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1. 发明专利

DE10329398B4 Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 未知
公开(公告)号：DE10329398B4
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：DE10329398
申请日：2003-06-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STEIN WILHELM DR , ZOELFL MICHAEL DR , WIRTH RALPH DR
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/40
摘要： Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3), die mindestens eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht (2) umfaßt, und mit einer elektrischen Kontaktschicht (7), die einen Anschlußbereich (4) und einen in einem Abstand neben dem Anschlußbereich (4) angeordneten und mit diesem elektrisch verbundenen Strominjektionsbereich (5) umfaßt, wobei zwischen dem Anschlußbereich (4) und dem Strominjektionsbereich (5) und/oder gesehen vom Anschlußbereich (4) außerhalb des Strominjektionsbereiches (5) auf einer vorderseitigen Strahlungsauskoppelfläche (10) der Halbleiterschichtenfolge (3) eine Helligkeitseinstellschicht (12) aufgebracht ist, die gezielt einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge (3) erzeugten Strahlung absorbiert, und unter dem Anschlußbereich (4) ein Stromdurchlaßbereich (61) angeordnet ist, der von einem Stromsperrbereich (62) ringartig umschlossen ist, wobei der Anschlußbereich (4) über den Stromdurchlaßbereich (61) mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist, derart, daß im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Teil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung unter dem Anschlußbereich (4) erzeugt und von diesem absorbiert wird.

2. 发明专利

DE102004004780B9 Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich und Bauelement mit einem elektrischen Kontaktbereich 未知
公开(公告)号：DE102004004780B9
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：DE102004004780
申请日：2004-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ILLEK STEFAN DR , PLÖSSL ANDREAS DR , STAUSS PETER DR , DIEPOLD GUDRUN , PIETZONKA INES DR , STEIN WILHELM DR , WIRTH RALPH DR , WEGLEITER WALTER
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/00 , H01L33/30
摘要： Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich (2) das mindestens folgende Schritte aufweist:- Bereitstellen einer epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (8) auf einem Substrat, die eine n-leitende AlGaInP- oder AlGaInAs-basierte Außenschicht (7) und eine elektromagnetische Strahlung emittierende aktive Zone umfasst, wobei die Außenschicht (7) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (8) zugewandten Seite des Substrats angeordnet ist und zumindest teilweise Al und Ga in einem Verhältnis a:(1-a), mit 0,4 ≤ a ≤ 1 aufweist;- Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, auf die Außenschicht (7), wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält;- Tempern der Außenschicht (7).

3. 发明专利

DE10346606B4 Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE10346606B4
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：DE10346606
申请日：2003-10-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STEIN WILHELM DR
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/26 , H01S5/323
摘要： Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper, aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone (6), eine n-leitende Seite und eine p-leitende Seite, wobei – auf der n-leitenden Seite des Halbleiterkörpers mindestens eine Stromaufweitungsschicht (9) angeordnet ist, die elektrisch leitend ist, mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist und für die erzeugte Strahlung durchlässig ist, – die Stromaufweitungsschicht (9) SnO enthält, das bezüglich der n-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) ein Donator ist, – auf der p-leitenden Seite des Halbleiterkörpers mindestens eine weitere Stromaufweitungsschicht angeordnet ist, die elektrisch leitend ist und mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist, und – die weitere Stromaufweitungsschicht ZnO enthält, das bezüglich der p-leitenden Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) ein Akzeptor ist.

4. 发明专利

DE102004004780B4 Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich und Bauelement mit einem elektrischen Kontaktbereich 未知
公开(公告)号：DE102004004780B4
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：DE102004004780
申请日：2004-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ILLEK STEFAN DR , PLÖSSL ANDREAS DR , STAUSS PETER DR , DIEPOLD GUDRUN , PIETZONKA INES DR , STEIN WILHELM DR , WIRTH RALPH DR , WEGLEITER WALTER
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/00 , H01L33/30
摘要： Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich (2), das mindestens folgende Schritte aufweist:- Bereitstellen einer epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (8) auf einem Substrat, die eine n-leitende AlGaInP- oder AlGaInAs-basierte Außenschicht (7) und eine elektromagnetische Strahlung emittierende aktive Zone umfasst, wobei die Außenschicht (7) auf einer der Halbleiterschichtenfolge (8) zugewandten Seite des Substrats angeordnet ist und zumindest teilweise Al und Ga in einem Verhältnis a:(1-a), mit 0,4 ≤ a ≤ 1 aufweist;- Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, auf die Außenschicht (7) wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält;- Tempern der Außenschicht (7)

