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    • 1. 发明申请
    • SCHICHTANORDNUNG FÜR EINE ORGANISCHE LICHTEMITTIERENDE DIODE
    • LAYER安排一个有机发光二极管
    • WO2005106987A1
    • 2005-11-10
    • PCT/DE2005/000820
    • 2005-05-02
    • NOVALED GMBHBLOCHWITZ-NIMOTH, JanBIRNSTOCK, Jan
    • BLOCHWITZ-NIMOTH, JanBIRNSTOCK, Jan
    • H01L51/20
    • H01L51/5218H01L51/5221H01L2251/5315
    • Die Erfindung betrifft eine Schichtanordnung für eine organische lichtemittierende Diode (OLED) in top-emittierender Ausführung sowie eine Anzeigeeinrichtung und eine Beleuch­ tungseinrichtung mit der Schichtanordnung. Die Schichtanordnung umfaßt eine untere Elek­trode (A), eine obere Elektrode (K), die transparent ist, und einen organischen Schichtbereich (O), welcher in Kontakt mit der unteren und der oberen Elektrode (A; K) zwischen den beiden Elektroden (A; K) angeordnet ist und in dem mittels Rekombination von Elektronen und Lö­chern Licht erzeugt werden kann, das durch die obere Elektrode (K) austritt, wobei die untere Elektrode (A) einen Schichtaufbau aufweist, bei dem eine untere Elektrodenschicht eine Me­tallschicht ist. Im Schichtaufbau der unteren Elektrode (A) ist auf der Metallschicht eine Schutz- und Modifikations-Schicht angeordnet, die mit dem organischen Schichtbereich (O) in Kontakt ist.
    • 本发明涉及一种层安排在顶部发射设计的有机发光二极管(OLED),以及作为显示装置和具有该层布置的二极管灯婷设备。 层布置包括下电极(A),上部电极(K),其是透明的,并且有机层区(O),这是与下和上电极(A; K)接触(两个电极A之间 K)被布置,并且其中可以通过电子和空穴的再结合,其离开通过上部电极(K),其中,所述下电极(a)的层结构,其中下电极层是金属层中产生的光。 在设置在金属层上的下部电极(A)的层结构是与有机层区(O)是在接触的保护和改性层。
    • 2. 发明申请
    • PHOSPHORESZENTES LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT MIT ORGANISCHEN SCHICHTEN
    • 具有有机层的磷光发光器件
    • WO2003100880A2
    • 2003-12-04
    • PCT/DE2003/001659
    • 2003-05-22
    • NOVALED GMBHDASHAN, QinZHOU, XiangBLOCHWITZ-NIMOTH, JanPFEIFFER, Martin
    • DASHAN, QinZHOU, XiangBLOCHWITZ-NIMOTH, JanPFEIFFER, Martin
    • H01L51/20
    • H01L51/5016
    • Die Erfindung bezieht sich auf ein Licht emittierendes Bauelement mit organischen Schichten und Emission von Triplet-Exzitonen Zuständen (phosphoreszentes Licht) mit erhöhter Effizienz, aufweisend eine Schichtreihenfolge mit einem löcherinjizierendem Kontakt (Anode), einer oder mehrerer löcherinjizierender- und transportierender Schichten, einem System von Schichten in der Lichtemissionszone, einer oder mehrere Elektronentransport- und Injektionsschichten und einem Elektronen injizierendem Kontakt (Kathode), dadurch gekennzeichnet, dass die lichtemittierende Zone aus einer Reihe von Heterojunctions mit den Materialien A und B (ABAB...) besteht, welche Grenzflächen vom Typ "staggered Typ II" bilden, wobei ein Material (A) löchertransportierende oder bipolare Transporteigenschaften aufweist und das andere (B) elektronentransportierende oder bipolare Transporteigenschaften aufweist, und wobei mindestens eines der beiden Materialien A oder B mit einem Triplet-Emitter-Dotanden gemischt ist, der in der Lage ist, effizient seine Triplet-Exzitonen-Energie in Licht umzuwandeln.
    • 本发明涉及一种发光有机层和三重态激子态(磷光发光)以增加的效率的发射装置,其具有与löcherinjizierendem接触(阳极),一个或多个löcherinjizierender-和输送层,一个系统中的层序列 在发光区,一个或多个电子传输和注入层和电子注入接触(阴极)层,其特征在于,所述发光区包括一系列与材料A和B(ABAB ...),该边界表面从异质结的 输入“交错型II”的形式,其中具有电子传输或双极传输性质,并且其中的材料(a)中的空穴传输或双极传输性能和其它(B)这两种材料A或B与三线态发光掺杂物的混合物中的至少一种 t是,这是能够给他的三重态激子能有效地转换成光。
    • 4. 发明申请
    • SOLAR CELL
    • 太阳能电池
    • WO2017191265A1
    • 2017-11-09
    • PCT/EP2017/060675
    • 2017-05-04
    • NOVALED GMBH
    • RINCON, Maria Cristina MomblonaESCRIG, Lidon GilSESSOLO, MicheleBOLINK, Jan HendrikBLOCHWITZ-NIMOTH, JanLEDERER, Kay
    • H01L51/42H01L27/30
    • H01L51/4246H01L27/302Y02E10/549
    • The present disclosure refers to a solar cell, having a first electrode, a second electrode, and a stack of layers provided between the first and second electrode. The stack of layers comprises a light absorbing layer comprising an absorber compound provided with a perovskite crystal structure, an organic ρ-type layer provided between the first electrode and the light absorbing layer, and a n-type layer provided between the second electrode and the first light absorbing layer. The organic ρ-type layer comprises at least one of a layer comprising an organic ρ-type dopant, and a layer comprising a mixture of an organic ρ-type dopant and a first organic aromatic matrix compound. The n-type layer comprises at least one of a layer comprising an n-type dopant, and a layer comprising of a mixture of an n-type dopant and a second organic aromatic matrix compound.
