专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2014234482A 接着シート、及びダイシング・ダイボンディングフィルム有权
标题翻译：粘合片和贴片/贴膜
公开(公告)号：JP2014234482A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013118065
申请日：2013-06-04
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： KIMURA TAKEHIRO , MISUMI SADAHITO , ONISHI KENJI , SHISHIDO YUICHIRO , SUGAO YUKI
IPC分类号： C09J7/00 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J161/06 , C09J163/00 , C09J201/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：【課題】信頼性が高く、凹凸の埋め込み性に優れた接着シート、及びダイシング・ダイボンディングフィルムを提供する。【解決手段】球状アルミナフィラーと、高分子量成分(A)及び低分子量成分(B)を含む樹脂成分とを含み、接着シート100重量部に対して、前記球状アルミナフィラーの含有量が78〜88重量部であり、前記球状アルミナフィラーの平均粒径が2〜9μm、比表面積が0.8〜8.0m2/gであり、前記高分子量成分(A)の重量/前記高分子量成分(A)及び前記低分子量成分(B)の合計重量で表される重量比率が0.03〜0.25である接着シート。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供高可靠性和填充不均匀性优异的粘合片，并提供切割/芯片接合薄膜。解决方案：粘合片含有球形氧化铝填料和树脂组分，其含有高分子量组分（A）和低分子量组分（B）。球形氧化铝填料的含量为78-88重量份。基于100重量的粘合片。球形氧化铝填料的平均粒径为2-9μm，比表面积为0.8-8.0m 2 / g。由（高分子量组分（A）的重量）/（高分子量组分（A）和低分子量组分（B）的总重量）表示的重量比为0.03-0.25。

2. 发明专利

JP2012019204A Thermosetting die bond film 有权
标题翻译：热敏胶带
公开(公告)号：JP2012019204A
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2011124402
申请日：2011-06-02
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： INOUE KOICHI , SUGAO YUKI , MISUMI SADAHITO , MATSUMURA TAKESHI , TAKAMOTO HISAHIDE
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L23/295 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/50 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/3025 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermosetting die bond film which can reduce damage on a semiconductor chip by preventing a stress from being applied locally to the semiconductor chip through a filler when the semiconductor chip is die bonded onto an adherend with the thermosetting die bond film interposed therebetween, and to provide a dicing die bond film having the same.SOLUTION: The thermosetting die bond film contains a filler consisting of an adhesive composition and particles. Assuming the thickness of the thermosetting die bond film is Y(μm), and the maximum grain size of the filler is X(μm), the ratio X/Y(-) is 1 or less.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种热固性芯片接合膜，其可以通过防止当半导体芯片与粘合剂粘合到被粘物上时通过填料局部施加到半导体芯片上的应力来减少对半导体芯片的损伤并且提供具有该切割晶片的接合膜。解决方案：热固性芯片接合膜含有由粘合剂组合物和颗粒组成的填料。假设热固性型接合膜的厚度为Y（μm），填料的最大粒径为X（μm），则X / Y（ - ）的比例为1以下。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2015005636A ダイシング・ダイボンディングフィルム审中-公开
标题翻译：定影/贴膜
公开(公告)号：JP2015005636A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2013130272
申请日：2013-06-21
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： KIMURA TAKEHIRO , MISUMI SADAHITO , ONISHI KENJI , SUGAO YUKI , SHISHIDO YUICHIRO
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：【課題】ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制できるとともに、ヒゲの発生を抑制できるダイシング・ダイボンディングフィルムを提供する。【解決手段】接着剤層3に厚さ100μmのウェハ4を貼り合わせた状態で、第1のダイシングブレードが切り込み深さ50μmでウェハを100m切り込んだ後、第1のダイシングブレードの切り込みに沿って、第2のダイシングブレードが少なくとも粘着剤層2に達する切り込み深さでウェハ及び接着剤層を100m切断したときの第2のダイシングブレードの摩耗量が20〜200μmであり、第2のダイシングブレードの幅は、第1のダイシングブレードのド幅より小さく、第1のダイシングブレードによる切り込み形成条件が、速度50mm/sec、回転数40000rpmであり、第2のダイシングブレードによる切断条件が、速度50mm/sec、回転数45000rpmである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制切割刀的锐度劣化并且还能够抑制晶须的发生的切割/芯片接合薄膜。解决方案：第二切割刀片的磨损量为20-200μm，当第一切割刀片将切片深度为50μm的厚度为100μm的晶片4切割，同时将晶片粘合到粘合剂层3，然后第二切割刀将晶片和粘合剂层切割100μm 在切割深度处至少沿着第一切割刀片的切口到达压敏粘合剂层2。第二切割刀片的宽度小于第一切割刀片的宽度。通过第一切割刀片的切割成形条件为50mm / sec的转速和40,000rpm的转数，并且第二切割刀片的切割条件为50mm / sec的速度和45,000rpm的转速 rpm。

