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1. 发明申请

WO2006089540A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTISCHEN UND EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTES UND OPTISCHES SOWIE STRAHLUNSEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法产生的光辐射及发光元件光学及COMPONENT STRAHLUNSEMITTIERENDES
公开(公告)号：WO2006089540A2
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：PCT/DE2006/000361
申请日：2006-02-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , JÄGER, Harald , SORG, Jörg
发明人： BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , JÄGER, Harald , SORG, Jörg
IPC分类号： G02B1/04 , B29C45/00 , H01L33/00
CPC分类号： C08G59/4215 , B29C45/0001 , B29C45/02 , B29K2083/00 , B29K2105/0005 , B29L2011/00 , C08G59/3245 , C08G77/06 , C08G77/42 , C08G77/455 , C08L63/00 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/12044 , C08L2666/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelements mittels eines Molding-Prozesses und ein optisches sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement mit definierter Viskosität.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产光学和通过模制工艺来发射辐射的装置和光学以及一个辐射发射元件具有确定的粘度的方法。

2. 发明申请

WO2007025515A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：表面安装光电半导体器件与方法研究
公开(公告)号：WO2007025515A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/DE2006/001492
申请日：2006-08-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , HÖFER, Thomas , JÄGER, Harald , SCHWARZ, Raimund
发明人： BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , HÖFER, Thomas , JÄGER, Harald , SCHWARZ, Raimund
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L24/97 , H01L25/167 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/8592 , H01L2924/01055 , H01L2924/01065 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Es wird ein oberflächenmontierbares Bauelement, mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (1), einem Formkörper (2), der an den Halbleiterchip (1) angeformt ist, einer Montagefläche (3), die zumindest stellenweise durch eine Oberfläche des Formkörper (2) gebildet ist, und zumindest einer Anschlussstelle (4a, 4b), die lateral vom Formkörper (2) überragt wird oder bündig mit dem Formkörper (2) abschließt angegeben. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
摘要翻译：它是具有（1），其在半导体芯片上形成的成形体（2）（1），其至少部分地由所述成形体的表面的地方（2）形成的安装表面（3），光电子半导体芯片的表面安装设备，和至少一个连接点（4A，4B）终止指定的横向从模具主体（2）占主导或齐平与模制主体（2）。此外，提供一种用于制造这种部件的方法。

3. 发明申请

WO2005030904A1 GRÜN EMITTIERENDE LED 审中-公开
标题翻译：绿色发光LED
公开(公告)号：WO2005030904A1
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：PCT/DE2004/002136
申请日：2004-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PATENT-TREUHAND- GESELLSCHAFT FÜR ELEKTRISCHE GLÜHLAMPEN MBH , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUNNER, Herbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin , BRAUNE, Bert
发明人： BRUNNER, Herbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin , BRAUNE, Bert
IPC分类号： C09K11/79
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Leuchtstoff aus der Klasse der Oxinitridosilikate, mit einem Kation M, das mit zweiwertigem Europium dotiert ist, und mit der grundsätzlichen Formel M (1-c) Si 2 O 2 N 2 :D c , wobei M = Sr, oder M = Sr (1-x-y) Ba y Ca x mit x+y
摘要翻译： DC，其中M = Sr或M =锶（1-XY）与BayCax：类oxynitridosilicates，具有阳离子M，其掺杂有二价铕和具有经验式M（1-c）的Si2O2N2的荧光体 x + y为使用<0.5，其中，所述完全oxynitridosilicate或主要的高温稳定变HT组成。

