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1. 发明申请

WO2007036214A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射光电组件
公开(公告)号：WO2007036214A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/DE2006/001701
申请日：2006-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISERT, Dominik , LINDER, Norbert , OBERSCHMID, Raimund , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
发明人： EISERT, Dominik , LINDER, Norbert , OBERSCHMID, Raimund , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine aktive Halbleiterschichtenfolge (2) umfasst offenbart, die geeignet ist, elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge zu erzeugen, die von einer Vorderseite (3) des Halbleiterkörpers (1) emittiert wird. Weiterhin umfasst das Bauelement einen dem Halbleiterkörper (1) in dessen Abstrahlrichtung nachgeordneten ersten Wellenlängenkonversionsstoff (6), der Strahlung der ersten Wellenlänge in Strahlung einer von der ersten Wellenlänge verschiedenen zweiten Wellenlänge umwandelt und eine erste selektiv reflektierende Schicht (8) zwischen der aktiven Halbleiterschichtenfolge (2) und dem ersten Wellenlängenkonversionsstoff (6), die Strahlung der zweiten Wellenlänge selektiv reflektiert und für Strahlung der ersten Wellenlänge durchlässig ist.
摘要翻译：它与一个半导体本体（1），光电装置的公开包括有源半导体层序列（2），其适合于从正面侧产生第一波长的电磁辐射（3）的半导体主体（1）被发射。此外，该装置包括一个半导体主体（1）在所述第一波长转换材料的下游的辐射方向（6），所述第一波长成与所述第一波长不同的方向上的辐射的辐射，第二波长转换，并且第一选择性反射层（8）在有源半导体层序列之间（ 2）与第一波长转换材料（6），选择性地反射第二波长的辐射是透明的第一波长的辐射。

2. 发明申请

WO2007051499A1 STRUCTURED LUMINESCENCE CONVERSION LAYER 审中-公开
标题翻译：结构转换层
公开(公告)号：WO2007051499A1
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：PCT/EP2006/004777
申请日：2006-05-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERBEN, Dirk , HOMER, Antoniadis , JERMANN, Frank , KRUMMACHER, Benjamin , VON MALM, Norwin , ZACHAU, Martin
发明人： BERBEN, Dirk , HOMER, Antoniadis , JERMANN, Frank , KRUMMACHER, Benjamin , VON MALM, Norwin , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/50
CPC分类号： H05B33/22 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/322 , H01L33/508 , H01L51/5036 , H01L51/5262 , H01L2251/5369 , H05B33/14 , H05B33/28
摘要： An apparatus device such as a light source is disclosed which has an OLED device and a structured luminescence conversion layer deposited on the substrate or transparent electrode of said OLED device and on the exterior of said OLED device. The structured luminescence conversion layer contains regions such as color-changing and non-color-changing regions with particular shapes arranged in a particular pattern.
摘要翻译：公开了诸如光源的装置装置，其具有沉积在所述OLED装置的衬底或透明电极上以及所述OLED器件的外部上的OLED器件和结构化的发光转换层。结构化发光转换层包含具有以特定图案排列的特定形状的变色区域和非变色区域。

