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1. 发明申请

WO2016050608A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2016050608A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/EP2015/072013
申请日：2015-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OSRAM GMBH
发明人： BÖHM, Bernd , ZASPEL, Daniel , HARTAUER, Stefan , HOXHOLD, Björn
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/00 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/642 , H01L2933/005
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (10) angegeben, umfassend die Schritte:• A) Anordnen zumindest eines Halbleiterchips (2) an einem Träger (1), • B) Aufbringen eines elektrisch isolierenden Fotolacks (3) auf eine Oberseite (la) des Trägers (1) und auf den Halbleiterchip (2),• C) Aushärten des Fotolacks (3) mit einem Ausheizschritt, • D) Strukturieren des Fotolacks (3) durch Belichtung, • F) Entwicklung des Fotolacks (3), wobei der Fotolack (3) zumindest von einer Strahlungsdurchtrittsfläche (2b) des Halbleiterchips (2) entfernt wird, • G) weiteres Aushärten des Fotolacks (3) mit einem Ausheizschritt, und • H) Aufbringen einer elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) auf den Fotolack (3), wobei die elektrisch leitende Kontaktschicht (4) stellenweise einen Abstand (A) zu einer Randfläche (3a) des Fotolacks (3) aufweist, die dem Halbleiterchip (2) zugewandt ist, wobei die dem Halbleiterchip (2) zugewandte Randfläche (3a) stellenweise freiliegt.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件（10），包括以下步骤的方法：•A）定位的至少一个上的支架（1），•B）将半导体芯片（2）的电绝缘抗蚀剂（3）所述支撑件的上表面（Ia）的（1）和半导体芯片（2），•C）固化（3）的烘烤工序，•D）图案化所述光致抗蚀剂（3）曝光的光致抗蚀剂上，•F）显影光刻胶（3），所述光致抗蚀剂（3）至少由一个辐射穿透表面（2b）的半导体芯片（2）被除去，•G）进一步固化抗蚀剂（3）的烘烤工序，和•1H）施加导电接触层（4 ）（在光致抗蚀剂3），其中，在所述光致抗蚀剂的一个距离（a）（一个周表面3a）的地方，导电接触层（4）（3），面向所述半导体芯片（2），所述的哈在暴露的部位面向lbleiterchip（2）外周面（3a）。

2. 发明申请

WO2016071308A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016071308A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/EP2015/075518
申请日：2015-11-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SINGER, Frank , MOOSBURGER, Jürgen , SABATHIL, Matthias , HOXHOLD, Björn , SPERL, Matthias
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/44 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/167 , H01L33/005 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (30) weist einen Verbundkörper (100) auf, der einen Formkörper (200) und einen in den Formkörper (200) eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip (300) umfasst. Ein elektrisch leitender Durchkontakt (400) erstreckt sich von einer Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) zu einer Unterseite (102) des Verbundkörpers (100) durch den Formkörper (200). Eine Oberseite (301) des optoelektronischen Halbleiterchips (300) ist zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (200) bedeckt. Der optoelektronische Halbleiterchip (300) weist an seiner Oberseite (301) einen ersten elektrischen Kontakt (310) auf. An der Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) ist eine erste Oberseitenmetallisierung (110) angeordnet, die den ersten elektrischen Kontakt (310) elektrisch leitend mit dem Durchkontakt (400) verbindet. An der Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) ist außerdem eine zweite Oberseitenmetallisierung (120) angeordnet, die elektrisch gegen die erste Oberseitenmetallisierung (110) isoliert ist.
摘要翻译：光电子器件（30）包括复合体（100）包括成型体（200）和一个嵌入到形主体（200）的光电子半导体芯片（300）。一个通过由模制体（200）从所述复合体（100）的顶表面（101）延伸到所述复合材料主体（100）的下侧（102）（400）导电。光电子半导体芯片（300）的上表面（301）由所述模体（200）至少部分覆盖。光电子半导体芯片（300）具有在其上侧（301）的第一电接触（310）。在复合体（100）的顶部（101）是第一顶部金属化（110）被布置成，它连接所述第一电接触（310）电连接到所述通孔（400）。第二顶部金属化（120）进一步设置在复合体（100），其是从所述第一顶部金属化（110）电绝缘的顶部（101）。