4. 发明申请

WO2010034278A1 OPTOELEKTRONISCHES MODUL MIT EINEM TRÄGERSUBSTRAT UND EINER MEHRZAHL VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：随着对载体基片和辐射发光半导体组件编号和方法亚光电子模块
公开(公告)号：WO2010034278A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/DE2009/001217
申请日：2009-08-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , SORG, Jörg Erich , WEIDNER, Karl , WEGLEITER, Walter , WUTZ, Oliver
发明人： BRAUNE, Bert , SORG, Jörg Erich , WEIDNER, Karl , WEGLEITER, Walter , WUTZ, Oliver
IPC分类号： H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0753 , H01L2224/24105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
摘要： Es ist ein optoelektronisches Modul angegeben, das ein Trägersubstrat (1) und eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen (2) aufweist. Das Trägersubstrat (1) weist strukturierte Leiterbahnen auf. Die strahlungsemittierenden Halbleiterbauelemente (2) weisen jeweils eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (2a), eine erste Kontaktfläche (21) und eine zweite Kontaktfläche (22) auf, wobei die erste Kontaktfläche (21) jeweils auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Seite der strahlungsemittierenden Halbleiterbauelemente (2) angeordnet ist. Die strahlungsemittierenden Halbleiterbauelemente (2) sind mit einer elektrisch isolierenden Schicht (4) versehen, die jeweils eine Aussparung in einem Bereich der ersten Kontaktfläche (21) aufweist. Auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) sind bereichsweise Leitstrukturen (8) angeordnet. Eine der Leitstrukturen (8) verbindet zumindest die erste Kontaktfläche (21) eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2) mit einer weiteren ersten Kontaktfläche (21) eines weiteren strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2) oder mit einer Leiterbahn des Trägersubstrats (1) elektrisch leitend. Ferner ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Moduls angegeben.
摘要翻译：指示包含载体基板（1）和多个发射辐射的半导体器件（2）的光电子模块。所述载体基片（1）具有结构化的导体轨迹。发射辐射的半导体部件（2）的每一个包括适合于产生电磁辐射活性层（2a）中，第一接触表面（21）和第二接触表面（22），一个装置，其中所述第一接触表面（21）上的每一个（在支撑基板的 1）面朝由式（2）布置在所述发射辐射的半导体部件的路程。发射辐射的半导体部件（2）设置有（4），每个具有在所述第一接触表面（21）的一部分的凹部的电绝缘层。在电绝缘层（4）的区域，铅的结构（8）被布置。酮（8）连接，至少所述第一接触表面（21）发射辐射的半导体部件（2）与另外的发射辐射的半导体部件的另一个第一接触表面（21）的引线结构的（2）或与载体衬底的导体轨道（1）是导电的。此外，被指定制造这种模块的方法。

5. 发明申请

WO2012004202A1 BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译： COMPONENT和方法的用于制造部件
公开(公告)号：WO2012004202A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/061133
申请日：2011-07-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RAMCHEN, Johann , SORG, Jörg Erich , JEREBIC, Simon , BRAUNE, Bert
发明人： RAMCHEN, Johann , SORG, Jörg Erich , JEREBIC, Simon , BRAUNE, Bert
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/56 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/52 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83951 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Es wird ein Bauelement (1) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) angegeben, der mit einer Verbindungsschicht (3) auf einem Anschlussträger (4) befestigt ist und in eine Umhüllung (5) eingebettet ist, wobei zwischen der Verbindungsschicht (3) und der Umhüllung (5) zumindest bereichsweise eine Entkopplungsschicht (6) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben.
摘要翻译：公开了一种设备（1）的光电子半导体芯片（2），其上固定有连接载体（4）上的接合层（3）和嵌入在护套（5），所述粘结层（3）和所述间包装（5）的区域，一个去耦层（6）被布置在至少。此外，被指定用于制造器件的方法。

6. 发明申请

WO2007025516A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2007025516A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/DE2006/001493
申请日：2006-08-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , PETERSEN, Kirstin , STRAUSS, Jörg
发明人： BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , PETERSEN, Kirstin , STRAUSS, Jörg
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement beschrieben, das einen Halbleiterkörper (3), der im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge emittiert, und ein separaten optischen Element (9), das dem Halbleiterkörper (3) in dessen Abstrahlrichtung beabstandet nachgeordnet ist, umfasst. Das optische Element (9) weist mindestens einen ersten Wellenlängenkonversionsstoff (10) auf, der Strahlung der ersten Wellenlänge in Strahlung einer von der ersten verschiedenen zweiten Wellenlänge umwandelt.
摘要翻译：这是描述的光电装置，具有半导体主体（3），其发射第一波长的电磁辐射在所述光电部件的操作，这是半导体本体的下游的单独的光学元件（9）（3）间隔开在辐射包括的方向，的光学元件（9）具有至少一个第一波长转换物质（10），所述第一波长的辐射转换成第二波长不同于所述第一辐射。

