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1. 发明授权

US08085588B2 Semiconductor device and control method thereof 有权
标题翻译：半导体装置及其控制方法
公开(公告)号：US08085588B2
公开(公告)日：2011-12-27
申请号：US12433084
申请日：2009-04-30
申请人： Naoharu Shinozaki , Kenji Arai , Satoshi Sakurakawa
发明人： Naoharu Shinozaki , Kenji Arai , Satoshi Sakurakawa
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： G11C8/12 , G11C16/08
摘要： Systems and methods for programming data to a memory device (MD). The methods involve receiving the data at MD (100) from an external data source. MD includes a memory cell array (MCA) for storing the data including numbers in data blocks (DB) or memory cell array planes (MCAP). Each DB (122a, 122b, 122c, 122d) and MCAP (1020a, 1020b, 1020c, 1020d) includes memory addresses (Ads) corresponding to locations of respective transistor circuits (2021, 2022, . . . , 202n, . . . , 202m) within the MCA (120, 1020a, 1020b, 1020c, 1020d). Two or more of the transistor circuits have different threshold voltages (TVs) with respect to each other. The methods further involve programming the data to each DB or MCAP in accordance with a first mode. In the first mode, each number is programmed to a different MA of each DB or MCAP based at least in part on the different TVs.
摘要翻译：用于将数据编程到存储器件（MD）的系统和方法。该方法涉及从外部数据源接收MD（100）的数据。 MD包括用于存储包括数据块（DB）或存储单元阵列平面（MCAP）中的数字的数据的存储单元阵列（MCA）。每个DB（122a，122b，122c，122d）和MCAP（1020a，1020b，1020c，1020d）包括对应于各个晶体管电路（2021,2022，...，202n，...）的位置的存储器地址（Ads） 202m）在MCA（120,1020a，1020b，1020c，1020d）内。两个或多个晶体管电路相对于彼此具有不同的阈值电压（TV）。所述方法还包括根据第一模式将数据编程到每个DB或MCAP。在第一模式中，至少部分地基于不同的电视机将每个数字编程到每个数据块或MCAP的不同MA。

2. 发明申请

US20100277987A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF 有权
标题翻译：半导体器件及其控制方法
公开(公告)号：US20100277987A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：US12433084
申请日：2009-04-30
申请人： Naoharu Shinozaki , Kenji Arai , Satoshi Sakurakawa
发明人： Naoharu Shinozaki , Kenji Arai , Satoshi Sakurakawa
IPC分类号： G11C7/10 , G11C8/00
CPC分类号： G11C8/12 , G11C16/08
摘要： Systems and methods for programming data to a memory device (MD). The methods involve receiving the data at MD (100) from an external data source. MD includes a memory cell array (MCA) for storing the data including numbers in data blocks (DB) or memory cell array planes (MCAP). Each DB (122a, 122b, 122c, 122d) and MCAP (1020a, 1020b, 1020c, 1020d) includes memory addresses (Ads) corresponding to locations of respective transistor circuits (2021, 2022, . . . , 202n, . . . 202m) within the MCA (120, 1020a, 1020b, 1020c, 1020d). Two or more of the transistor circuits have different threshold voltages (TVs) with respect to each other. The methods further involve programming the data to each DB or MCAP in accordance with a first mode. In the first mode, each number is programmed to a different MA of each DB or MCAP based at least in part on the different TVs.
摘要翻译：用于将数据编程到存储器件（MD）的系统和方法。该方法涉及从外部数据源接收MD（100）的数据。 MD包括用于存储包括数据块（DB）或存储单元阵列平面（MCAP）中的数字的数据的存储单元阵列（MCA）。每个DB（122a，122b，122c，122d）和MCAP（1020a，1020b，1020c，1020d）包括与各个晶体管电路（2021,2022，...，202n，...，202m）的位置对应的存储器地址（Ads））在MCA（120,1020a，1020b，1020c，1020d）内。两个或多个晶体管电路相对于彼此具有不同的阈值电压（TV）。所述方法还包括根据第一模式将数据编程到每个DB或MCAP。在第一模式中，至少部分地基于不同的电视机将每个数字编程到每个数据块或MCAP的不同MA。

3. 发明授权

US08553459B2 Nonvolatile semiconductor memory device and memory system having the same 有权
标题翻译：非易失性半导体存储器件和具有该非易失性半导体存储器件的存储器系统
公开(公告)号：US08553459B2
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：US13081094
申请日：2011-04-06
申请人： Naoharu Shinozaki , Masao Taguchi , Takahiro Hatada , Satoru Sugimoto , Satoshi Sakurakawa
发明人： Naoharu Shinozaki , Masao Taguchi , Takahiro Hatada , Satoru Sugimoto , Satoshi Sakurakawa
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/0483 , G11C16/22
摘要： A nonvolatile semiconductor memory device includes a first string including a first number of memory cells connected in series each storing therein information in a nonvolatile manner; and a second string including a second number of memory cells connected in series each storing therein information in a nonvolatile manner, wherein the second number is smaller than the first number.
摘要翻译：非易失性半导体存储器件包括：第一串，包括串联连接的第一数量的存储单元，以非易失性方式存储信息; 并且包括串联连接的第二数量的存储单元的第二串，其以非易失性方式存储信息，其中第二数小于第一数量。

4. 发明申请

US20110261622A1 NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME 有权
标题翻译：非易失性半导体存储器件及其存储器系统
公开(公告)号：US20110261622A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：US13081094
申请日：2011-04-06
申请人： Naoharu Shinozaki , Masao Taguchi , Takahiro Hatada , Satoru Sugimoto , Satoshi Sakurakawa
发明人： Naoharu Shinozaki , Masao Taguchi , Takahiro Hatada , Satoru Sugimoto , Satoshi Sakurakawa
IPC分类号： G11C16/08
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/0483 , G11C16/22
摘要： A nonvolatile semiconductor memory device includes a first string including a first number of memory cells connected in series each storing therein information in a nonvolatile manner; and a second string including a second number of memory cells connected in series each storing therein information in a nonvolatile manner, wherein the second number is smaller than the first number.
摘要翻译：非易失性半导体存储器件包括：第一串，包括串联连接的第一数量的存储单元，以非易失性方式存储信息; 并且包括串联连接的第二数量的存储单元的第二串，其以非易失性方式存储信息，其中第二数小于第一数量。

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