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1. 发明申请

WO2012110365A1 TRÄGERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：承载基板及其制造方法半导体芯片
公开(公告)号：WO2012110365A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/EP2012/052060
申请日：2012-02-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald Karl Michael , PLÖSSL, Andreas , ZULL, Heribert , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd , PERZLMAIER, Korbinian
发明人： GÜNTHER, Ewald Karl Michael , PLÖSSL, Andreas , ZULL, Heribert , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd , PERZLMAIER, Korbinian
IPC分类号： H01L21/761 , H01L23/60 , H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L27/14 , H01L33/64 , H01L27/02
CPC分类号： H01L29/0607 , H01L23/60 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L29/66128 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/641 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265
摘要： Es wird ein Trägersubstrat (10) für eine Halbleiterschichtenfolge angegeben, das eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist. Zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ist eine Diodenstruktur (2) ausgebildet, die die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips (3) mit einem Trägersubstrat angegeben.
摘要翻译：它是为具有第一主表面（11）和具有相对的第二主表面（12）的第一主表面中的一个的半导体层序列的支撑基板（10）中指定。所述第一主表面，并且（2）形成的二极管结构的第二主表面之间，所述第二主表面的第一主表面电性绝缘的至少一种用于电动电压的极性。此外，用于制造半导体芯片（3）的方法设置有支撑衬底。

2. 发明申请

WO2012130643A1 VERFAHREN ZUM VEREINZELN EINES BAUELEMENTVERBUNDS 审中-公开
标题翻译：方法分离COMPONENT GROUPING
公开(公告)号：WO2012130643A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/054714
申请日：2012-03-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZULL, Heribert , PERZLMAIER, Korbinian , PLÖßL, Andreas , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd
发明人： ZULL, Heribert , PERZLMAIER, Korbinian , PLÖßL, Andreas , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/18 , H01S5/02
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L21/7806 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L31/18 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01S5/0201
摘要： Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Bauelementverbunds (1) in eine Mehrzahl von Bauelementbereichen (10) angegeben, bei dem ein Bauelementverbund mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Bereich aufweist, bereitgestellt wird. Der Bauelementverbund wird an einem starren Hilfsträger (6) befestigt. Der Bauelementverbund wird in die Mehrzahl von Bauelementbereichen vereinzelt, wobei für jeden Bauelementbereich jeweils ein Halbleiterkörper (25) aus der Halbleiterschichtenfolge hervorgeht. Die Bauelementbereiche werden von dem Hilfsträger entfernt.
摘要翻译：提供了一种用于分离的部件组件（1）成多个器件区域（10），其具有带用于生产或用于接收电磁辐射区域中设置（2）的半导体层序列的成分复合的方法。部件组件被安装在一个刚性的辅助支撑（6）。复合部件对每个器件区域中的每一种情况下分离成多个分量区域，其中从所述半导体层序列看到一个半导体本体（25）。该器件区域从子载波中移除。

3. 发明申请

WO2012038318A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ANWENDUNG IN EINEM OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片方法在电子元件光电的生产和使用
公开(公告)号：WO2012038318A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/EP2011/066008
申请日：2011-09-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BÖHM, Bernd , KRÄUTER, Gertrud , PLÖßL, Andreas
发明人： BÖHM, Bernd , KRÄUTER, Gertrud , PLÖßL, Andreas
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/22 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/054 , H01L33/44 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2933/0091 , Y02E10/52 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend: eine aktive Schicht (10) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche (11, 12), wobei die aktive Schicht (10) ein Halbleitermaterial umfasst und im Betrieb des Halbleiterchips (1) eine Strahlung emittiert oder empfängt; eine strukturierte Schicht (20), die dreidimensionale Strukturen zur Auskoppelung oder Einkoppelung von Strahlung aufweist und die auf der ersten Hauptfläche (11) im Strahlengang (40) der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, wobei die strukturierte Schicht (20) ein anorganisch-organisches Hybridmaterial umfasst.
摘要翻译：本发明的一个实施例描述的光电子半导体芯片（1），包括：具有第一和第二主表面（11，12）的有源层（10），所述有源层（10）包括半导体材料和在该半导体芯片的操作（1）辐射发射或接收; 在光路（40）的具有三维结构，用于耦合出或辐射的耦合，并在第一主表面（11）的图案化层（20），所述有源层（10），其中，所述图案化的层（20）一个无机 - 包括有机混合材料。

4. 发明申请

WO2010091936A1 VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER HALBLEITEROBERFLÄCHE UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法构建半导体表面及半导体晶片
公开(公告)号：WO2010091936A1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/EP2010/050742
申请日：2010-01-22
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH , BAUR, Elmar , BÖHM, Bernd , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
发明人： BAUR, Elmar , BÖHM, Bernd , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0062
摘要： Es wird ein Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; Bereitstellen eines zweiten Halbleiterwafers (3); Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Halbleiterwafers (3); Strukturieren der dem zweiten Halbleiterwafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2); Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (31) des zweiten Halbleiterwafers (3) übertragen wird.
摘要翻译：提供了一种用于图案化的半导体表面，其包括以下步骤提供了一种方法：提供（1）具有结构化表面（11）的第一晶片; 提供第二半导体晶片（3）; 施加光刻胶（2）到所述第二半导体晶片（3）的外表面; 光致抗蚀剂（2）的表面形成图案，以在第二半导体晶片（3）的面向远离通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11）; 光致抗蚀剂的结构化表面（21）上施加图案化工艺（6）（2），其中，所述光致抗蚀剂（2）（3）发送的第二半导体晶片的外表面（31）上至少局部地施加结构。

