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1. 发明申请

WO2007085218A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2007085218A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/DE2006/002293
申请日：2006-12-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FEHRER, Michael , STRAUSS, Uwe
发明人： FEHRER, Michael , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (3) umfasst und eine laterale Haupterstreckungsrichtung aufweist, angegeben, wobei die Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat (4) angeordnet ist, das eine Seitenfläche (17) aufweist, die Seitenfläche einen bezüglich der Haupterstreckungsrichtung angeschrägten Seitenflächenbereich (18) und/oder eine Ausnehmung (21) aufweist, und der Halbleiterchip eine strahlungsdurchlässige und elektrisch leitfähige Kontaktschicht (5) aufweist.
摘要翻译：它是具有半导体层序列（2）的光电子半导体芯片（1），包括适合于产生辐射有源区（3）和具有延伸部的横主方向上的容器中，所指出的，其中该半导体层序列被布置在基板（4）（一侧表面上 17），所述侧表面具有相对于所述锥形侧表面部分（18）和/或凹槽（21），和半导体芯片，辐射透射的主延伸方向和导电接触层（5）。

2. 发明申请

WO2011073027A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2011073027A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/068548
申请日：2010-11-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , FEHRER, Michael , SCHLENKER, Tilman , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , MÜLLER, Martin
发明人： LELL, Alfred , FEHRER, Michael , SCHLENKER, Tilman , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , MÜLLER, Martin
IPC分类号： H01L33/44 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L31/02019 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/186 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/24145 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01S5/02 , H01S5/028 , H01S5/20 , H01S2301/176 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das zumindest ein anorganisches optoelektronisch aktives Halbleiterbauelement (10) mit einem aktiven Bereich (3), der geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen, und auf zumindest einem Oberflächenbereich (7) ein mittels Atomlagenabscheidung aufgebrachtes Versiegelungsmaterial (6), das den Oberflächenbereich (7) hermetisch dicht bedeckt, aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括具有有源区（3），这是适合于在操作发射光或接收，并通过原子层沉积在至少一个表面区域（7）施加的密封材料的至少一个无机光电子有源半导体器件（10）（6）的表面区域（7）气密地覆盖了。此外，提供了用于制造光电子器件的方法。

3. 发明申请

WO2009155907A3 WÄRMEABFUHR FÜR EIN KONVERSIONSELEMENT UND ENTSPRECHENDES LEUCHTMITTEL 审中-公开
公开(公告)号：WO2009155907A3
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/DE2009/000883
申请日：2009-06-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUMANN, Frank , PETERSEN, Kirstin , TAUTZ, Sönke , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe
发明人： BAUMANN, Frank , PETERSEN, Kirstin , TAUTZ, Sönke , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Konversionselements (1) ist dieses mit einem lichtdurchlässigen Matrixmaterial (2) gestaltet, in dem Wärmeleitpartikel (4) und mindestens ein Konversionsmittel (3) eingebettet sind, wobei das Konversionsmittel (3) dazu ausgestaltet ist, Licht einer Wellenlänge zumindest zum Teil in Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Durch das Konversionsmittel (3) und/oder die Wärmeleitpartikel (4) sind Wärmeleitpfade P im Konversionselement (1) gebildet. Über solche, durch Wärmeleitpartikel (4) und Konversionsmittel (3) gebildete Wärmeleitpfade (P) kann Wärme aus dem Konversionselement (1) effizient abgeführt werden. Hierdurch erhöht sich die Konversionseffizienz des Konversionselements.

4. 发明申请

WO2009121315A3 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009121315A3
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/DE2009/000334
申请日：2009-03-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe
发明人： EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/22
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge umfasst, die einen zur Erzeugung von kohärenter Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (21) und eine Indikatorschicht (3) aufweist. Auf der dem aktiven Bereich abgewandten Seite einer den Halbleiterkörper (2) in vertikaler Richtung bereichsweise begrenzenden Grenzfläche (30) weist der Halbleiterkörper (2) einen stegartigen Bereich (4) auf, der sich in vertikaler Richtung zwischen der Grenzfläche (30) und einer Oberfläche (40) des Halbleiterkörpers (2) erstreckt. Die Indikatorschicht (3) weist eine Materialzusammensetzung auf, die von derjenigen des an die Indikatorschicht (3) angrenzenden Materials des stegartigen Bereichs (4) verschieden ist. Ein Abstand der Indikatorschicht (3) von der Oberfläche (40) ist höchstens so groß wie ein Abstand der Grenzfläche (30) von der Oberfläche (40). Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.

