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    • 3. 发明专利
    • Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement
    • DE10148227B4
    • 2015-03-05
    • DE10148227
    • 2001-09-28
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • ZEHNDER ULRICH DRFEHRER MICHAEL DRHÄRLE VOLKER DRKÜHN FRANK
    • H01L33/44H01L33/20H01L33/48
    • Strahlungsemittierender Halbleiterchip, mit einer Mehrschichtstruktur (100), die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (10) enthält, und mit einer Fensterschicht (20), die für eine von der aktiven Schicht (10) ausgesandte Strahlung durchlässig ist und die in Richtung einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements der Mehrschichtstruktur (100) nachgeordnet ist, wobei – der Halbleiterchip zur Top-Down-Montage in einem Chipgehäuse vorgesehen ist, – die Fensterschicht (20) mindestens eine umlaufende Seitenfläche (21) aufweist, die im Verlauf von einer der Mehrschichtstruktur (100) zugewandten ersten Hauptfläche (22) in Richtung zu einer von der Mehrschichtstruktur (100) abgewandten zweiten Hauptfläche (23) hin zunächst einen derart abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) aufweist, dass sich die Fensterschicht (20) gegenüber der Größe der ersten Hauptfläche (22) verbreitert, – eine umlaufende Seitenfläche (11) der Mehrschichtstruktur (100) und zumindest ein Teil des abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) mit einer durchgehenden elektrisch isolierenden Schicht (30) überzogen sind, – dem ersten Seitenflächenbereich (24) im weiteren Verlauf zur zweiten Hauptfläche (23) hin ein abgeschrägter, gekrümmter oder gestufter zweiter Seitenflächenbereich (25) nachgeordnet ist, über dessen Länge sich die Fensterschicht (20) wieder verjüngt und – dem zweiten Seitenflächenbereich (25) ein senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Mehrschichtstruktur (100) stehender dritter Seitenflächenbereich (27) nachgeordnet ist.