisches Modul (100) angegeben, umfassend einen Träger (1) mit zumindest einer Kontaktstelle (1A); einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), wobei der Strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) eine erste Kontaktfläche (2A) und eine zweite Kontaktfläche (2B) aufweist; eine elektrisch isolierende Schicht (4), die eine erste (4A) und eine zweite Aussparung (4B) aufweist; zumindest eine elektrisch leitfähige Leitstruktur (8), wobei die erste Kontaktfläche (2A) auf der von dem Träger (1) abgewandten Seite des Strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) angeordnet ist, die elektrisch isolierende Schicht (4) zumindest stellenweise auf den Träger (1) und dem Halbleiterchip (2) aufgebracht ist und die erste Aussparung (4A) im Bereich der ersten Kontaktfläche (2A) und die zweite Aussparung (4B) im Bereich der Kontaktstelle (1A) aufweist, die elektrisch leitfähige Leitstruktur (8) auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) angeordnet ist und die erste Kontaktfläche (2A) mit der Kontaktstelle (1A) des Trägers (1) elektrisch kontaktiert, und die elektrisch isolierende Schicht (4) überwiegend mit einem keramischen Material gebildet ist.
摘要翻译：本发明提供一种光电模块（100）包括一个支架（1）与至少一个接触点（1A）; 发射辐射的半导体芯片（2），其特征在于，发射辐射的半导体芯片（2），其具有第一接触表面（2A）和第二接触面（2B）; 的电绝缘层（4），具有第一（4A）和第二凹部（4B）; 至少一个导电引线结构（8），其中，在所述（1）从发射辐射的半导体芯片（2）的面向远离侧被布置在所述载体的第一接触面（2A），该电绝缘层至少局部地以所述支撑件（4）（1）和（2）被施加在半导体芯片与在第一接触面的区域中的第一凹部（4A）（2A）和在接触点的（1A）的区域中的第二凹部（4B），其导电引线结构（8）上的电绝缘层（4）和所述第一接触表面（2A）的支架（1）的接触点（图1A）被电接触，所述电绝缘层（4）主要与陶瓷材料形成。

5. 发明申请

WO2016087374A1 HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN HALBLEITERCHIPS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN ODER OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND ELEKTRONISCHES ODER OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：半导体芯片，用于生产半导体芯片和方法，各种用于制造电子或光电元件和电子或光电组件
公开(公告)号：WO2016087374A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/EP2015/078064
申请日：2015-11-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BARCHMANN, Bernd , EIGENMANN, Fabian , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/78
CPC分类号： H01L33/0054 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L31/022441 , H01L33/0091 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/03002 , H01L2224/05669 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/83469 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/94 , H01L2924/15156 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2224/03
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Halbleiterchips (13) mit den folgenden Schritten angegeben: -Bereitstellen eines Wafers (1) mit einer Vielzahl an Halbleiterkörpern (2), wobei zwischen den Halbleiterkörpern (2) Trennlinien (9) angeordnet sind, -Abscheiden einer Kontaktschicht (10) auf dem Wafer (1), wobei das Material der Kontaktschicht (10) aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Platin, Rhodium, Palladium, Gold, und die Kontaktschicht (10) eine Dicke zwischen einschließlich 8 Nanometer und einschließlich 250 Nanometer aufweist, -Aufbringen des Wafers (1) auf eine Folie (11), -zumindest teilweises Durchtrennen des Wafers(1) in vertikaler Richtung entlang der Trennlinien (9) oder Einbringen von Bruchkeimen (12) in den Wafer (1) entlang der Trennlinien (9), und -Brechen des Wafers (1) entlang der Trennlinien (9) oder Expandieren der Folie (11),so dass eine räumliche Trennung der Halbleiterchips (13) erfolgt, wobei auch die Kontaktschicht (10) getrennt wird. Weiterhin werden ein Halbleiterchip, ein Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben.
摘要翻译：提供了一种制造包括以下步骤的多个半导体芯片（13）的方法，包括： - 提供一个晶片（1），具有多个半导体本体（2），其中，所述半导体本体（2）之间的分割线（9）被布置， - 晶片（1），其特征在于，选自以下组的接触层（10）的材料上沉积接触层（10）：铂，铑，钯，金，和接触层（10）的厚度为8nm，并且包括之间具有250个纳米，晶片（1）的片材（11）的-Aufbringen，晶片的 - 至少部分切割（1）在沿着所述分割线（9）或断裂的核（12）的结合到晶片中的垂直方向（1）沿进行的分离线（9），或破坏晶片（1）沿着所述分割线（9）或所述膜（11）的膨胀开，从而使半导体芯片（13），其中所述接触层（10）是断开的空间分离。此外，半导体芯片，装置和方法，给出了它的生产。