5. 发明申请

WO2014049038A1 VERFAHREN ZUM VEREINZELN VON BEREICHEN EINER HALBLEITERSCHICHT 审中-公开
标题翻译：方法分离半导体层的区域
公开(公告)号：WO2014049038A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/070042
申请日：2013-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ZINI, Lorenzo , BÖHM, Bernd
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/784 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/24 , H01L25/167 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vereinzeln von Bereichen einer Halbleiterschicht und zum Einbringen einer Auskoppelstruktur in eine Oberseite der Halbleiterschicht, wobei die Auskoppelstruktur vorgesehen ist, um Licht aus der Halbleiterschicht auszukoppeln, wobei die Oberseite der Halbleiterschichtmit einer Maske bedeckt wird, wobei die Maske erste Öffnungen zum Einbringen der Auskoppelstruktur aufweist, wobei die Maske wenigstens eine zweite Öffnung aufweist, wobei die zweite Öffnung vorgesehen ist, um einen Trenngraben in die Halbleiterschicht einzubringen, wobei mithilfe eines Ätzverfahren gleichzeitig die Auskoppelstruktur in den Bereich der ersten Öffnungen in die Oberseite der Halbleiterschicht eingebracht wird und über die zweite Öffnung ein durch die Halbleiterschicht gehender Trenngraben in die Halbleiterschicht eingebracht wird und ein Bereich der Halbleiterschicht vereinzelt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于分离的半导体层的区域和用于引入在所述半导体层的顶表面上的耦合输出结构的方法，该分离结构从半导体层，其中掩模的半导体层的顶表面覆盖有掩膜，第一开口提供到光耦合具有用于引入耦合输出结构，其中该掩模包括至少一个第二开口，该第二开口被提供用于在半导体层中引入隔离沟槽，其中，使用蚀刻工艺在同一时间在所述第一开口的区域中的耦合输出结构被引入到半导体层的顶并通过连续隔离沟槽的第二开口，所述半导体层被引入到半导体层与所述半导体层的一个区域被分离。

6. 发明申请

WO2019048385A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
公开(公告)号：WO2019048385A1
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：PCT/EP2018/073625
申请日：2018-09-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HUBER, Michael , SOMMERFELD, Jana , HERZ, Martin , HOIBL, Sebastian , RUMBOLZ, Christian , KIESLICH, Albrecht , BÖHM, Bernd , ROSSBACH, Georg , BRÖLL, Markus
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einer Strahlungsdurchtrittsflache (1a), und - Einbringen von Strukturen (2) in den Halbleiterkörper (1) an der Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), wobei - die Strukturen (2) quasi-regelmäßig angeordnet werden.

7. 发明申请

WO2016050608A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2016050608A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/EP2015/072013
申请日：2015-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OSRAM GMBH
发明人： BÖHM, Bernd , ZASPEL, Daniel , HARTAUER, Stefan , HOXHOLD, Björn
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/00 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/642 , H01L2933/005
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (10) angegeben, umfassend die Schritte:• A) Anordnen zumindest eines Halbleiterchips (2) an einem Träger (1), • B) Aufbringen eines elektrisch isolierenden Fotolacks (3) auf eine Oberseite (la) des Trägers (1) und auf den Halbleiterchip (2),• C) Aushärten des Fotolacks (3) mit einem Ausheizschritt, • D) Strukturieren des Fotolacks (3) durch Belichtung, • F) Entwicklung des Fotolacks (3), wobei der Fotolack (3) zumindest von einer Strahlungsdurchtrittsfläche (2b) des Halbleiterchips (2) entfernt wird, • G) weiteres Aushärten des Fotolacks (3) mit einem Ausheizschritt, und • H) Aufbringen einer elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) auf den Fotolack (3), wobei die elektrisch leitende Kontaktschicht (4) stellenweise einen Abstand (A) zu einer Randfläche (3a) des Fotolacks (3) aufweist, die dem Halbleiterchip (2) zugewandt ist, wobei die dem Halbleiterchip (2) zugewandte Randfläche (3a) stellenweise freiliegt.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件（10），包括以下步骤的方法：•A）定位的至少一个上的支架（1），•B）将半导体芯片（2）的电绝缘抗蚀剂（3）所述支撑件的上表面（Ia）的（1）和半导体芯片（2），•C）固化（3）的烘烤工序，•D）图案化所述光致抗蚀剂（3）曝光的光致抗蚀剂上，•F）显影光刻胶（3），所述光致抗蚀剂（3）至少由一个辐射穿透表面（2b）的半导体芯片（2）被除去，•G）进一步固化抗蚀剂（3）的烘烤工序，和•1H）施加导电接触层（4 ）（在光致抗蚀剂3），其中，在所述光致抗蚀剂的一个距离（a）（一个周表面3a）的地方，导电接触层（4）（3），面向所述半导体芯片（2），所述的哈在暴露的部位面向lbleiterchip（2）外周面（3a）。

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