3. 发明申请

WO2016188867A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：用于生产光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2016188867A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/EP2016/061317
申请日：2016-05-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , BIEBERSDORF, Andreas , BECKER, Dirk , BARCHMANN, Bernd , HOXHOLD, Björn , SCHLOSSER, Philipp , WALDSCHIK, Andreas
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L33/005 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2933/0075 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägers (2), wobei der Träger (2) ein metallisches Kernmaterial (24) aufweist und zumindest an einer Trägeroberseite (22) auf das Kernmaterial (24) eine Metallschicht (25) und darauffolgend ein dielektrischer Spiegel (26) aufgebracht sind, B) Ausbilden von mindestens zwei Löchern (3) durch den Träger (2) hindurch, C) Erzeugen einer Keramikschicht (4) mit einer Dicke von höchstens 100 μm zumindest an einer Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), wobei die Keramikschicht (4) als Komponente das Kernmaterial (24) umfasst, D) Aufbringen von metallischen Kontaktschichten (91, 92) auf zumindest Teilbereiche der Keramikschicht (4) an der Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), sodass durch die Löcher (3) die Trägeroberseite (22) elektrisch mit der Trägerunterseite (21) verbunden wird, und E) Aufbringen zumindest eines Strahlung emittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägeroberseite (22) und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips (5) mit den Kontaktschichten (91, 92).
摘要翻译：在至少一个实施方案中，用于生产光电半导体部件（1）的方法被布置并包括以下步骤：至少（以载波顶部22 A）提供一个支撑件（2），其特征在于，所述载体（2），金属芯材（24）和）形成在所述芯材（24）的金属层（25）和随后的介电反射镜（26）被施加，B）形成（至少两个孔（3）通过形成陶瓷层的载体（2）穿过其中，C）4）的至少一个支撑底座（21）和在孔100微米的最大厚度（3），其中，在至少部分所述陶瓷层（4）包括作为部件，所述芯材（24），D）将金属接触层（91，92）在孔上的支撑底座（21）的陶瓷层（4）和（3），以便通过孔（3）载体上侧（22）电连接至所述支撑基部（21）连接，以及e）施加至少一个发射辐射的半导体芯片（5）在载体上顶端（22）和半导体芯片（5）与所述接触层（91，92）电连接。

4. 发明申请

WO2015011028A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片，半导体元件及其制造方法的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2015011028A1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/EP2014/065445
申请日：2014-07-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： WAGNER, Ralph , VEIT, Thomas , HOXHOLD, Björn , SCHLOSSER, Philipp
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/62 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, wobei - der Halbleiterkörper mit einer Verbindungsschicht (6) an dem Träger befestigt ist; - der Träger sich in einer vertikalen Richtung zwischen einer dem Halbleiterkörper zugewandten ersten Hauptfläche (53) und einer dem Halbleiterkörper abgewandten zweiten Hauptfläche (54) erstreckt, wobei eine Seitenfläche (51) die erste Hauptfläche und die zweite Hauptfläche miteinander verbindet; - ein erster Bereich (511) der Seitenfläche des Trägers eine Einbuchtung (55) aufweist; - ein zweiter Bereich der Seitenfläche in vertikaler Richtung zwischen der Einbuchtung und der zweiten Hauptfläche verläuft; - der Halbleiterchip eine Isolationsschicht (4) aufweist, die den Halbleiterkörper und den ersten Bereich jeweils zumindest teilweise bedeckt; und - der zweite Bereich frei von der Isolationsschicht ist. Weiterhin werden ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（5）和半导体本体的光电子半导体芯片（1）（2）与所提供的用于产生和/或用于接收辐射激活区（20），其特征在于 - 与连接层的半导体主体（6 ）附连到所述支撑; - 在朝向半导体本体的第一主表面（53）和从该半导体本体的第二主表面（54），其特征在于，侧表面（51）连接所述第一主表面和第二主表面彼此背离的一侧上的侧之间的垂直方向上的载体; - 第一区（511）具有所述载体的所述侧面的凹部（55）; - 通过在所述凹槽和所述第二主表面之间的垂直方向上的侧表面的第二部分; - 具有对应于半导体主体和在每种情况下所述第一区域至少部分地覆盖的绝缘层（4）的半导体芯片; 和 - 所述第二区域是从绝缘层自由。此外，半导体器件和用于制造的光电子半导体芯片的方法中指定的。