6. 发明申请

WO2012013514A1 ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：电子元件和方法生产电子部件
公开(公告)号：WO2012013514A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/EP2011/062082
申请日：2011-07-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BARCHMANN, Bernd , KRÄUTER, Gertrud , MÜLLER, Klaus , STREITEL, Reinhard
发明人： BARCHMANN, Bernd , KRÄUTER, Gertrud , MÜLLER, Klaus , STREITEL, Reinhard
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L23/495 , H01L31/024
CPC分类号： H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L31/024 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/647 , H01L2224/29194 , H01L2224/29298 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07811 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Es handelt sich um ein elektronisches Bauelement (100a, 100b, 200), insbesondere ein optoelektronisches Bauelement. Das elektronische Bauelement weist ein Substrat (124, 224) mit mindestens einer Halbleiterchip-Kontaktschicht (110a, 110b, 210) auf. Auf der Halbleiterchip-Kontaktschicht (110a, 110b, 210) ist ein Halbleiterchip (102, 202) angeordnet. Zwischen der Halbleiterchip-Kontaktschicht (110a, 110b, 210) und einer dem Substrat (124, 224) zugewandten Kontaktfläche (104, 204) des Halbleiterchips (102, 202) ist eine Poren aufweisende Verbindungsschicht (106, 206) angeordnet.
摘要翻译：它是电子部件（100A，100B，200），特别是光电子器件。所述电子部件包括：基板（124，224）具有至少一个半导体芯片的接触层（110A，110B，210）。在半导体芯片的接触层（110A，110B，210）是一个半导体芯片（102，202）被布置。半导体芯片接触层（110A，110B，210）和面向所述半导体芯片（102,202）的接触表面（104，204）的衬底（124，224）之间的是空隙化互连层（106，206）被布置。

7. 发明申请

WO2012010519A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：辐射分量及其制造方法可发射组件
公开(公告)号：WO2012010519A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/062157
申请日：2011-07-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/58 , G02B6/00 , G02F1/13357 , H01L33/20 , H01L33/60 , H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/60 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit - einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; - einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; - einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种发射辐射的部件，包括： - 具有第一主表面（25），相对的第二主表面（26）的第一主表面的半导体芯片（2）和用于产生辐射有源区域（23）所提供的; - 支撑（5）由所述第二主表面固定在半导体芯片（26）; - 其被布置在半导体芯片的第一主表面（25）上的去耦层（4）（2）和在隔开的所述半导体芯片（2）的横向方向的横向输出表面（40），其中，在所述耦合输出层（4）具有一对半导体芯片（2）凹部逐渐变细（45）形成为从辐射的第一主表面（25）在横向耦合输出表面（40）的方向上发出的操作偏转。此外，被指定的制造发射辐射的器件的方法。