    • 本公开涉及太阳能电池,其具有第一电极,第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的层堆叠。 该叠层包括光吸收层,该光吸收层包括具有钙钛矿晶体结构的吸收剂化合物,设置在第一电极和光吸收层之间的有机ρ型层以及设置在第二电极和光吸收层之间的n型层 第一光吸收层。 有机ρ型层包括含有机ρ型掺杂剂的层和含有有机ρ型掺杂剂和第一有机芳香族基质化合物的混合物的层中的至少一种。 n型层包括含有n型掺杂剂的层和含有n型掺杂剂和第二有机芳香族基质化合物的混合物的层中的至少一种。
    • 5. 发明申请
    • METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC TRANSISTOR AND ORGANIC TRANSISTOR
    • 用于生产有机晶体管和有机晶体管的方法
    • WO2015144865A1
    • 2015-10-01
    • PCT/EP2015/056674
    • 2015-03-27
    • NOVALED GMBH
    • KLEEMANN, HansBLOCHWITZ-NIMOTH, JanSCHWARTZ, Gregor
    • H01L51/05
    • H01L51/057H01L51/0003H01L51/0023H01L51/0541H01L51/105
    • The invention refers to a method for producing an organic transistor, the method comprising steps of providing a first electrode (2) on a substrate (1), generating a source-drain insulator (3) assigned at least partially to the substrate (1) and/or at least partially to the first electrode (2), generating a second electrode (4) assigned to the source-drain insulator (3), depositing an organic semiconducting layer (5) on the first electrode (2), the second electrode (4), and the source-drain insulator (3), generating a gate insulator (6) assigned to the organic semiconducting layer (5), and providing a gate electrode (7) assigned to the gate insulator (6). Further, the invention relates to an organic transistor.
    • 本发明涉及一种制造有机晶体管的方法,该方法包括以下步骤:在衬底(1)上提供第一电极(2),产生至少部分地分配给衬底(1)的源极 - 漏极绝缘体(3) 和/或至少部分地耦合到第一电极(2),产生分配给源极 - 漏极绝缘体(3)的第二电极(4),在第一电极(2)上沉积有机半导体层(5) 电极(4)和源极 - 漏极绝缘体(3),产生分配给有机半导体层(5)的栅极绝缘体(6),以及提供分配给栅极绝缘体(6)的栅电极(7)。 此外,本发明涉及有机晶体管。
    • 6. 发明申请
    • CHARGE TRANSPORTING SEMI-CONDUCTING MATERIAL AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING IT
    • 电荷传输半导体材料和包含它的电子器件
    • WO2017144516A1
    • 2017-08-31
    • PCT/EP2017/054021
    • 2017-02-22
    • NOVALED GMBHFRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
    • LEDERER, KayRUNGE, SteffenBLOCHWITZ-NIMOTH, JanLIMBERG, FelixKRÜGER, Hartmut
    • H01L51/54C09K11/06
    • H01L51/0043H01L51/5048
    • The present invention relates to a charge transporting semi-conducting material comprising: a) at least one electrical dopant, and b) a branched or cross-linked charge-transporting polymer comprising cyclobutenone cross-linking units of at least one of the general formulae la and/or lb, wherein aa) Pol 1 , Pol 2 , Pol 3 and Pol 4 are independently selected chains of the charge-transporting polymer, bb) X 1 , X 2 , X 3 , and X 4 are independently selected optional spacer units or, independently, represent direct bonding of Pol 1 , Pol 2 , Pol 3 and Pol 4 chains to the cyclobutenone ring, cc) Z 1 , Z 2 , Z 3 , and Z 4 are independently selected from H, halogen or a carbon-containing group; the charge transporting semi-conducting material being obtainable by a process comprising: i) providing a solution containing aaa) at least one precursor charge transporting compound comprising at least one covalently attached alkinyloxy group having generic formula II wherein X is an optional spacer which is further linked to a charge transporting structural moiety of the precursor charge transporting compound, the dashed line represents the bonding to a charge transporting structural moiety of the precursor charge transporting compound and Z 1 , Z 2 , Z 3 , and Z 4 are independently selected from H, halogen or the carbon-containing group, bbb) at least one electrical dopant, ccc) at least one solvent, ii) depositing the solution on a substrate, iii) removing the solvent, and iv) reacting the alkinyloxy groups to effect crosslinking, preferably by heating, wherein the average number of the alkinyloxy groups per one molecule of the precursor charge transporting compound provided in the step i) is equal to or greater than 2, preferably greater than 2.05, and a process for preparing the same.