5. 发明申请

WO2016071307A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016071307A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/EP2015/075517
申请日：2015-11-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SINGER, Frank , MOOSBURGER, Jürgen , SABATHIL, Matthias , HOXHOLD, Björn , SPERL, Matthias
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/40 , H01L33/50 , H01L33/54
CPC分类号： H01L25/167 , H01L21/565 , H01L23/291 , H01L23/296 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
摘要： Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung Ein optoelektronisches Bauelement (10) weist einen Verbundkörper (100) auf, der einen Formkörper (200) und einen in den Formkörper (200) eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip (300) umfasst. Ein elektrisch leitender Durchkontakt (400) erstreckt sich von einer Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) zu einer Unterseite (102) des Verbundkörpers (100) durch den Formkörper (200). Eine Oberseite (301) des optoelektronischen Halbleiterchips (300) ist zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (200) bedeckt. Der optoelektronische Halbleiterchip (300) weist an seiner Oberseite (301) einen ersten elektrischen Kontakt (310) auf. An der Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) ist eine erste Oberseitenmetallisierung (110) angeordnet, die den ersten elektrischen Kontakt (310) elektrisch leitend mit dem Durchkontakt (400) verbindet. Das optoelektronische Bauelement (10) weist eine obere Isolationsschicht (160) auf, die sich über die erste Oberseitenmetallisierung (110) erstreckt. Das optoelektronische Bauelement (10) weist außerdem eine zweite Oberseitenmetallisierung (120) auf, die über der oberen Isolationsschicht (160) angeordnet und durch die obere Isolationsschicht (160) elektrisch gegen die erste Oberseitenmetallisierung (110) isoliert ist.
摘要翻译：其制备一种光电子器件（10），光电子器件和方法包括复合体（100）包括模制体（200）并进入模体（200）嵌入的光电子半导体芯片（300）。一个通过由模制体（200）从所述复合体（100）的顶表面（101）延伸到所述复合材料主体（100）的下侧（102）（400）导电。光电子半导体芯片（300）的上表面（301）由所述模体（200）至少部分覆盖。光电子半导体芯片（300）具有在其上侧（301）的第一电接触（310）。在复合体（100）的顶部（101）是第一顶部金属化（110）被布置成，它连接所述第一电接触（310）电连接到所述通孔（400）。光电子器件（10）具有延伸穿过所述第一顶部金属化（110）的上绝缘层（160）。光电子器件（10）还包括第二顶部金属化（120）设置在上绝缘层（160）上，并通过上绝缘层（160）电到第一顶部金属化（110）是分离的。

6. 发明申请

WO2016071097A1 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINES MATERIALS AUF EINER OBERFLÄCHE 审中-公开
标题翻译：方法将材料应用上的表面
公开(公告)号：WO2016071097A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/EP2015/074043
申请日：2015-10-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HOXHOLD, Björn , KISSLING, Matthias , SPERL, Matthias
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
摘要： Es wird ein Verfahren zum Aufbringen eines ersten Materials (5) auf einer Oberfläche (1) in einer Mehrzahl von voneinander getrennten Beschichtungsbereichen (2) angegeben mit den Schritten: A) Bereitstellen der Oberfläche (1) mit den Beschichtungsbereichen (2), B) Herstellen einer ersten Maskenschicht (3) auf der Oberfläche (1) mittels eines fotolithografischen Verfahrens, wobei die erste Maskenschicht (3) eine Mehrzahl von ersten Öffnungen (31) aufweist, die über den Beschichtungsbereichen (2) angeordnet sind, C) Bereitstellen einer selbsttragenden zweiten Maskenschicht (4) und anschließendes Aufbringen der zweiten Maskenschicht (4) auf der ersten Maskenschicht (3), wobei die zweite Maskenschicht (4) eine Mehrzahl von zweiten Öffnungen (41) aufweist, die über den ersten Öffnungen (31) angeordnet sind und die eine Größe aufweisen, die kleiner oder gleich einer Größe der ersten Öffnungen (31) ist, D) Aufbringen des ersten Materials (5) auf der Oberfläche (1) in den Beschichtungsbereichen (2) durch die ersten und zweiten Öffnungen (31, 41) der ersten und zweiten Maskenschicht (3, 4) hindurch.
摘要翻译：有间隔开的多个的表面（1）上施加第一材料（5）的方法涂敷区域（2）设置有如下步骤：a）提供所述表面（1）与所述涂层区域（2），B）通过光刻法形成的表面（1）上的第一掩模层（3），所述第一掩模层（3）包括多个第一开口（31），其被布置在所述涂层的区域（2），C以上）提供一种自支撑第二掩模层（4），然后将所述第二掩模层（4）在第一掩模层（3）上，所述具有多个第二开口（41）的第二掩模层（4）设置成穿过所述第一开口（31）和具有尺寸小于或等于一个尺寸的第一开口（31）中，d）在Beschi表面（1）上施加第一材料（5）的 chtungsbereichen（2）通过所述第一和第二掩模层（3，4）通过其中的第一和第二开口（31,41）。

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