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1. 发明申请

WO2012116978A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DÜNNFILM-HALBLEITERKÖRPERS UND DÜNNFILM-HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：用于生产薄膜半导体主体与薄膜半导体BODY
公开(公告)号：WO2012116978A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/EP2012/053348
申请日：2012-02-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LEIRER, Christian , VOGL, Anton , BIEBERSDORF, Andreas , BUTENDEICH, Rainer , RUMBOLZ, Christian
发明人： LEIRER, Christian , VOGL, Anton , BIEBERSDORF, Andreas , BUTENDEICH, Rainer , RUMBOLZ, Christian
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers angegeben, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Aufwachssubstrates (1); Epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschicht (3) mit trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4) auf das Aufwachssubstrat (1); Verfüllen der Vertiefungen (4) mit einem Halbleitermaterial (6) derart, dass pyramidenförmige Auskoppelstrukturen (13) entstehen; Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (7) mit einer aktiven Schicht (8), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, auf den Auskoppelstrukturen (13); Aufbringen eines Trägers (11) auf die Halbleiterschichtenfolge (7), und Ablösen zumindest der Halbleiterschicht (3) mit den trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4), so dass die pyramidenförmigen Auskoppelstrukturen (13) als Vorsprünge (14) auf einer Strahlungsaustrittsfläche (12) des Dünnfilm-Halbleiterkörpers ausgebildet werden. Weiterhin wird ein Dünnfilm-Halbleiterkörper angegeben.
摘要翻译：一种制造薄膜半导体本体的方法，提供了一种包括以下步骤：准备生长衬底（1）; 外延生长用漏斗形和/或倒金字塔形的生长衬底（1）上的凹陷（4）的半导体层（3）; 填充（4）包括在该锥体输出耦合结构（13）形成这样的方式的半导体材料（6）的凹部; 施加具有有源层（8），其适于产生电磁辐射，所述输出耦合结构（13）的半导体层序列（7）; 施加在载体（11），以在半导体层序列（7），和至少剥离半导体层（3）与所述漏斗形和/或倒金字塔形的凹陷（4），使得在辐射出射表面上的棱锥形外耦合结构（13）和突起（14）薄膜半导体本体（12）而形成。此外，薄膜半导体本体中指示。

2. 发明申请

WO2012116893A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012116893A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/EP2012/052617
申请日：2012-02-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LEIRER, Christian , VOGL, Anton , BIEBERSDORF, Andreas , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , BUTENDEICH, Rainer
发明人： LEIRER, Christian , VOGL, Anton , BIEBERSDORF, Andreas , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , BUTENDEICH, Rainer
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/24 , H01L33/22 , H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L21/02513 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L31/03044 , H01L31/03529 , H01L31/1856 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/24
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) in einer Epitaxieanlage, epitaktisches Abscheiden zumindest einer Zwischenschicht (2) auf das Aufwachssubstrat (1), Erzeugen einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten strukturierten Oberfläche (3) an der dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der Zwischenschicht (2), epitaktisches Abscheiden einer aktiven Schicht (4) auf die strukturierte Oberfläche (3), wobei die strukturierte Oberfläche (3) in der Epitaxieanlage erzeugt wird, und die aktive Schicht (4) der Strukturierung der strukturierten Oberfläche (3) zumindest stellenweise konform oder zumindest stellenweise im Wesentlichen konform folgt.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体芯片，包括以下步骤的方法：提供一生长衬底（1）中的外延，外延沉积的至少一个中间层（2）在生长衬底（1），产生（1）的面向远离所述结构化表面的在生长衬底上侧的结构化表面（3），其中所述结构化表面（3）设置在所述外延生产的，并且所述活性在背离（3）在生长衬底（1）的中间层（2）的外延沉积的有源层（4）的距离层（4）如下所述结构化表面（3）至少局部适应性或在基本上符合至少局部地的结构。