    • 本发明涉及电荷输送半导体材料,其包含:a)至少一种电掺杂剂,和b)支链或交联的电荷输送性聚合物,其包含环丁烯酮交联单元 通式1a和/或1b中的至少一个,其中aa)是Pol 1,Pol 2,Pol 3和Pol 1, 4是电荷传输聚合物的独立选择的链,bb)X 1,X 2,X 3和X 4是独立选择的可选的间隔基单元,或者独立地表示Pol 1,Pol 2,Pol 3和/或sup 3的直接键合。 和Pol 4链连接到环丁烯酮环上,cc)Z 1,Z 2,Z 3和 Z 4独立地选自H,卤素或含碳基团; 所述电荷输送半导体材料可通过包括以下步骤的方法获得:i)提供包含aaa)至少一种前体电荷输送化合物的溶液,所述前体电荷输送化合物包含至少一个具有通式II的共价连接的炔基氧基,其中X是任选的间隔基, 与前体电荷输送化合物的电荷输送结构部分连接,虚线代表与前体电荷输送化合物的电荷输送结构部分的键,并且Z 1,Z 2, Z 3和Z 4独立地选自H,卤素或含碳基团,bbb)至少一种电掺杂剂,ccc)至少一种 溶剂,ii)将溶液沉积在基材上,iii)除去溶剂,和iv)使所述烷氧基基团反应以实现交联,优选通过加热,其中每个前体装料分子的平均数量的炔基氧基基团 在步骤i)中提供的电荷输运化合物等于或大于2,优选大于2.05,以及制备该化合物的方法。
    • 8. 发明申请
    • SCHICHTANORDNUNG FÜR EIN LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT
    • 层布置的发光元件
    • WO2006015567A1
    • 2006-02-16
    • PCT/DE2005/001076
    • 2005-06-16
    • NOVALED GMBHTECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDENHE, GufengPFEIFFER, MartinBLOCHWITZ-NIMOTH, Jan
    • HE, GufengPFEIFFER, MartinBLOCHWITZ-NIMOTH, Jan
    • H01L51/50
    • H01L51/5016H01L51/0051H01L51/0052H01L51/0059H01L51/0062H01L51/0072H01L51/0081H01L51/0085H01L51/5052H01L2251/308
    • Die Erfindung bezieht sich auf eine Schichtanordnung für ein lichtemittierendes Bauelement, insbesondere eine phosphoreszierende organische Leuchtdiode, mit einem löcherinjizierenden Kontakt und einem elektroneninjizierenden Kontakt, die jeweils mit einem lichtemittierenden Bereich verbunden sind, wobei in dem lichtemittierenden Bereich eine lichtemittierende Schicht aus einem Material (M1) und eine andere lichtemittierende Schicht aus einem anderen Material (M2) gebildet sind, wobei das Material (M1) ambipolar und bevorzugt Löcher transportierend gebildet ist und das andere Material (M2) ambipolar und bevorzugt Elektronen transportierend gebildet ist; in dem lichtemittierenden Bereich mit dem Material (M1) und dem anderen Material (M2) ein Heteroübergang gebildet ist; eine Grenzfläche zwischen dem Material (M1) und dem anderen Material (M2) von der Art "staggered Typ II" ist; das Material (M1) und das andere Material (M2) eine jeweilige Beimischung eines oder mehrerer Triplett-Emitter-Dotanden enthalten; und eine Energiebarriere für einen Löcherübertrag von dem Material (M1) in das andere Material (M2) und eine Energiebarriere für einen Elektronenübertrag von dem anderen Material (M2) in das Material (Ml) jeweils kleiner als etwa 0.4eV sind.
    • 本发明涉及一种用于发光器件的层结构,特别是磷光有机发光二极管,包括:空穴注入接触和一个电子注入接触,它们各自连接到发光区域,其中,在材料的发光区域的发光层(M1) 和另一种材料(M2)的另一个发光层中形成,其中所述材料(M1),优选为双极性孔形成输送物质和其他(M2),并且优选地被形成双极性电子传输; 与材料(M1)和所述其它材料(M2)的发光区域,形成异质结形成; 材料(M1)和所述其它材料的类型(M2)“交错型II”之间的接口; 材料(M1)和所述其它材料(M2)含有一个或多个三线态发光掺杂物的各自的混合物; 和能量势垒的材料(M1)的一个孔转移到另一种材料(M2),和用于从其他的材料(M2)的电子转移的能量势垒各自小于约0.4电子伏特的材料中的(ML)。