专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2014234482A 接着シート、及びダイシング・ダイボンディングフィルム有权
标题翻译：粘合片和贴片/贴膜
公开(公告)号：JP2014234482A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013118065
申请日：2013-06-04
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： KIMURA TAKEHIRO , MISUMI SADAHITO , ONISHI KENJI , SHISHIDO YUICHIRO , SUGAO YUKI
IPC分类号： C09J7/00 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J161/06 , C09J163/00 , C09J201/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：【課題】信頼性が高く、凹凸の埋め込み性に優れた接着シート、及びダイシング・ダイボンディングフィルムを提供する。【解決手段】球状アルミナフィラーと、高分子量成分(A)及び低分子量成分(B)を含む樹脂成分とを含み、接着シート100重量部に対して、前記球状アルミナフィラーの含有量が78〜88重量部であり、前記球状アルミナフィラーの平均粒径が2〜9μm、比表面積が0.8〜8.0m2/gであり、前記高分子量成分(A)の重量/前記高分子量成分(A)及び前記低分子量成分(B)の合計重量で表される重量比率が0.03〜0.25である接着シート。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供高可靠性和填充不均匀性优异的粘合片，并提供切割/芯片接合薄膜。解决方案：粘合片含有球形氧化铝填料和树脂组分，其含有高分子量组分（A）和低分子量组分（B）。球形氧化铝填料的含量为78-88重量份。基于100重量的粘合片。球形氧化铝填料的平均粒径为2-9μm，比表面积为0.8-8.0m 2 / g。由（高分子量组分（A）的重量）/（高分子量组分（A）和低分子量组分（B）的总重量）表示的重量比为0.03-0.25。

2. 发明专利

JP2014216488A 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置审中-公开
标题翻译：粘合膜，定影/胶合膜，制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2014216488A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013092758
申请日：2013-04-25
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： SHISHIDO YUICHIRO , MISUMI SADAHITO , ONISHI KENJI
IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L23/31 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18
CPC分类号： H01L24/32 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/27002 , H01L2224/27003 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2924/00011 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01004
摘要：【課題】高品質の半導体装置を歩留まり良く製造可能な接着フィルム及びこれを用いる半導体装置の製造方法、並びに該製造方法により得られる半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明の接着フィルムは、被着体上に固定された第1半導体素子を包埋し、かつ該第1半導体素子とは異なる第2半導体素子を被着体に固定するための接着フィルムであって、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含み、下記式で表わされる熱可塑性樹脂存在比が10%以上30%以下である。熱可塑性樹脂存在比(%)={A/(A+B)}?100(式中、Aは熱可塑性樹脂の重量、Bは熱硬化性樹脂の重量である。)【選択図】図3F
摘要翻译：要解决的问题：提供一种允许以高产率生产高质量半导体器件的粘合膜，并提供使用该粘合膜的半导体器件的制造方法以及通过该方法获得的半导体器件。解决方案：用于嵌入固定到粘附体上的第一半导体元件和与第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到粘附体的粘合膜包含热塑性树脂和热固性树脂，并且由热塑性树脂表示的热塑性树脂的丰度比以下公式为10％-30％。热塑性树脂的重量比（％）= {A /（A + B）}×100（式中，A为热塑性树脂的重量，B为热固性树脂的重量）。

3. 发明专利

JP2014099620A Die bond film, dicing die bond film and semiconductor device 有权
标题翻译： DIE BOND FILM，DICING DIE BOND FILM和SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：JP2014099620A
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：JP2013255631
申请日：2013-12-11
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： ONISHI KENJI , HAYASHI MIKI , INOUE KOICHI , SHISHIDO YUICHIRO
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a die bond film for bonding, on a semiconductor element electrically connected to an adherend by a bonding wire, other semiconductor element, preventing the bonding wire from being deformed and cut to allow other semiconductor element to be mounted, thereby achieving improvement in manufacturing yield of a semiconductor device; and a dicing die bond film.SOLUTION: In a die bond film 10 for bonding, on a semiconductor element 15 electrically connected to an adherend 6 by a bonding wire 7, other semiconductor element 5, at least a first adhesive layer 1 and a second adhesive layer 2 are laminated, the first adhesive layer burying a part of the bonding wire 7 in pressure bonding so that the part of the bonding wire can pass through the inside thereof, and the second adhesive layer preventing the other semiconductor element 5 from being brought into contact with the bonding wire 7.
摘要翻译：要解决的问题：提供：在通过接合线电连接到被粘物上的半导体元件上接合的管芯接合膜，其他半导体元件，防止接合线变形和切割，以允许其它半导体元件被安装从而实现半导体器件的制造成品率的提高; 以及切割芯片接合膜。解决方案：在用于接合的芯片接合膜10中，在通过接合线7电连接到被粘物6的半导体元件15上，另外的半导体元件5，至少第一粘合层1和第二粘合剂层2层叠，第一粘合剂层将粘合线7的一部分加压粘合，使得接合线的一部分能够穿过其内部，并且第二粘合层防止其它半导体元件5带入与接合线7接触。