3. 发明申请

WO2012146668A1 STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ 审中-公开
标题翻译：集成ESD保护发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2012146668A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/EP2012/057676
申请日：2012-04-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LÖFFLER, Andreas , LEIRER, Christian , BUTENDEICH, Rainer , MEYER, Tobias , PETER, Matthias
发明人： LÖFFLER, Andreas , LEIRER, Christian , BUTENDEICH, Rainer , MEYER, Tobias , PETER, Matthias
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/14
CPC分类号： H01L33/26 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit einer auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierenden Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem pn-Übergang angegeben umfassend - eine erste Schutzschicht (3), die gezielt eingebrachte Kristalldefekte (4) aufweist, wobei die erste Schutzschicht (3) zum Schutz des Halbleiterchips (1) vor elektrostatischen Entladungspulsen vorgesehen ist, - eine aktive Zone (7) zur Strahlungserzeugung, die der ersten Schutzschicht (3, 5) in Wachstumsrichtung (W) nachgeordnet ist, wobei sich im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Durchbruchverhalten der Halbleiterschichtenfolge (2) in Sperrrichtung in Bereichen mit Kristalldefekten (4) von Bereichen ohne Kristalldefekte unterscheidet, und wobei bei elektrostatischen Entladungspulsen elektrische Ladung homogen verteilt über die Bereiche mit Kristalldefekten (4) abgeleitet wird.
摘要翻译：它是一种发射辐射的半导体芯片（1）具有具有pn结指示包括基于氮化物的化合物半导体材料的半导体层序列（2） - 具有第一保护层（3）中，故意引入的晶体缺陷（4），其中，所述第一保护层（ 3）（以保护半导体芯片1）被提供防止静电放电脉冲， - 用于产生辐射的有源区（7），其下游设置在所述第一保护层（3,5）在生长方向（W），其中（在半导体芯片1的操作过程中），而不晶体缺陷区分在相反的方向在半导体层序列（2）的在区域中的击穿行为（与区域晶体缺陷4），并且其中在静电放电脉冲电荷均匀地分布在与晶体缺陷的区域（4）被导出。

4. 发明申请

WO2018202685A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018202685A1
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：PCT/EP2018/061160
申请日：2018-05-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： TÅNGRING, Ivar , LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/64 , H01L33/48 , H01L33/00
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10) zur Emission elektromagnetischer Strahlung. Ferner umfasst der Halbleiterchip (1) zwei Kontaktelemente (21, 22) auf einer Rückseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (1) sowie ein strahlungsdurchlässiges Kühlelement (3) auf einer der Rückseite (12) gegenüberliegenden Vorderseite (11) der Halbleiterschichtenfolge(1). Zwischen dem Kühlelement (3) und der Halbleiterschichtenfolge (1) ist eine Siloxan-haltige Konverterschicht (4) angeordnet. Die Kontaktelemente (21, 22) dienen zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (100) und liegen im unmontierten Zustand des Halbleiterchips (100) frei. Das Kühlelement (3) ist von einem Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge (1) verschieden und weist eine thermische Leitfähigkeit von mindestens 0,7 W/(m∙K) auf.

5. 发明申请

WO2018185086A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018185086A1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：PCT/EP2018/058461
申请日：2018-04-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： OTTO, Isabel , LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L27/156 , H01L21/50 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0033
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, mit den Schritten: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der eine Mehrzahl von Emissionsbereichen (3) aufweist; b) Ausbilden einer Mehrzahl von ersten Kontaktstellen (41), die jeweils mit einem Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden sind, auf der Halbleiterschichtenfolge; c) Befüllen der Zwischenräume (45) zwischen den Kontaktstellen mit einer Formmasse (50); und d) Anordnen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Anschlussträger (6) mit einer Ansteuerschaltung (65) und einer Mehrzahl von Anschlussflächen (61), wobei die ersten Kontaktstellen jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden werden und die Emissionsbereiche mittels der Ansteuerschaltung unabhängig voneinander ansteuerbar sind. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.