5. 发明申请

WO2008077380A1 LICHT EMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发光器件
公开(公告)号：WO2008077380A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/DE2007/002263
申请日：2007-12-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OTT, Hubert , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , STATH, Norbert
发明人： OTT, Hubert , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , STATH, Norbert
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G02B6/0003 , G02B6/001 , G02B6/03622 , G02B6/03638
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung schlägt eine Licht emittierende Vorrichtung vor, die eine Strahlungsquelle (5) zur Emission einer Strahlung (11) zumindest einer ersten Wellenlänge und einen elongierten gekrümmten Lichtleitkörper (20) umfasst, in den die von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung (11) eingekoppelt wird und der auf Grund der eingekoppelten Strahlung (11) erster Wellenlänge Licht (12) in einem Winkel zu seiner Längsachse auskoppelt.
摘要翻译：本发明的一个实施例提出一种发光装置，该装置包括一个辐射源（5），用于发射（11），其耦合由辐射源发射的辐射到其中的辐射（11）的至少第一波长和细长弯曲导光体（20）是与以一个角度其纵向轴线具有第一波长的光耦合输出（12）耦合的辐射（11）的基础上。

6. 发明申请

WO2012045685A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2012045685A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/EP2011/067160
申请日：2011-09-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , BREIDENASSEL, Andreas , DINI, Dimitri , STRAUSS, Uwe
发明人： LELL, Alfred , BREIDENASSEL, Andreas , DINI, Dimitri , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/40 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/10 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/026 , H01S5/0286 , H01S5/0425 , H01S5/1017 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/204 , H01S5/2202
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserangegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der zumindest zwei in Querrichtung (101) nebeneinander angeordnete Streifenemitter (10) umfasst, wobei jeder Streifenemitter (10) zumindest eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Zone (2) umfasst; - zumindest zwei Facetten (11) an den aktiven Zonen (2), die zumindest einen Resonator (33) für zumindest einen der Streifenemitter (10) bilden; - zumindest zwei in der Querrichtung (101) voneinander beabstandete Kontaktflächen (3), die auf einer Außenfläche (12) des Halbleiterkörpers (1) angebracht sind, wobei - jedem Streifenemitter (10) eine Kontaktfläche (3) eindeutig zugeordnet ist, - über die Kontaktflächen (3) während des Betriebs des Halbleiterlasers (100) Strom in zumindest einen der Streifenemitter (10) eingeprägt wird, und - zumindest zwei der Streifenemitter (10) getrennt voneinander elektrisch betreibbar sind.
摘要翻译：有一个边发射半导体激光器指示，具有 - 包括半导体主体（1），在横向方向上，所述至少两个（101）布置成通过侧条带发射极侧（10），每个带发射器（10）包括至少一个指定的用于将电磁辐射活性区的产生（2） ; - 至少两个刻面（11）上的有源区（2），形成至少一个用于带发射器中的至少一个（10）谐振器（33）; - 在横向方向的至少两个（101）间隔开，其安装在所述半导体主体（1），的外表面（12）的接触面（3） - 的接触面（3）被唯一地分配给每个条发射器（10）， - 在半导体激光器的发射器条带中的至少一个（10）（100）的电流的操作期间接触表面（3）是深刻的印象，以及 - 从所述条带发射极彼此电操作的至少两个（10）隔开。

7. 发明申请

WO2011141421A2 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2011141421A2
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/EP2011/057415
申请日：2011-05-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KÖNIG, Harald , STRAUSS, Uwe , REILL, Wolfgang
发明人： KÖNIG, Harald , STRAUSS, Uwe , REILL, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/042
CPC分类号： H01S5/30 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (1001) angegeben, mit: - einem Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone (5) umfasst; - zumindest zwei Facetten (7) an der aktiven Zone (5), die einen Resonator (55) bilden; - zumindest zwei in lateraler Richtung (100) voneinander durch zumindest einen Zwischenbereich (22) beabstandete Kontaktstellen (2), die auf einer Außenfläche (11) des Halbleiterkörpers (1) angebracht sind.
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器（1001），包括： - 半导体主体（1），包括适合于产生电磁辐射活性区中的装置（5）; - 至少两个刻面（7）〜（5）形成的谐振器（55）的有源区; - 在横向方向（100）通过至少一个中间部分彼此连接的至少两个（22）间隔开的接触点（2）设置在所述半导体主体（1）的外表面（11）。