8. 发明申请

WO2014064218A1 GEHÄUSE FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES GEHÄUSES 审中-公开
标题翻译：住房用于生产外壳的光电子器件和方法
公开(公告)号：WO2014064218A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/EP2013/072321
申请日：2013-10-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OSRAM GMBH
发明人： BARCHMANN, Bernd , ZITZLSPERGER, Michael , PREUSS, Stephan
IPC分类号： H01L33/64
CPC分类号： H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2933/0075
摘要： Es wird ein für ein optoelektronisches Bauelement vorgesehenes Gehäuse (1) angegeben, das einen Leiterrahmen (2), einen thermischen Anschluss (3) und einen Formkörper (4) aufweist, bei dem der Leiterrahmen eine erste Elektrode (21) und eine von der ersten Elektrode lateral beabstandete zweite Elektrode (22) enthält, wobei die erste Elektrode eine Befestigungsfläche (211) für das Bauelement an einer Vorderseite (11) des Gehäuses bildet; der thermische Anschluss auf einer der Befestigungsfläche abgewandten Seite der ersten Elektrode angeordnet ist, wobei der thermische Anschluss an einer Rückseite (12) des Gehäuses eine thermische Kontaktfläche (32) bildet, die von der ersten Elektrode elektrisch isoliert ist; und die erste Elektrode und die zweite Elektrode mittels des Formkörpers miteinander mechanisch verbunden sind, wobei sich die erste Elektrode und die zweite Elektrode in vertikaler Richtung zumindest bereichsweise durch den Formkörper hindurch erstrecken. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen
摘要翻译：公开了一种提供用于光电器件封装（1），包括一个导体框架（2），一个热连接（3）和形主体（4），其中，所述引线框架包括：第一电极（21）和一个所述第一包含电极横向隔开的第二电极（22），其中，所述第一电极具有用于该设备的安装表面（211）上的前侧（11）形成的壳体; 从附着表面的一个背对热连接的所述第一电极的侧面设置，其特征在于，在所述外壳的背面侧（12）的热端子形成热接触表面（32），其是从所述第一电极电绝缘; 和所述第一电极和所述第二电极通过所述成型体彼此机械地相连接，其中所述第一电极和至少在通过模体穿过其中延伸的区域在垂直方向上的第二电极。另外，用于制造这样的方法

9. 发明申请

WO2012034826A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件与方法研究
公开(公告)号：WO2012034826A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064377
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L23/055
CPC分类号： H01L33/60 , H01L23/055 , H01L24/18 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit einem Träger (3), der einen ersten (1) und einen zweiten Anschlussbereich (2) aufweist, sowie mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (4), der eine Grundfläche (5) und eine der Grundfläche gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, wobei der Halbleiterchip (4) mit der Grundfläche (5) auf dem Träger (3) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement ein Gehäuse (10) mit einem unteren Gehäuseteil (8), das an Seitenflanken (14) des Halbleiterchips (4) angrenzt, und einem oberen Gehäuseteil (9), das einen Reflektor (15) für die vom Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung (16) ausbildet, auf. Eine elektrische Anschlussschicht (7) ist von der Strahlungsaustrittsfläche (6) des Halbleiterchips (4) über einen Teil der Grenzfläche (19) zwischen dem unteren (8) und dem oberen Gehäuseteil (9) und durch das untere Gehäuseteil (8) hindurch zu dem ersten Anschlussbereich (1) auf dem Träger (3) geführt. Weiterhin wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括一个支撑件（3），具有第一（1）和第二端子部（2），并用发射辐射的半导体芯片（4）具有一底座（5）和辐射出射面相对的基体的一个（6），其中所述半导体芯片（4）上的支承件（3）的底表面（5）布置。另外，包括在半导体芯片的一个壳体（10）具有下部外壳部分（8），所述侧翼（14）中的光电部件（4）相邻，和（9）具有用于一个反射器（15）（从半导体芯片的上壳体部 4发射）辐射（16）的形式，上。辐射出射表面的电连接层（7）（6）经由底部（8）和上部壳体部件之间的界面（19）的一部分的半导体芯片（4）的（9），并通过下部壳体部件（8）通过对在载体上的第一连接区域外（1）（3）。此外，被指定用于制造光电子器件的有利方法。

10. 发明申请

WO2012010377A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2012010377A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/060336
申请日：2011-06-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/38 , H01L33/52 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L2224/24
摘要： Es ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das ein Trägerelement (1), einem auf dem Trägerelement (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise und bildet eine das Bauelement abschließende Hauptfläche (31) aus. In der Vergussmasse (3) ist eine Ausnehmung (4) ausgebildet, in der eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (5) derart angeordnet ist, dass diese die Hauptfläche (31) nicht überragt. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
摘要翻译：它是提供一种具有支撑构件（1）的光电元件，设置在支承元件上的一（1）的半导体芯片（2）和密封化合物（3）。半导体芯片（2）具有适于产生或电磁辐射活性层的检测的形式。包围所述半导体芯片密封化合物（3）（2）至少部分地并形成组件的最终主表面（31）。在密封化合物（3）具有其中一个导电接触结构（5）被布置成使得这些是主要的表面（31）不会突出（4）形成有凹部。此外，被指定制造这种器件的方法。

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