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1. 发明专利

DE10111501B4 Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE10111501B4
公开(公告)日：2019-03-21
申请号：DE10111501
申请日：2001-03-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BAUR JOHANNES DR , EISERT DOMINIK DR , FEHRER MICHAEL DR , HAHN BERTHOLD DR , HÄRLE VOLKER DR , ORTMANN MARIANNE , STRAUSS UWE DR , VÖLKL JOHANNES DR , ZEHNDER ULRICH DR
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/00 , H01L33/02
摘要： Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrschichtstruktur (2), einer aktiven, der Strahlungserzeugung dienenden Schicht (3) innerhalb der Mehrschichtstruktur (2), elektrischen Kontakten (9a,b, 10), die mit der aktiven Schicht (3) elektrisch leitend verbunden sind, und einem strahlungsdurchlässigen Fenster (1) mit einer ersten Hauptfläche (5) und einer der ersten Hauptfläche (5) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (6), das mit der ersten Hauptfläche (5) an die Mehrschichtstruktur (3) grenzt, wobei- in dem Fenster (1) von der zweiten Hauptfläche (6) her mindestens eine grabenartige oder grubenartige Ausnehmung (4) gebildet ist, die die Strahlungsauskopplung aus dem Fenster (1) erhöht, wobei Teile der erzeugten Strahlung an Begrenzungsflächen der Ausnehmung (4) aus dem Fenster (1) ausgekoppelt werden,- die Ausnehmung (4) mindestens eine ebene Seitenfläche (7a,b) aufweist, die mit der zweiten Hauptfläche (6) einen Winkel zwischen 20° und 70° einschließt, und- das Fenster (1) mit der Mehrschichtstruktur (2) mittels eines Waferbondingverfahrens verbunden ist.

2. 发明专利

DE10039433B4 Halbleiterchip für die Optoelektronik 未知
公开(公告)号：DE10039433B4
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：DE10039433
申请日：2000-08-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STRAUSS UWE DR , VÖLKL JOHANNES DR , BAUR JOHANNES DR , EISERT DOMINIK DR , FEHRER MICHAEL DR , HAHN BERTHOLD DR , HÄRLE VOLKER DR , JACOB ULRICH DR , PLASS WERNER , ZEHNDER ULRICH DR
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/20
摘要： Halbleiterchip für die Optoelektronik mit einer aktiven Schicht (2), die eine Photonen emittierende Zone umfaßt, einem für die Photonen transparenten Substrat (3), auf dem die aktive Schicht (2) angeordnet ist, und mit Querseiten (9) und Längsseiten (6), die den Halbleiterchip in den Erstreckungsrichtungen der aktiven Zone seitlich begrenzen, wobei die Längsseiten (6) als Auskoppelflächen für die Photonen dienen und in Erstreckungsrichtung der aktiven Zone jeweils länger als die Querseiten (9) sind, und sich das Substrat (3) zu einer der aktiven Schicht (2) gegenüberliegenden Grundfläche hin verjüngt, wobei das Substrat (3) eine schräge Seitenfläche aufweist, die zur Grundfläche hin in eine senkrecht zur aktiven Schicht (2) verlaufende Seitenfläche übergeht.

3. 发明专利

DE10148227B4 Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement 未知
公开(公告)号：DE10148227B4
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：DE10148227
申请日：2001-09-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ZEHNDER ULRICH DR , FEHRER MICHAEL DR , HÄRLE VOLKER DR , KÜHN FRANK
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/20 , H01L33/48
摘要： Strahlungsemittierender Halbleiterchip, mit einer Mehrschichtstruktur (100), die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (10) enthält, und mit einer Fensterschicht (20), die für eine von der aktiven Schicht (10) ausgesandte Strahlung durchlässig ist und die in Richtung einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements der Mehrschichtstruktur (100) nachgeordnet ist, wobei – der Halbleiterchip zur Top-Down-Montage in einem Chipgehäuse vorgesehen ist, – die Fensterschicht (20) mindestens eine umlaufende Seitenfläche (21) aufweist, die im Verlauf von einer der Mehrschichtstruktur (100) zugewandten ersten Hauptfläche (22) in Richtung zu einer von der Mehrschichtstruktur (100) abgewandten zweiten Hauptfläche (23) hin zunächst einen derart abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) aufweist, dass sich die Fensterschicht (20) gegenüber der Größe der ersten Hauptfläche (22) verbreitert, – eine umlaufende Seitenfläche (11) der Mehrschichtstruktur (100) und zumindest ein Teil des abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) mit einer durchgehenden elektrisch isolierenden Schicht (30) überzogen sind, – dem ersten Seitenflächenbereich (24) im weiteren Verlauf zur zweiten Hauptfläche (23) hin ein abgeschrägter, gekrümmter oder gestufter zweiter Seitenflächenbereich (25) nachgeordnet ist, über dessen Länge sich die Fensterschicht (20) wieder verjüngt und – dem zweiten Seitenflächenbereich (25) ein senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Mehrschichtstruktur (100) stehender dritter Seitenflächenbereich (27) nachgeordnet ist.

4. 发明专利

DE102009058796A1 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 未知
公开(公告)号：DE102009058796A1
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：DE102009058796
申请日：2009-12-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LELL ALFRED , SCHLENKER TILMAN DR , FEHRER MICHAEL DR , TAUTZ SOENKE DR , STRAUS UWE DR , MUELLER MARTIN DR
IPC分类号： H01L33/52 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01S5/028
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das zumindest ein anorganisches optoelektronisch aktives Halbleiterbauelement (10) mit einem aktiven Bereich (3), der geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen, und auf zumindest einem Oberflächenbereich (7) ein mittels Atomlagenabscheidung aufgebrachtes Versiegelungsmaterial (6), das den Oberflächenbereich (7) hermetisch dicht bedeckt, aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

5. 发明专利

DE10350707B4 Elektrischer Kontakt für optoelektronischen Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE10350707B4
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：DE10350707
申请日：2003-10-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STEIN WILHELM DR , FEHRER MICHAEL DR , BAUR JOHANNES DR , WINTER MATTHIAS , PLOESL ANDREAS DR , KAISER STEPHAN DR , HAHN BERTHOLD DR , EBERHARD FRANZ
IPC分类号： H01L33/62 , H01L31/0224 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/02 , H01S5/323
摘要： Elektrischer Kontakt eines optoelektronischen Halbleiterchips (1), der folgende Schichten in der genannten Reihenfolge enthält: – eine Spiegelschicht (2) aus einem Metall oder einer Metallegierung, – eine Schutzschicht (3) zur Verringerung der Korrosion der Spiegelschicht (2), – eine Barrierenschicht (4), – eine Haftvermittlungsschicht (5), und – eine Lotschicht (8), wobei zwischen der Haftvermittlungsschicht (5) und der Lotschicht (8) eine Benetzungsschicht (6) angeordnet ist, die Platin enthält.

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