7. 发明申请

WO2004093203A2 LEUCHTSTOFFBASIERTE LED UND ZUGEHÖRIGER LEUCHTSTOFF 审中-公开
标题翻译：荧光灯为主及相关LED日光灯
公开(公告)号：WO2004093203A2
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/DE2004/000722
申请日：2004-04-06
申请人： PATENT-TREUHAND-GESELL SCHAFT FÜR ELEKTRISCHE GLÜHLAMPEN MBH , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
发明人： BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/502 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Eine LED mit anorganischem Leuchtstoff, wobei ein LED-Chip primäre Strahlung im Bereich 300 bis 470 nm emittiert, wobei diese Strahlung teilweise oder vollständig in längerwellige Strahlung konvertiert wird durch mindestens einen Leuchtstoff, der der primären Strahlung der LED ausgesetzt ist, wobei die Konversion zumindest unter Zuhilfenahme eines Leuchtstoffs, dessen mittlere Partikelgröße d50 im Bereich 1 bis 50 nm, bevorzugt 2 bis 25 nm, liegt, erreicht wird.
摘要翻译：与无机磷光体，其中LED芯片的范围内发射的初级辐射300至470nm，该辐射被部分或完全转换成更长波长的辐射通过被暴露于LED的初级辐射的至少一个磷光体，其中所述转化的LED至少与具有平均粒度d50的荧光体的帮助下在范围为1〜50nm，优选2至25nm，位于，得以实现。

8. 发明申请

WO2004040661A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LEUCHTDIODEN-LICHTQUELLE MIT LUMINESZENZ-KONVERSIONSELEMENT 审中-公开
标题翻译：利用发光转换元件产生照明光源的方法
公开(公告)号：WO2004040661A2
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003493
申请日：2003-10-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert
发明人： BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/38 , H01L2224/11 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Herstellen einer insbesondere mischfarbigen Leuchtdioden-Lichtquelle, bei der mindestens ein Teil einer von einem Chip ausgesandten Primärstrahlung mittels Lumineszenzkonversion umgewandelt wird. Es handelt sich hierbei um einen Chip mit einem vorderseitigen (d.h. die Seite, die zur Abstrahlrichtung hingewandt ist) elektrischen Kontakt, auf dessen Oberfläche ein Lumineszenz-Konversionsmaterial in Form einer dünnen Schicht aufgetragen wird. Dazu wird der vorderseitige elektrische Kontakt vor dem Beschichten durch Aufbringen eines elektrisch leitenden Materials auf die elektrische Kontaktfläche erhöht. Das Verfahren erlaubt durch Kontrolle des Farbortes (IEC Farbtafel) und Abdünnen der Schicht aus Lumineszenz-Konversionsmaterial ein gezieltes Einstellen eines bestimmten Farbortes. Zudem eignet sich das Verfahren insbesondere zur gleichzeitigen Herstellung mehrerer Leuchtdioden-Lichtquellen aus einer Vielzahl gleichartiger Chips in einem Waferverbund.
摘要翻译：本发明描述了一种用于制造特别是混合色的发光二极管光源的方法，其中芯片发射的初级辐射的至少一部分通过发光转换而被转换。这是一种具有前电接触（即，面向辐射方向的一侧）的芯片，其表面上沉积有薄层形式的发光转换材料。为此，在涂覆之前通过将导电材料施加到电接触表面来获得正面电接触。通过控制颜色位置（IEC颜色图表）并终止发光转换材料层，该方法允许针对性地设置特定的颜色位置。另外，该方法特别适用于同时从晶片组件中的多个类似芯片生产多个发光二极管光源。