4. 发明专利

JP2014017327A Adhesive composition for semiconductor device, adhesive film for semiconductor device, adhesive film with dicing film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device 有权
标题翻译：用于半导体器件的粘合组合物，用于半导体器件的粘合膜，带有薄膜的粘合膜，用于制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2014017327A
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：JP2012152833
申请日：2012-07-06
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： SUGAO YUKI , ONISHI KENJI
IPC分类号： H01L21/52 , B32B7/12 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J201/00 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/29 , H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: an adhesive composition for a semiconductor device, with which a semiconductor device less in voids and high in reliability can be manufactured; an adhesive film for a semiconductor device; and an adhesive film with a dicing film.SOLUTION: An adhesive composition for a semiconductor device has a loss tangent (tan δ) of 0.2-0.6 at 175°C in a dynamic viscoelasticity measurement after heated at 175°C for one hour.
摘要翻译：要解决的问题：提供：半导体器件用粘合剂组合物，可以制造半导体器件的空隙少，可靠性高的半导体器件; 用于半导体器件的粘合膜; 和具有切割膜的粘合剂膜。解决方案：在175℃下加热1小时后，用于半导体器件的粘合剂组合物在175℃下的动态粘弹性测量中的损耗角正切（tanδ）为0.2-0.6。

5. 发明专利

JP2014187353A Film adhesive, dicing tape with film adhesive, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：薄膜粘合剂，带胶带的贴带，半导体器件制造方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2014187353A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2014001514
申请日：2014-01-08
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： SUGAO YUKI , KIMURA TAKEHIRO
IPC分类号： H01L21/52 , C09J7/00 , C09J9/02 , C09J201/00 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , C08G59/621 , C08K3/02 , C08K3/08 , C08L33/06 , C09J7/20 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J163/00 , C09J2201/36 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/50 , H01L23/48 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29388 , H01L2224/29393 , H01L2224/29424 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48145 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2224/83885 , H01L2224/83907 , H01L2224/85207 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , Y10T428/1405 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L21/78 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film adhesive, a dicing tape with a film adhesive and a semiconductor device manufacturing method, which can prevent a thermal influence on a semiconductor wafer and inhibit warpage of the semiconductor wafer.SOLUTION: A film adhesive includes a thermoplastic resin and conductive particles and has an adhesion force of 0.5 N/10 mm and over which is measured at 25°C after attaching the film adhesive to a mirror silicon wafer at 40°C.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种膜粘合剂，具有膜粘合剂的切割带和半导体装置制造方法，其可以防止对半导体晶片的热影响并且抑制半导体晶片的翘曲。溶解膜：胶粘剂包括热塑性树脂和导电颗粒，并且具有0.5N / 10mm的粘附力，并且在40℃下将膜粘合剂粘附到镜面硅晶片上之后在25℃下测量。