3. 发明申请

WO2013041629A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR FARBORTSTEUERUNG EINES VON EINEM LICHT EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENT ABGESTRAHLTEN LICHTS 审中-公开
标题翻译：的方法和装置，用于从发光半导体器件发射的光的光的颜色本地控制
公开(公告)号：WO2013041629A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/EP2012/068554
申请日：2012-09-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERBEN, Dirk
发明人： BERBEN, Dirk
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B33/0857 , H05B33/0869
摘要： Es wird ein Verfahren zur Farbortsteuerung eines von einem Licht emittierenden Halbleiterbauelement (1) abgestrahlten Lichts (10) angeben, wobeidas Licht emittierende Halbleiterbauelement (1) einen ein Primärlicht (11) emittierenden Halbleiterchip (2) und zumindest einen dem Halbleiterchip (2) nachgeordneten Wellenlängenkonversionsstoff (3) aufweist,der einen Teil des Primärlichts (11) in davon verschiedenes Sekundärlicht (12) umwandelt, so dass das Licht emittierende Halbleiterbauelement (1) Licht (10) aufweisend einen unkonvertierten Teils des Primärlichts (11) und das Sekundärlicht (12) abstrahlt, der Wellenlängenkonversionsstoff (3) eine intensitätsabhängige Konversionseffizienz aufweist,das Halbleiterbauelement (1) mittels Pulsweitenmodulation mit einem Betriebsstrom I und einem Tastverhältnis T betrieben wird, wobei I und T eingestellt werden in Abhängigkeit von einem gewünschten Farbort des abgestrahlten Lichts (10) und einer vorgegebenen mittleren Intensität des Primärlichts (11) oder in Abhängigkeit von einem gewünschten Farbort des abgestrahlten Lichts (10) und einer vorgegebenen mittleren Helligkeit des vom Licht emittierenden Halbleiterbauelement (1) abgestrahlten Lichts (10). Weiterhin wird eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens angegeben.
摘要翻译：它是指定用于从光半导体装置发出的光的颜色局部控制的方法（1）发出的光（10），其中，所述发光半导体装置（1）发射的初级光（11），半导体芯片（2）和至少一个半导体芯片（2）下游的波长转换材料（3），其将初级光（11）的部分，其中不同的次级光（12），从而包括主光的未转化的部分（11）和所述次级光的发光半导体器件（1）的光（10）（12）辐射，所述波长转换材料（3）具有一个强度相关的转换效率，在操作半导体装置（1）通过与工作电流I和占空周期T的脉冲宽度调制的装置，其中I和T取决于辐射的光（10）的所期望的色点调整和镨的预定的平均强度 imärlichts（11）或者响应于辐射的光（10）和从所述半导体部件（1）发出的光（10）发射的光的预定中间亮度的期望的色点。此外，提供了用于执行该方法的装置。

4. 发明申请

WO2010017831A1 KONVERSIONS LED 审中-公开
标题翻译：转换型LED
公开(公告)号：WO2010017831A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：PCT/EP2008/060515
申请日：2008-08-11
申请人： OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERBEN, Dirk , EISERT, Dominik
发明人： BERBEN, Dirk , EISERT, Dominik
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/504 , H01L33/58
摘要： Die neuartige Konversions-LED (1) hat auf einem Chip (2) eine erste Schicht (5), die einen ersten Leuchtstoff (6) enthält und die aus Vergussmasse besteht. Darauf ist eine zweite Schicht (10) angeordnet, die aus einem Festkörper besteht und einen zweiten Leuchtstoff enthält. Der erste Leuchtstoff (6) emittiert längerwellig als der zweite Leuchtstoff. Die erste Schicht (5) weist Abstandshalter (8) auf, die die Schichtdicke der ersten Schicht (5) bestimmt.
摘要翻译：新颖的变换的芯片（2）上的LED（1）包括：（5）具有第一荧光体（6）和由浇铸化合物的第一层。然后，第二层（10）布置，其由固体本体的和包含第二磷光体。第一磷光体（6）发射波长比所述第二荧光物质的波长更长。所述第一层（5）具有间隔件（8），其确定所述第一层的层厚度（5）。

5. 发明申请

WO2009039803A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2009039803A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001292
申请日：2008-08-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHINDLER, Florian , KRUMMACHER, Benjamin Claus , VON MALM, Norwin , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
发明人： SCHINDLER, Florian , KRUMMACHER, Benjamin Claus , VON MALM, Norwin , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5265 , H01L27/322
摘要： Ein optoelektronisches Bauteil umfasst eine organische Schichtenfolge (1), die im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung (15) mit einem ersten Wellenlängenspektrum abstrahlt sowie eine dielektrische Schichtenfolge (2) und einen Wellenlängenkonversionsbereich (3) im Strahlengang der von der organischen Schichtenfolge (1) abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung (15). Der Wellenlängenkonversionsbereich (3) ist eingerichtet, zumindest teilweise elektromagnetische Strahlung mit dem ersten Wellenlängenspektrum in eine elektromagnetische Strahlung (16) mit einem zweiten Wellenlängenspektrum umzuwandeln. Die dielektrische Schichtenfolge (2) ist im Strahlengang der von der organischen Schichtenfolge abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung (15) zwischen der organischen Schichtenfolge (1) und dem Wellenlängenkonversionsbereich (3) angeordnet und für eine elektromagnetische Strahlung mit einem dritten Wellenlängenspektrum, das zumindest einem Teil des zweiten Wellenlängenspektrums entspricht, wenigstens teilweise undurchlässig.
摘要翻译：一种光电子器件，包括：发射具有在操作的第一波长光谱和介电层序列的电磁辐射（15）的有机层序列（1）（2）和波长变换部分（3）在有机层序列（1）的辐射的电磁的光束路径辐射（15）。波长转换部分（3）被布置，至少部分地，具有波长为电磁辐射（16）的第一频谱的电磁辐射到波长的第二光谱。该介电层序列（2）被设置在由有机层序列发射的有机层序列（1）和波长转换部分（3）和用于电磁辐射具有第三波长光谱的电磁辐射（15）的光的光束路径中的至少所述第二部分波长光谱对应于至少部分地不可渗透的。