4. 发明专利

JP2011178986A Adhesive composition for production of semiconductor device and adhesive sheet for production of semiconductor device 审中-公开
标题翻译：用于制造半导体器件的粘合组合物和用于制造半导体器件的粘合片
公开(公告)号：JP2011178986A
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：JP2010278367
申请日：2010-12-14
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： KIMURA TAKEHIRO , INOUE YASUSHI , MATSUMURA TAKESHI , ONISHI KENJI , SHISHIDO YUICHIRO
IPC分类号： C09J11/02 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC分类号： C08L63/00 , H01L24/29 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive composition capable of forming an adhesive sheet for production of a semiconductor device that prevents deterioration of electrical properties and improves product reliability by containing an additive for capturing a cation.
SOLUTION: The adhesive composition for production of a semiconductor device at least contains an additive for capturing a cation, wherein the additive is a cation exchanger or a complex-forming compound.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够形成用于制造半导体器件的粘合片的粘合剂组合物，其通过含有用于捕获阳离子的添加剂来防止电性能的劣化并提高产品的可靠性。解决方案：用于制造半导体器件的粘合剂组合物至少含有用于捕获阳离子的添加剂，其中添加剂是阳离子交换剂或络合物形成化合物。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2011171588A Dicing die bond film 有权
标题翻译： DICING DIE BOND FILM
公开(公告)号：JP2011171588A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：JP2010035129
申请日：2010-02-19
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： SHISHIDO YUICHIRO , TANAKA SHUNPEI , HAYASHI MIKI , INOUE KOICHI
IPC分类号： H01L21/301 , B32B27/00 , C09J7/02 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/29 , H01L24/27 , H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/85207 , H01L2224/92247 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing die bond film that is free from peeling or displacement, between a die bond film and a semiconductor wafer, and between a die bond film and a dicing film, when a semiconductor wafer is parted and a semiconductor chip is formed by applying a tensile tension to the dicing die bond film. SOLUTION: The dicing die bond film includes a dicing film which has an adhesive layer at least on a substrate; and a die bond film prepared on the adhesive layer, wherein when a shearing adhesion at 25°C in temporarily bonding a wafer to the die bond film is made τ 1 (MPa), and a shearing adhesion at 25°C between the die bond film and the dicing film is made τ 2 (MPa), τ 1 and τ 2 satisfy the relation of 0.5≤τ 2 ≤3, 4≤τ 1 -τ 2 ≤20, and a rate of breaking elongation of the die bond film is 40-500%. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供在芯片接合膜和半导体晶片之间以及在芯片接合膜和切割膜之间没有剥离或移位的切割芯片接合膜，当半导体晶片被分离时并且通过向切割模接合膜施加拉伸张力来形成半导体芯片。解决方案：切割模片接合膜包括至少在基板上具有粘合剂层的切割膜; 以及在粘合剂层上制备的芯片接合膜，其中当在将晶片临时粘合到芯片接合薄膜上时在25℃下的剪切粘合被制成τ 1MPa（MPa），并且剪切粘合力在模片接合薄膜和切割薄膜之间的温度为25℃，τ 2（MPa），τ 1 和τ 2 满足关系式 0.5≤τ 2 ≤3,4≤τ 1 2 ≤20，并且模具接合膜的断裂伸长率为 40-500％。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2017092365A ダイシングテープ一体型接着シート、及び、半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017092365A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015223757
申请日：2015-11-16
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： SHISHIDO YUICHIRO , TAKAMOTO HISAHIDE , ONISHI KENJI , KIMURA TAKEHIRO
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J201/00
摘要：【課題】ダイシングテープから接着シート付き半導体チップをピックアップする際の剥離帯電により、半導体チップ上の回路が破壊されてしまうことを抑制することが可能なダイシングテープ一体型接着シートを提供すること。【解決手段】粘着剤層を有するダイシングテープと、粘着剤層上に形成された接着シートとを有し、接着シートは、粘着剤層と接触する側の面の表面固有抵抗値が、他方の面よりも小さく、接着シートを粘着剤層から剥離した際に測定される剥離帯電圧が500kV以下であるダイシングテープ一体型接着シート。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2015005636A ダイシング・ダイボンディングフィルム审中-公开
标题翻译：定影/贴膜
公开(公告)号：JP2015005636A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2013130272
申请日：2013-06-21
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： KIMURA TAKEHIRO , MISUMI SADAHITO , ONISHI KENJI , SUGAO YUKI , SHISHIDO YUICHIRO
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：【課題】ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制できるとともに、ヒゲの発生を抑制できるダイシング・ダイボンディングフィルムを提供する。【解決手段】接着剤層3に厚さ100μmのウェハ4を貼り合わせた状態で、第1のダイシングブレードが切り込み深さ50μmでウェハを100m切り込んだ後、第1のダイシングブレードの切り込みに沿って、第2のダイシングブレードが少なくとも粘着剤層2に達する切り込み深さでウェハ及び接着剤層を100m切断したときの第2のダイシングブレードの摩耗量が20〜200μmであり、第2のダイシングブレードの幅は、第1のダイシングブレードのド幅より小さく、第1のダイシングブレードによる切り込み形成条件が、速度50mm/sec、回転数40000rpmであり、第2のダイシングブレードによる切断条件が、速度50mm/sec、回転数45000rpmである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制切割刀的锐度劣化并且还能够抑制晶须的发生的切割/芯片接合薄膜。解决方案：第二切割刀片的磨损量为20-200μm，当第一切割刀片将切片深度为50μm的厚度为100μm的晶片4切割，同时将晶片粘合到粘合剂层3，然后第二切割刀将晶片和粘合剂层切割100μm 在切割深度处至少沿着第一切割刀片的切口到达压敏粘合剂层2。第二切割刀片的宽度小于第一切割刀片的宽度。通过第一切割刀片的切割成形条件为50mm / sec的转速和40,000rpm的转数，并且第二切割刀片的切割条件为50mm / sec的速度和45,000rpm的转速 rpm。