6. 发明专利

JP2011228399A Thermo-setting die-bonding film, dicing/die-bonding film, and method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：热定型成型膜，定影/贴合膜及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2011228399A
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：JP2010095172
申请日：2010-04-16
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： SUGAO YUKI , TANAKA SHUNPEI , INOUE KOICHI
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J161/10 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/83 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B28D5/0011 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2221/68336 , H01L2221/68359 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85207 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/3025 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/0532 , H01L2924/05432 , H01L2924/05032 , H01L2924/0503 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermo-setting die-bonding film whose die-bonding film is appropriately fractured by a tensile force.SOLUTION: The thermo-setting die-bonding film is used for a method of obtaining a semiconductor element from a semiconductor wafer by forming a reform region by radiating a laser beam to the semiconductor wafer and then breaking the reform region of the semiconductor wafer. Otherwise it is used for a method of obtaining the semiconductor element from the semiconductor wafer by forming such groove as not reaches a rear surface on a surface of the semiconductor wafer and then grinding the rear surface of the semiconductor wafer so that the groove appears from the rear surface. The thermo-setting die-bonding film has a breaking elongation coefficient at 25°C, before thermo-setting, being higher than 40% and equal to 500% or less.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种热敏粘合膜，其芯片接合薄膜通过张力适当地断裂。解决方案：热固性芯片接合薄膜用于通过将激光束照射到半导体晶片，然后断开半导体的改质区域而形成改性区域，从半导体晶片获得半导体元件的方法晶圆。否则，用于通过在半导体晶片的表面上形成未到达后表面的凹槽，然后研磨半导体晶片的后表面，从而从半导体晶片获得半导体元件，使得凹槽从后表面。热固型芯片接合膜在热固化之前的25℃下的断裂伸长系数高于40％且等于或小于500％。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2015026707A ダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法有权
标题翻译：带触点胶带的胶合膜及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015026707A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2013155170
申请日：2013-07-26
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： ONISHI KENJI , SUGAO YUKI , SHISHIDO YUICHIRO , KIMURA TAKEHIRO
IPC分类号： H01L21/52 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J161/10 , C09J163/00 , H01L21/301
CPC分类号： H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/85 , H01L2224/85207 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/0665 , H01L2924/067 , H01L2924/0635 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
摘要：【課題】高温で長時間熱処理した条件においても、封止工程後にダイボンドフィルムと被着体との境界に気泡(ボイド)が溜まることを抑制でき、且つ、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることを抑制することが可能なダイシングテープ付きダイボンドフィルムを提供すること。【解決手段】ダイシングテープとダイボンドフィルムとを有し、ダイボンドフィルムが、熱可塑性樹脂(a)と、25℃での粘度が0.1〜50Pa・secである熱硬化性樹脂(b)とを含有し、熱硬化性樹脂(b)が、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選ばれる1つ以上であり、熱硬化性樹脂(b)の全樹脂成分に対する含有量が1重量%以上50重量%以下であり、170℃で1時間加熱硬化した後の260℃での貯蔵弾性率が0.05MPa以上であるダイシングテープ付きダイボンドフィルム。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种具有切割带的芯片接合薄膜，可以抑制在芯片接合薄膜和物体之间的边界处的气泡（空隙）的积聚，以便在密封步骤之后粘贴薄膜即使在长时间进行高温热处理的条件下，即使在保持冷藏的情况下运输或储存膜的同时也抑制了膜中的裂纹，断裂或芯片的发生或其组合。解决方案：具有切割带的芯片接合薄膜包括：一块切割胶带; 和芯片接合膜。芯片接合膜包括热塑性树脂（a）和在25℃下粘度为0.1-50Pa·sec的热固性树脂（b）。热固性树脂（b）由至少一种选自环氧树脂和酚醛树脂的树脂组成。热固性树脂（b）的含量相对于所有树脂成分为1-50重量％。具有切割带的芯片接合膜在170℃下加热1小时后，在260℃下的储能弹性模量为0.05MPa以上。