6. 发明申请

WO2007134582A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINEM WELLENLÄNGENKONVERSIONSSTOFF SOWIE OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM SOLCHEN HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：具有波长转换材料与光电子半导体器件具有这样的半导体芯片和方法光电子半导体芯片用于制造光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2007134582A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/DE2007/000898
申请日：2007-05-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank
发明人： BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/508 , H01L33/56 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Halbeiterchip offenbart mit: einem Halbleiterkörper (1), der eine Halbleiterschichtenfolge umfasst, die geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereiches von seiner Vorderseite (2) zu emittieren, einer ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht (6) auf zumindest einem ersten Teilbereich (5) der Vorderseite (2) des Halbleiterkörpers (1) mit einem ersten Wellenlängenkonversionsstoff (7), der Strahlung des ersten Wellenlängenbereiches in Strahlung eines vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen, zweiten Wellenlängenbereich umwandelt, wobei mindestens ein zweiter Teilbereich (8) der Vorderseite (2) frei von der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht (S) ist. Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem solchen Halbleiterkörper beschrieben sowie ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips.
摘要翻译：本发明提供一种半导体芯片中公开，包括：半导体主体（1），包括适合于发射第一波长范围的电磁辐射从所述前侧（6）（至少在第一部分5（2），第一波长转换层的半导体层序列）前的（2）的半导体主体（1），具有第一波长转换材料（7），所述第一波长范围的辐射进入不同的辐射，其次从所述第一波长范围的波长范围转换，其中，至少一个第二部分区域（8）的前部（2）自由是从所述第一波长转换层（S）。此外，光电子器件将与这样的半导体主体和半导体芯片的制造方法进行说明。

7. 发明授权

EP2193561B1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 有权
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：EP2193561B1
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：EP08801126.7
申请日：2008-08-06
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： SCHINDLER, Florian , KRUMMACHER, Benjamin Claus , VON MALM, Norwin , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5265 , H01L27/322

8. 发明公开

EP1955376A1 STRUCTURED LUMINESCENCE CONVERSION LAYER 有权转让
标题翻译：结构化发光转换层
公开(公告)号：EP1955376A1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：EP06742991.0
申请日：2006-05-19
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： BERBEN, Dirk , HOMER, Antoniadis , JERMANN, Frank , KRUMMACHER, Benjamin , VON MALM, Norwin , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/50
CPC分类号： H05B33/22 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/322 , H01L33/508 , H01L51/5036 , H01L51/5262 , H01L2251/5369 , H05B33/14 , H05B33/28
摘要： An apparatus device such as a light source is disclosed which has an OLED device and a structured luminescence conversion layer deposited on the substrate or transparent electrode of said OLED device and on the exterior of said OLED device. The structured luminescence conversion layer contains regions such as color-changing and non-color-changing regions with particular shapes arranged in a particular pattern.

9. 发明授权

EP2195863B1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 有权转让
公开(公告)号：EP2195863B1
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：EP08787081.2
申请日：2008-08-11
申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh
发明人： BERBEN, Dirk , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014

10. 发明授权

EP2311104B1 KONVERSIONS-LED 失效转让
公开(公告)号：EP2311104B1
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：EP08875141.7
申请日：2008-08-11
申请人： OSRAM GmbH , OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： BERBEN, Dirk , EISERT, Dominik
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/504 , H01L33/58

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