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1. 发明专利

DE102010031979A1 Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE102010031979A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：DE102010031979
申请日：2010-07-22
申请人： NOVALED AG
发明人： LESSMANN RUDOLF DR , CANZLER TOBIAS , HUANG QIANG , DOROK SASCHA , KOEHN CHRISTIANE
IPC分类号： H01L51/10 , H01L51/40
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer Schichtanordnung mit einer Elektrode aus einem Elektrodenmaterial, einer organischen Halbleiterschicht aus organischem Material, einer Injektionsschicht, welche zwischen der Elektrode und der organischen Halbleiterschicht angeordnet ist und aus einem molekularen Dotierungsmaterial besteht, das ein elektrischer Dotand für das organische Material der organischen Halbleiterschicht ist, und einer Zusatzschicht, welche auf der der Elektrode zugewandten Seite der Injektionsschicht an der Injektionsschicht angeordnet ist und aus einem Zusatzmaterial besteht, welches bei Kontakt mit dem molekularen Dotierungsmaterial dessen Dotierungsaffinität bezüglich des organischen Materials der organischen Halbleiterschicht verändert, wobei in der Injektionsschicht ein Schichtbereich mit einer ersten Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials und ein weiterer Schichtbereich mit einer zweiten, im Vergleich zur ersten Dotierungsaffinität kleineren Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials gebildet sind. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes sowie die Verwendung eines Halbleiterelementes.

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