5. 发明专利

DE10350707B4 Elektrischer Kontakt für optoelektronischen Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE10350707B4
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：DE10350707
申请日：2003-10-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STEIN WILHELM DR , FEHRER MICHAEL DR , BAUR JOHANNES DR , WINTER MATTHIAS , PLOESL ANDREAS DR , KAISER STEPHAN DR , HAHN BERTHOLD DR , EBERHARD FRANZ
IPC分类号： H01L33/62 , H01L31/0224 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/02 , H01S5/323
摘要： Elektrischer Kontakt eines optoelektronischen Halbleiterchips (1), der folgende Schichten in der genannten Reihenfolge enthält: – eine Spiegelschicht (2) aus einem Metall oder einer Metallegierung, – eine Schutzschicht (3) zur Verringerung der Korrosion der Spiegelschicht (2), – eine Barrierenschicht (4), – eine Haftvermittlungsschicht (5), und – eine Lotschicht (8), wobei zwischen der Haftvermittlungsschicht (5) und der Lotschicht (8) eine Benetzungsschicht (6) angeordnet ist, die Platin enthält.

6. 发明专利

DE102004026231B4 Verfahren zur Herstellung eines Bereichs mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer Halbleiterschicht und optoelektronisches Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE102004026231B4
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：DE102004026231
申请日：2004-05-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ILLEK STEFAN DR , STEIN WILHELM DR , WIRTH RALPH DR , WALTER ROBERT
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/42 , H01L21/20 , H01L21/24 , H01L21/363 , H01L21/76 , H01L33/00 , H01S5/042 , H01S5/06
摘要： Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht (3), dadurch gekennzeichnet, dass auf einen ersten Bereich (8) der Halbleiterschicht (3) eine erste ZnO-Schicht (1) und auf einen zweiten Bereich der Halbleiterschicht (3) eine zweite ZnO-Schicht (6) aufgebracht und anschließend getempert wird, wobei die Abscheidtemperatur der zweiten ZnO-Schicht (6) gegenüber der Abscheidtemperatur der ersten ZnO-Schicht (1) derart erhöht ist, dass bei dem Tempern die Leitfähigkeit des zweiten Bereichs der Halbleiterschicht (3) zumindest weniger reduziert wird als die Leitfähigkeit des ersten Bereichs der Halbleiterschicht (3).

7. 发明专利

DE10308322B4 Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich 未知
公开(公告)号：DE10308322B4
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：DE10308322
申请日：2003-02-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PLÖSSL ANDREAS DR , ILLEK STEFAN DR , STAUSS PETER DR , WEGLEITER WALTER , WIRTH RALPH DR , STEIN WILHELM DR , PIETZONKA INES DR , DIEPOLD GUDRUN
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/283 , H01L33/30 , H01L33/40
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschichtenfolge für eine Leuchtdiode mit einer n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht und einem elektrischen Kontaktbereich auf der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, mit den Schritten: – Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat, beginnend mit der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, – Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Trägersubstrat mit der vom Aufwachssubstrat abgewandten Vorderseite der Halbleiterschichtenfolge, wobei eine Lotschicht zwischen dem Trägersubstrat und der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird, – anschließendes Freilegen der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht durch zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrates sowie etwaiger Zwischenschichten zwischen dem Aufwachssubstrat und der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge, – Aufbringen einer Schicht unmittelbar auf die freigelegte n-leitende AlGaInP-basierte Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist und die eine Dicke zwischen 1 nm und 20 nm aufweist, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind, – Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, unmittelbar auf die Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist, wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält, – Aufbringen eines elektrischen Rückseitenkontakts auf der von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge abgewandten Oberfläche des Trägersubstrats, – nachfolgendes Tempern der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, des elektrischen Kontaktmaterials, der Schicht, mit der das elektrische Kontaktmaterial unterlegt ist, und des Rückseitenkontakts bei einer Temperatur, bei der die Lotschicht im Wesentlichen nicht aufschmilzt, wobei das elektrische Kontaktmaterial und der Rückseitenkontakt gleichzeitig getempert werden.

8. 发明专利

DE10261675B4 Optoelektronisches Bauelement mit strahlungsdurchlässiger elektrischer Kontaktschicht 未知
公开(公告)号：DE10261675B4
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：DE10261675
申请日：2002-12-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STEIN WILHELM DR , WIRTH RALPH DR , ALBRECHT TONY
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/40
摘要： Optoelektronisches Bauelement mit, – einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, die eine elektromagnetische Strahlung emittierende aktive Zone aufweist, – mindestens einem elektrischen Kontaktbereich, der mindestens eine strahlungsdurchlässige, ZnO enthaltende elektrische Kontaktschicht aufweist, die mit einer äußeren Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist, – einem Bondpad (9), das unmittelbar auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist, und – einem auf sämtliche freie Flächen der Kontaktschicht aufgebrachten wasserdichten Material, wobei die Dicke des wasserdichten Materials 50 bis 200 nm, einschließlich der Grenzen beträgt, wobei das Bondpad (9) ein Metall aufweist und einen Schottky-Kontakt zur Halbleiterschichtenfolge ausbildet.

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