8. 发明申请

WO2010105865A2 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2010105865A2
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010/050647
申请日：2010-01-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MÜLLER, Martin , STRAUSS, Uwe
发明人： MÜLLER, Martin , STRAUSS, Uwe
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S3/094096 , H01S3/0941 , H01S5/0425 , H01S5/1053 , H01S5/3095 , H01S5/4043 , H01S5/405 , H01S5/4087 , H01S5/423
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörper (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (3). Weiterhin weist der Halbleiterkörper (2) des Halbleiterbauteils (1) mindestens eine Barriereschicht (4) auf, wobei die Barriereschicht (4) direkt an die aktive Schicht (3) grenzt. Entlang einer Variationsrichtung oder einer Längsrichtung (L), senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) des Halbleiterkörpers (2), ist eine Materialzusammensetzung und/oder eine Schichtdicke der aktiven Schicht (3) und/oder der Barriereschicht (4) variiert. Durch die Variation der Materialzusammensetzung und/oder der Schichtdicke der aktiven Schicht (3) und/oder der Barriereschicht (4) ist eine Emissionswellenlänge (λ) einer in der aktiven Schicht (3) erzeugten Strahlung (R), ebenfalls entlang der Variationsrichtung oder entlang der Längsrichtung (L), eingestellt.
摘要翻译：在外延生长的半导体本体的光电子半导体器件（1）中的至少一个实施例中（2）具有至少一个有源层（3）。此外，半导体主体（2）的半导体元件（1）的至少一个阻挡层（4），其中所述阻挡层（4）相邻的有源层（3）。沿变化的方向或长度方向（L），垂直于所述半导体主体（2），材料组合物和/或活性层（3）和/或阻挡层（4）被改变的层厚度的生长方向（G）。通过改变材料的组成和/或活性层（3）和/或阻挡层的层厚度（4）是一种发射波长（λ）的辐射所产生的在所述有源层（3）（R），也沿着变化或沿的方向纵向方向（L），被设置。

9. 发明申请

WO2009082999A2 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERCHIP MIT EINEM STRUKTURIERTEN KONTAKTSTREIFEN 审中-公开
标题翻译：具有结构化接触条的边缘主导半导体激光芯片
公开(公告)号：WO2009082999A2
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/DE2008/002131
申请日：2008-12-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KOENIG, Harald , LAUER, Christian , BRICK, Peter , SCHMID, Wolfgang , FEHSE, Robin , STRAUSS, Uwe
发明人： KOENIG, Harald , LAUER, Christian , BRICK, Peter , SCHMID, Wolfgang , FEHSE, Robin , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/042
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0421 , H01S5/1053 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/2036 , H01S5/3095 , H01S5/4031 , H01S2301/206
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip angegeben, mit - einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird und - zumindest einem strukturierten Kontaktstreifen (2), der derart strukturiert ist, dass eine Ladungsträgerinjektion in die aktive Zone (14) zu einer Seite des Halbleiterlaserchips (1) hin abnimmt, an der sich eine Auskoppelfacette (3) des Halbleiterlaserchips (1) befindet.
摘要翻译：
本发明提供一种边发射的半导体激光器芯片，其具有 - 一个有源区（14），其中，所述半导体激光器芯片的操作过程中产生的（1）电磁辐射，和 - 至少一个图案化的接触带（2）中，构造成是在向半导体激光器芯片（1）的半导体激光器芯片（1）的去耦面（3）存在的一侧朝向有源区域（14）的电荷载流子注入减少，

10. 发明申请

WO2009006870A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：辐射发射半导体器件
公开(公告)号：WO2009006870A2
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/DE2008/001039
申请日：2008-06-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , PETER, Matthias , STRAUSS, Uwe
发明人： STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , PETER, Matthias , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/343 , H01S5/32 , H01S5/40
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit einer Kontaktschicht (3) und einer aktiven Zone (7) angegeben, wobei der Halbleiterkörper einen zwischen der Kontaktschicht und der aktiven Zone angeordneten Tunnelübergang (4) aufweist und die aktive Zone eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweist, die mindestens zwei aktive Schichten (71) enthält, die bei Einprägen eines Betriebsstroms in den Halbleiterkörper elektromagnetische Strahlung emittieren.
摘要翻译：
这是一个辐射Halbleiterk＆OUML;指定体与接触层（3）和有源区（7），其中，所述Halbleiterk＆OUML;主体上的设置在接触层和所述有源区的隧道导航用途过渡（4）之间并且所述有源区包括多量子阱结构，所述多量子阱结构包括至少两个有源层（71），所述至少两个有源层在暴露于所述半导体本体

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