8. 发明专利

JP2012191048A Dicing film with protection film 有权
标题翻译：带保护膜的定影膜
公开(公告)号：JP2012191048A
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：JP2011054304
申请日：2011-03-11
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： SHISHIDO YUICHIRO , MATSUMURA TAKESHI
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , B32B7/02 , B32B7/12 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2457/14 , C09J7/385 , C09J2203/326 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29386 , H01L2224/29388 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/85 , H01L2224/9205 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/1467 , Y10T428/1471 , Y10T428/24802 , Y10T428/24942 , H01L2224/27 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing film with a protection film which shortens a down time, and can stick a dicing film onto a semiconductor wafer without positional deviation.SOLUTION: In the dicing film with the protection film in which a dicing film and a protection film are stacked, a difference between the transmissivity at a wavelength of 600-700 nm of the protection film and the transmissivity of the dicing film with the protection film in a portion through which light for film detection of the dicing film firstly transmits is 20% or more.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有缩短停机时间的保护膜的切割膜，并且可以在没有位置偏移的情况下将切割膜粘附到半导体晶片上。解决方案：在其中层叠有切割膜和保护膜的保护膜的切割膜中，保护膜的波长600-700nm的透射率与切割膜的透射率之间的差异在切割膜的膜检测用光首先发射的部分中的保护膜为20％以上。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2012156511A Dicing/die-bonding film 有权
标题翻译：定影/贴膜
公开(公告)号：JP2012156511A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：JP2012025375
申请日：2012-02-08
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： SHISHIDO YUICHIRO , TANAKA SHUNPEI , HAYASHI MIKI , INOUE KOICHI
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/00 , C09J11/00 , C09J133/00 , C09J161/04 , C09J163/00 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/85207 , H01L2224/92247 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing/die-bonding film which causes no peeling or displacement between a die-bonding film and a semiconductor wafer, and between the die-bonding film and the dicing film when a semiconductor chip is formed by applying a pulling tension to the dicing/die-bonding film thereby dividing a semiconductor wafer.SOLUTION: The dicing/die-bonding film includes a dicing film having at least an adhesive layer on a substrate, and a die bonding film provided on the adhesive layer. When the shear bonding force of a wafer bonded temporarily to the die bond film at 25°C is τ1(MPa), and the shear bonding force between the die bonding film and the dicing film at 25°C is τ2(MPa), τ1 and τ2 satisfy the relations; 0.5≤τ2≤3, 4≤τ1-τ2≤20, and the fracture elongation rate of the die bonding film is 40-500%.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在芯片接合薄膜和半导体晶片之间不会发生剥离或移位的切割/芯片接合薄膜，以及当半导体芯片为半导体芯片时，芯片接合薄膜与切割薄膜之间通过向切割/芯片接合膜施加拉伸张力而形成，从而划分半导体晶片。解决方案：切片/芯片接合膜包括在基板上至少具有粘合层的切割膜和设置在粘合剂层上的芯片接合膜。当在25℃下临时结合到晶片接合薄膜的晶片的剪切粘合力为τ1（MPa）时，在25℃下，芯片接合薄膜与切割薄膜之间的剪切粘合力为τ2（MPa），τ1 和τ2满足关系; 0.5≤T2≤3,4≤τ1-τ2≤20，芯片接合薄膜的断裂伸长率为40〜500％。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2017092296A ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017092296A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015221948
申请日：2015-11-12
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： ONISHI KENJI , SHISHIDO YUICHIRO , KIMURA TAKEHIRO
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/52
摘要：【課題】低温下において引張応力により好適に破断されるとともに、意図しない箇所での破断による飛散を防止可能な熱硬化型ダイボンドフィルムを備えるダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】熱硬化型ダイボンドフィルムが、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングフィルム上に積層されているダイシング・ダイボンドフィルムであって、熱硬化前の前記熱硬化型ダイボンドフィルムの0℃での架橋指数が0.8以上4.0以下であるダイシング・ダイボンドフィルム。【選択図】図5

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式