8. 发明专利

JP2014216611A フィルム状接着剤、ダイシングテープ一体型フィルム状接着剤、及び、半導体装置の製造方法有权
标题翻译：薄膜粘合剂，带状集成薄膜粘合剂和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2014216611A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013095410
申请日：2013-04-30
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： SUGAO YUKI
IPC分类号： H01L21/52 , C09J7/00 , C09J9/02 , C09J201/00 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01L21/301
CPC分类号： C09J9/02 , C08K3/08 , C08K2201/001 , C09J7/35 , C09J11/04 , C09J2201/602 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01B1/22 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/01322 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：【課題】半導体装置に用いられると、半導体素子等からの発熱に耐えることができ、且つ、半導体素子等からの発熱を、効率よく外部へと放出することが可能となるフィルム状接着剤を提供すること。【解決手段】熱硬化性樹脂と硬化剤と導電性粒子を含み、熱硬化後のガラス転移温度が130℃以上である半導体装置用のフィルム状接着剤。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够耐受由半导体元件等产生的热量的膜状粘合剂，并且当用于半导体器件时，可以将半导体元件等的热量有效地散发到外部。解决方案：用于半导体器件的膜状粘合剂包含热固性树脂，固化剂和导电颗粒，并且在热固化后玻璃化转变温度为130℃以上。

9. 发明专利

JP2014090116A Dicing and die bonding film with separator 有权
标题翻译：带隔离膜的贴片和DIE贴膜
公开(公告)号：JP2014090116A
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：JP2012240211
申请日：2012-10-31
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： SUGAO YUKI , MURATA SHUHEI , ONISHI KENJI , KIMURA TAKEHIRO , YANAGI YUICHIRO , INOUE KOICHI
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/02 , H01L21/52
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing and die bonding film with a separator, capable of easily peeling a dicing and die bonding film off from a separator.SOLUTION: The dicing and die bonding film with a separator formed by laminating a separator, a die bonding film having a projected extension piece on an outside at the periphery in plan view, and dicing film in this order.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有隔膜的切割和芯片接合膜，能够容易地从分离器剥离切割和芯片接合薄膜。解决方案：具有隔膜形成的切割和芯片接合薄膜，其通过层压隔膜，在平面图的周边的外侧具有突出的延伸片的切片接合膜和切割膜。

10. 发明专利

JP2013038408A Adhesive tape for fixing semiconductor wafer, method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape with adhesive film 审中-公开
标题翻译：用于固定半导体波形的粘合带，用于制造具有粘合膜的半导体芯片和粘合带的方法
公开(公告)号：JP2013038408A
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：JP2012154686
申请日：2012-07-10
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： SUGAO YUKI , TANAKA SHUNPEI , YANAGI YUICHIRO
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet for fixing a semiconductor wafer, the adhesive sheet allowing favorable and easy pickup of a semiconductor chip even when the semiconductor chip is thinned out, and to provide a method for manufacturing a semiconductor chip using the adhesive sheet for fixing a semiconductor wafer.SOLUTION: A adhesive tape for fixing a semiconductor chip according to the present invention comprises a base material and an adhesive layer provided on one surface of the base material. The adhesive tape for fixing a semiconductor chip has flexural rigidity S calculated from the following expression of 5.0×10or more and 7.0×10or less. S=E×I (where, E represents a tensile storage modulus (Pa) of the adhesive tape at 25°C, I represents a cross sectional secondary moment represented as (b×T)/12 where b represents a width of a test piece of 10 mm in measuring of the tensile storage modulus, and T represents a total thickness (mm) of the adhesive tape).
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于固定半导体晶片的粘合片，即使当半导体芯片变薄时，粘合片也能够有利且容易地拾取半导体芯片，并且提供用于制造半导体芯片的方法使用粘合片固定半导体晶片。解决方案：根据本发明的用于固定半导体芯片的胶带包括基材和设置在基材的一个表面上的粘合剂层。用于固定半导体芯片的胶带具有从以下表达式计算的弯曲刚度S：5.0×10 4 或更高和7.0×10 5 < / SP>以下。 S = E×I（其中，E表示25℃下的粘合带的拉伸储能模量（Pa），I表示作为（b×T 3 < SP>）/ 12其中b表示在拉伸储能模量的测量中10mm的试验片的宽度，T表示胶带的总厚度（mm））。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式