9. 发明申请

WO2012038164A1 ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：电子元件
公开(公告)号：WO2012038164A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/EP2011/064296
申请日：2011-08-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RAMCHEN, Johann , KEITH, Christina , BRAUNE, Bert
发明人： RAMCHEN, Johann , KEITH, Christina , BRAUNE, Bert
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/641 , H01L31/0203 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/73265 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein elektronisches Bauelement mit einem Gehäusekörper (1) angegeben, der einen Halbleiterchip (3) in einer Vertiefung (10) aufweist, wobei der Halbleiterchip (3) in der Vertiefung in einen Verguss (6) aus einem ersten Kunststoffmaterial mit einer ersten Glasübergangstemperatur eingebettet ist, über der Vertiefung (10) ein Abdeckelement (8) aus einem zweiten Kunststoffmaterial mit einer zweiten Glasübergangstemperatur angeordnet ist und die zweite Glasübergangstemperatur kleiner als die erste Glasübergangstemperatur ist.
摘要翻译：提供了一种电子部件与（1），具有在凹部（10），半导体芯片（3）的外壳体，其中所述半导体芯片（3）在封装的凹部（6）由具有第一玻璃化转变温度的第一塑料材料的被嵌入在所述凹槽（10），由第二塑料材料制成的盖（8）被布置具有第二玻璃化转变温度和第二玻璃化转变温度小于所述第一玻璃化转变温度。

10. 发明申请

WO2004068594A1 ELEKTROMAGNETISCHE STRAHLUNG AUSSENDENDES UND/ODER EMPFANGENDES HALBLEITER-BAUELEMENT UND GEHÄUSE-GRUNDKÖRPER FÜR EIN DERARTIGES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：电磁辐射发射和/或接收半导体部件和壳体基本体这种部件
公开(公告)号：WO2004068594A1
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/DE2004/000136
申请日：2004-01-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ARNDT, Karlheinz , BOGNER, Georg , BRAUNE, Bert , WAITL, Günter
发明人： ARNDT, Karlheinz , BOGNER, Georg , BRAUNE, Bert , WAITL, Günter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement mit mindestens einem Strahlung aussendenden und/oder empfangenden Halbleiterchip (1), der in einer Ausnehmung (2) eines Gehäuse-Grundkörpers (3) angeordnet ist und dort mit einer Umhüllungsmasse (4) eingekapselt ist, die für eine vom Halbleiterchip (1) ausgesandte und/oder empfangene elektromagnetische Strahlung gut durchlässig ist. Gemäß der Erfindung weist die Ausnehmung (2) eine Chipwanne (21), in der der Halbleiterchip (1) befestigt ist, und einen die Chipwanne (21) innerhalb der Ausnehmung (2) zumindest teilweise umlaufenden Graben (22) auf, derart, dass zwischen der Chipwanne (21) und dem Graben (22) der Gehäuse-Grundkörper (3) einen Wall (23) aufweist, deren Scheitel gesehen von einer Bodenfläche der Chipwanne (21) unterhalb des Niveaus derjenigen Oberfläche des Gehäuse-Grundkörpers (3) liegt, von der aus die Ausnehmung (2) in den Gehäuse-Grundkörper (3) führt, und die Umhüllungsmasse (4) von der Chipwanne (21) aus über den Wall in den Graben (22) greift. Die Erfindung betrifft weiterhin einen entsprechenden Gehäuse-Grundkörper.
摘要翻译：本发明涉及一种发射辐射的和/或接收的半导体装置发射至少一个辐射和/或接收半导体芯片（1），其被布置在凹部（2）的壳体基体（3），并有具有壳体材料（4 ）包封，所发射的一个（由半导体芯片1）和/或接收的电磁辐射是非常可渗透的。根据本发明，所述凹部（2）的芯片托盘（21）是固定的，其中半导体芯片（1），并且在凹部内的芯片槽（21），（2）至少部分地围绕沟槽（22），使得芯片托盘（21）和所述外壳基体的沟槽（22）（3）之间的壁（23），其从下方的壳体基体的该表面的水平芯片托盘（21）的底表面观察顶点（3）是导致从该凹口（2）在壳体基体（3），和壳体材料（4）在所述沟槽上方的壁芯片托盘（21）的（22）接合。本发明还涉及一种相应的壳体基体上。

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