6. 发明申请

WO2018184842A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
公开(公告)号：WO2018184842A1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：PCT/EP2018/057126
申请日：2018-03-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： OTTO, Isabel , LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L33/40
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zum Erzeugen oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) auf einem Substrat (29); b) Ausbilden zumindest einer Ausnehmung (25), die sich durch den aktiven Bereich erstreckt; c) Ausbilden einer metallischen Verstärkungsschicht (3) auf der Halbleiterschichtenfolge mittels galvanischer Abscheidung, wobei die metallische Verstärkungsschicht die Halbleiterschichtenfolge vollständig bedeckt und die Ausnehmung zumindest teilweise füllt; und d) Entfernen des Substrats. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben.

7. 发明申请

WO2017144451A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体元件和制造半导体结构元件的方法
公开(公告)号：WO2017144451A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/EP2017/053910
申请日：2017-02-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , LEIRER, Christian , SPERL, Matthias
IPC分类号： H01L33/52 , H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/167 , H01L33/0095 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L33/52
摘要： Halbleiterbauelement - mit mindestens einem Halbleiterchip (10), der einen Halbleiterkörper (1) mit einem aktiven Bereich (12), ein Konversionselement (6) und einen Träger (3) umfasst, und der Träger (3) einen ersten Formkörper (33), einen ersten Leiterkörper (31) und einen zweiten Leiterkörper (32) aufweist, und die Leiterkörper (31, 32) mit dem aktiven Bereich (12) elektrisch leidend verbunden sind, und bei dem eine vom aktiven Bereich (12) abgewandte Seite des Konversionselements (6) eine Vorderseite (101) des Halbleiterchips (10) bildet und eine vom aktiven Bereich (12) abgewandte Seite des Trägers (3) eine Rückseite (102) des Halbleiterchips (10) bildet, und Seitenflächen (103) des Halbleiterchips Vorder- (101) und Rückseite (102) miteinander verbinden, und - mit einem zweiten Formkörper (5), wobei - der Halbleiterchip (10) den zweiten Formkörper (5) vollständig durchdringt, derart, dass der zweite Formkörper (5) einen Rahmen um den Halbleiterchip (10) bildet und dass die Vorderseite (101) und die Rückseite (102) des Halbleiterchips (10) zumindest stellenweise frei vom zweiten Formkörper (5) sind, und - der zweite Formkörper (5) an den Seitenflächen des Halbleiterchips (10) freiliegende Flächen des Konversionselements (6) zumindest teilweise überdeckt.
摘要翻译：
一种半导体装置， - 与具有至少一个半导体芯片（10），一个Halbleiterk＆OUML;包括GER（3），和;（1）具有有源区（12），一个转换元件主体（6），并且在TR AUML 的Tr的AUML; GER（3）包括一个第一模制＆oUML;主体（33），第一Leiterk＆oUML;主体（31）和第二Leiterk＆oUML;主体（32），并且Leiterk＆oUML;主体（31，32）（与有源区 12）电痛苦连接，并且其中一个（从有源区域12）后面对所述转换元件（6）形成在半导体芯片（10）和一个的前侧（101）（从有源区域12）中的Tr的AUML的远程侧;蒙古包（ 3）R导航使用形成在半导体芯片（10）的底面（102），和半导体芯片正面（101）和R导航使用的下侧（102）彼此的Seitenfl BEAR表面（103），以及 - 具有第二模制＆oUML;主体（5 ），其中 - 半导体芯片（10）完全穿透第二模制体（5），使得第二模制体成型＆OUML;形成主体（5）的半导体芯片周围的框架（10）和所述前侧（101）和R导航用途是主体（5），以及 - 至少在半导体芯片（10）的后部（102）的地方自由从第二成型＆OUML 第二模制体（5）至少部分地覆盖暴露在半导体芯片（10）的侧表面上的转换元件（6）的表面，

