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1. 发明申请

WO2011157385A8 ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
标题翻译：有机发光装置
公开(公告)号：WO2011157385A8
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/EP2011002869
申请日：2011-06-10
申请人： NOVALED AG , BIRNSTOCK JAN , VEHSE MARTIN , CANZLER TOBIAS , MADASAMY SENTHILKUMAR , FADHEL OMRANE , PAVICIC DOMAGOJ , ROTHE CARSTEN , MURANO SVEN
发明人： BIRNSTOCK JAN , VEHSE MARTIN , CANZLER TOBIAS , MADASAMY SENTHILKUMAR , FADHEL OMRANE , PAVICIC DOMAGOJ , ROTHE CARSTEN , MURANO SVEN
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/5048 , H01L27/3209 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/009 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5052 , H01L51/5268
摘要： The present invention relates to an organic light emitting device comprising a layered structure including a substrate, a bottom electrode and a top electrode, wherein the bottom electrode is closer to the substrate than the top electrode, the region between the bottom electrode and the top electrode defining an electronically active region, wherein the electronically active region comprises a scattering layer having a thickness of less than 50 nm; and an organic light emitting device additionally having at least one light emitting layer in the electronically active region, and this device further comprising a specific chemical compound outside of the electronically active region.
摘要翻译：本发明涉及一种有机发光装置，其包括层叠结构，其包括基板，底部电极和顶部电极，其中底部电极比顶部电极更靠近基板，底部电极和顶部电极之间的区域限定电子有源区域，其中所述电子有源区域包括厚度小于50nm的散射层; 以及另外在电子有源区域中具有至少一个发光层的有机发光器件，该器件还包括电子活性区域之外的特定化合物。

2. 发明申请

WO2011157385A3 ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
标题翻译：有机发光装置
公开(公告)号：WO2011157385A3
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011002869
申请日：2011-06-10
申请人： NOVALED AG , BIRNSTOCK JAN , VEHSE MARTIN , CANZLER TOBIAS , MADASAMY SENTHILKUMAR , FADHEL OMRANE , PAVICIC DOMAGOJ , ROTHE CARSTEN , MURANO SVEN
发明人： BIRNSTOCK JAN , VEHSE MARTIN , CANZLER TOBIAS , MADASAMY SENTHILKUMAR , FADHEL OMRANE , PAVICIC DOMAGOJ , ROTHE CARSTEN , MURANO SVEN
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/5048 , H01L27/3209 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/009 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5052 , H01L51/5268
摘要： The present invention relates to an organic light emitting device comprising a layered structure including a substrate, a bottom electrode and a top electrode, wherein the bottom electrode is closer to the substrate than the top electrode, the region between the bottom electrode and the top electrode defining an electronically active region, wherein the electronically active region comprises a scattering layer having a thickness of less than 50 nm; and an organic light emitting device additionally having at least one light emitting layer in the electronically active region, and this device further comprising a specific chemical compound outside of the electronically active region.
摘要翻译：本发明涉及包括分层结构的有机发光器件，所述分层结构包括基板，底部电极和顶部电极，其中底部电极比顶部电极更靠近基板，底部电极和顶部电极之间的区域限定电子有源区域，其中所述电子有源区域包括厚度小于50nm的散射层; 以及另外在电子有源区中具有至少一个发光层的有机发光器件，并且该器件还包括电子有源区外部的特定化合物。

3. 发明申请

WO2007051540A3 A METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE WITH A LAYER STRUCTURE AND AN ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：一种制造具有层结构的电子器件和电子器件的方法
公开(公告)号：WO2007051540A3
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/EP2006010200
申请日：2006-10-23
申请人： NOVALED AG , WERNER ANSGAR , BLOCHWITZ-NIMOTH JAN , CANZLER TOBIAS
发明人： WERNER ANSGAR , BLOCHWITZ-NIMOTH JAN , CANZLER TOBIAS
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/44
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/001
摘要： The invention relates to a method for producing a layer structure in an electronic device, especially in an organic light emitting device, the method comprising a step of producing the layer structure as a composite layer structure with free charge carriers generated by charge transfer between a first material and a second material, wherein the composite layer structure is provided as a stack of at least three non-mixed sub-layers made of the first material and the second material, respectively, wherein within the stack of the at least three non-mixed sublayers each first material sub-layer is followed by an adjacent second material sub-layer and each second material sub-layer is followed by an adjacent first material sub-layer, and wherein the first material and the second material are selected to form a host-dopant material system for the electrical doping. The invention also relates to an electronic device.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在电子器件中，尤其是在有机发光器件中制造层结构的方法，所述方法包括以下步骤：将所述层结构制造为具有通过电荷转移产生的自由电荷载流子的复合层结构，材料和第二材料，其中所述复合层结构被提供为分别由所述第一材料和所述第二材料制成的至少三个非混合子层的堆叠，其中在所述至少三个未混合在每个第一材料子层之后是子层，相邻的第二材料子层后面是每个第二材料子层，之后是相邻的第一材料子层，并且其中选择第一材料和第二材料以形成主体用于电掺杂的掺杂材料体系。本发明还涉及一种电子设备。

4. 发明专利

DE102010031979B4 Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung, Verwendung des Halbleiterbauelementes und Inverter mit zwei Halbleiterbauelementen 未知
公开(公告)号：DE102010031979B4
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：DE102010031979
申请日：2010-07-22
申请人： NOVALED AG
发明人： LESSMANN RUDOLF DR , CANZLER TOBIAS , HUANG QIANG , DOROK SASCHA , KÖHN CHRISTIANE
IPC分类号： H01L51/10 , H01L27/28 , H01L51/40
摘要： Halbleiterbauelement, aufweisend eine Schichtanordnung mit: – einer Elektrode (20a; 20b; 32) aus einem Elektrodenmaterial, – einer organischen Halbleiterschicht (22; 30) aus organischem Material, – einer Injektionsschicht (21; 31), welche – zwischen der Elektrode (20a; 20b; 32) und der organischen Halbleiterschicht (22; 30) angeordnet ist und – aus einem molekularen Dotierungsmaterial besteht, das ein elektrischer Dotand für das organische Material der organischen Halbleiterschicht (22; 30) ist, und – einer Zusatzschicht (25; 33), welche – auf der der Elektrode (20a; 20b; 32) zugewandten Seite der Injektionsschicht (21; 31) an der Injektionsschicht (21; 31) angeordnet ist und – aus einem Zusatzmaterial besteht, welches bei Kontakt mit dem molekularen Dotierungsmaterial dessen Dotierungsaffinität bezüglich des organischen Materials der organischen Halbleiterschicht (22; 30) verändert, wobei in der Injektionsschicht (21; 31) ein Schichtbereich (28) mit einer ersten Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials und ein weiterer Schichtbereich (29) mit einer zweiten, im Vergleich zur ersten Dotierungsaffinität kleineren Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials gebildet sind.

5. 发明专利

DE102008036063A1 未知
公开(公告)号：DE102008036063A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：DE102008036063
申请日：2008-08-04
申请人： NOVALED AG
发明人： DENKER ULRICH , CANZLER TOBIAS , HUANG QIANG
IPC分类号： H01L51/30
摘要： The invention relates to an organic field-effect transistor, in particular an organic thin-layer field-effect transistor, with a gate electrode, a drain electrode and a source electrode, an active layer of organic material which during operation is configured to form an electrical line channel, a dielectric layer which electrically isolates the active layer from the gate electrode, a dopant material layer which consists of a molecular dopant material whose molecules consist of two or more atoms and which dopant material is an electrical dopant for the organic material of the active layer, and wherein the dopant material layer is formed in a boundary surface region between the active layer and the dielectric layer or is formed adjacent to the boundary surface region.

6. 发明专利

DE102008036062A1 未知
公开(公告)号：DE102008036062A1
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：DE102008036062
申请日：2008-08-04
申请人： NOVALED AG
发明人： DENKER ULRICH , CANZLER TOBIAS , HUANG QIANG , WERNER ANSGAR , HARADA KENTARO , LEO KARL
IPC分类号： H01L51/30
摘要： The invention relates to an organic field-effect transistor, in particular an organic thin film field-effect transistor comprising a gate electrode, a drain electrode and a source electrode, a dielectric layer which is formed in contact with the gate electrode, an active layer made from an organic material which is in contact with the drain electrode and the source electrode and which is configured electrically undoped, a dopant material layer which contains a dopant material that is an electrical dopant for the organic material of the active layer, and a border surface region in which a planar contact is formed between the active layer and the dopant material layer, wherein mobility of similar electrical charge carriers, namely electrons or holes, in the dopant material layer is no more than half as great as in the active layer.

7. 发明专利

DE102010031979A1 Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE102010031979A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：DE102010031979
申请日：2010-07-22
申请人： NOVALED AG
发明人： LESSMANN RUDOLF DR , CANZLER TOBIAS , HUANG QIANG , DOROK SASCHA , KOEHN CHRISTIANE
IPC分类号： H01L51/10 , H01L51/40
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer Schichtanordnung mit einer Elektrode aus einem Elektrodenmaterial, einer organischen Halbleiterschicht aus organischem Material, einer Injektionsschicht, welche zwischen der Elektrode und der organischen Halbleiterschicht angeordnet ist und aus einem molekularen Dotierungsmaterial besteht, das ein elektrischer Dotand für das organische Material der organischen Halbleiterschicht ist, und einer Zusatzschicht, welche auf der der Elektrode zugewandten Seite der Injektionsschicht an der Injektionsschicht angeordnet ist und aus einem Zusatzmaterial besteht, welches bei Kontakt mit dem molekularen Dotierungsmaterial dessen Dotierungsaffinität bezüglich des organischen Materials der organischen Halbleiterschicht verändert, wobei in der Injektionsschicht ein Schichtbereich mit einer ersten Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials und ein weiterer Schichtbereich mit einer zweiten, im Vergleich zur ersten Dotierungsaffinität kleineren Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials gebildet sind. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes sowie die Verwendung eines Halbleiterelementes.

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