8. 发明申请

WO2017016892A1 BAUELEMENT MIT EINEM METALLISCHEN TRÄGER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：根据上述制造组件的金属载体和方法COMPONENT
公开(公告)号：WO2017016892A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：PCT/EP2016/066810
申请日：2016-07-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , SCHWARZ, Thomas , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/11
摘要： Es wird ein Bauelement (100) angegeben, das einen Träger (1), einen Halbleiterkörper (2) und eine in vertikaler Richtung zumindest bereichsweise zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper angeordnete Verdrahtungsstruktur (8) aufweist, wobei - die Verdrahtungsstruktur zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eine erste Anschlussfläche (31) und eine zweite Anschlussfläche (32) aufweist, die an den Träger angrenzen und verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugeordnet sind, - der Träger eine metallische Trägerschicht (4) und einen ersten Durchkontakt (61) aufweist, wobei sich der erste Durchkonktakt in der vertikalen Richtung durch die Trägerschicht hindurch erstreckt, von der Trägerschicht durch eine Isolierungsschicht (5) elektrisch isoliert ist und an einer der Verdrahtungsstruktur zugewandten Vorderseite (11) des Trägers mit einer der Anschlussflächen (31, 32) im elektrischen Kontakt steht, - das Bauelement über den Träger extern elektrisch kontaktierbar ausgestaltet ist, und - der Träger einen Metallanteil von mindestens 60 Volumen- und/oder Gewichtsprozent aufweist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明公开了包括支撑装置（100）（1），半导体主体（2）和至少部分地布置在支撑和半导体本体的布线图案之间的垂直方向（8），其特征在于， - 用于半导体本体的电接触的布线构造的第一连接表面（31）和第二连接表面（32）相邻的载体和被分配给该部件的不同的电的极性， - 所述载体是金属载体层（4）和通孔（61）的第一，其中，所述第一Durchkonktakt在通过绝缘层穿过支撑层通过延伸，从所述载体层中的垂直方向（5）在朝向所述支撑件的布线图案前侧（11）的一侧与所述连接面中的一个（31，32）电绝缘的电接触， - 在支撑外部ELEC组件 Ch是接触配置，并且 - 所述载体具有至少60的体积和/或重量百分比的金属含量。此外，提供了一种用于制造这样的部件提供了一种方法。

9. 发明申请

WO2014173950A1 OPTOELEKRONISCHES GAN-BASIERTES BAUELEMENT MIT ERHÖHTER ESD RESISTENZ DURCH EIN ÜBERGITTER UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：具有增强的ESD抗OPTOELEKRONISCHES GaN基元由网格OVER及其制造方法
公开(公告)号：WO2014173950A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/058240
申请日：2014-04-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LÖFFLER, Andreas , MEYER, Tobias , BAUER, Adam , LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L21/02499 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L33/0075 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/325
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst eine Halbleiter- Schichtstruktur (100), die eine Quantenfilmstruktur als aktive Schicht (140) und eine p-dotierte Schicht (160) aufweist, die oberhalb der Quantenfilmstruktur (140) angeordnet ist. Die p-dotierte Schicht (160) umfasst mindestens eine erste Teilschicht (161) und eine zweite Teilschicht (162). Die zweite Teilschicht (162) weist einen höheren Dotiergrad (323) auf als die erste Teilschicht (161).
摘要翻译：光电子器件（10）包括一具有一量子阱结构作为有源层（140）和p掺杂层（160）布置在所述量子阱结构（140）上方的半导体层结构（100）。 p掺杂层（160）包括至少一个第一子层（161）和第二局部层（162）。第二子层（162）具有比所述第一部分层（161）高的掺杂（323）。

10. 发明申请

WO2014166764A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法
公开(公告)号：WO2014166764A1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：PCT/EP2014/056328
申请日：2014-03-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LOEFFLER, Andreas , MEYER, Tobias , BAUER, Adam , LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L25/167 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats, zum Aufwachsen einer ersten Schicht, zum Durchführen eines Ätzprozesses,um V-Defekte anzulegen, zum Aufwachsen einer zweiten Schicht, und zum Aufwachsen einer Quantenfilmstruktur.
摘要翻译：制造光电子半导体芯片的方法，包括提供用于生长的第一层，执行蚀刻工艺，以创建V缺陷，在第二层的生长，并生长的量子阱结构的衬底的步骤。

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