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2. 发明公开

EP1249302A4 SOLDER ALLOY, ELECTRONIC MEMBER HAVING SOLDER BALL AND SOLDER BUMP 审中-公开
标题翻译：焊料合金，具有焊球与-HÖCKER电子部件
公开(公告)号：EP1249302A4
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：EP00976358
申请日：2000-11-20
申请人： NIPPON STEEL CORP , NIPPON MICROMETAL CORP
发明人： TANAKA MASAMOTO , ENDO MICHIO , HASHINO EIJI , TATSUMI KOHEI , NAKAMORI TAKASHI , FUJISHIMA MASAMI
IPC分类号： B23K35/14 , B23K35/26 , H01L21/60 , B23K1/00 , H05K3/34
CPC分类号： B23K35/262 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要： A lead-free solder alloy, characterized in that it has a chemical composition: Ag: 2 to 3 wt %, Cu: 0.3 to 1.5 wt %, Bi: 0.05 to 1.5 wt %, Sb: 0.2 to 1.5, balance: Sn and inevitable impurities, with the proviso that the total content of Ag, Cu, Sb and Bi is 5 wt % or less, and is capable of forming a smooth surface after reflow treatment; and an electronic member, such as a semiconductor device, manufactured by the use of the lead-free solder alloy. The solder alloy has an appropriate melting point and excellent resistance to thermal fatigue, and can form, after solder reflow, a surface having smoothness and excellent properties being sufficient to permit the optical evaluation for the formation of a bump, and thus can be used as an excellent material for solder bumps of an electronic member.

3. 发明专利

DE112017001206T5 Elektrodenverbindungsstruktur, Leiterrahmen und Verfahren zum Bilden der Elektrodenverbindungsstruktur 未知
公开(公告)号：DE112017001206T5
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：DE112017001206
申请日：2017-03-07
申请人： MITSUI HIGH TEC , UNIV WASEDA
发明人： TATSUMI KOHEI , UEDA KAZUTOSHI , SATO NOBUAKI , SHIMIZU KOJI
IPC分类号： H01L23/50 , H01L21/60
摘要： [Problem] Es soll eine Elektrodenverbindungsstruktur und dergleichen geschaffen werden, in denen mehrere langgestreckte Leiter parallel angeordnet sind und eine Längsseitenfläche jedes Leiters durch eine Plattierungsbehandlung mit hoher Qualität mit einer Elektrode verbunden ist.[Lösung] Eine Elektrodenverbindungsstruktur, in der eine Elektrode eines Halbleiterchips 12 und/oder eine Substratelektrode durch Plattieren mit mehreren langgestreckten Leitern 11 eines Leiterrahmens 10 verbunden sind. Die mehreren langgestreckten Leiter 11 des Leiterrahmens 10 sind parallel angeordnet und eine Längsseitenfläche jedes Leiters 11 ist durch Plattieren mit der Elektrode des Halbleiterchips 12 und/oder mit der Substratelektrode verbunden. In einem Verbindungsabschnitt einer ersten Verbindungsfläche 13 der Elektrode des Halbleiterchips 12 und/oder der Substratelektrode, wobei die erste Verbindungsfläche 13 mit den Leitern 11 verbunden ist, und einer zweiten Verbindungsfläche 14 in der Längsseitenfläche jedes Leiters 11, wobei die zweite Verbindungsfläche 14 mit der ersten Verbindungsfläche 13 verbunden ist, nimmt ein Abstand zwischen der ersten Verbindungsfläche 13 und der zweiten Verbindungsfläche 14 von einem Kantenabschnitt 15 der zweiten Verbindungsfläche 14, wobei der Kantenabschnitt 15 mit der ersten Verbindungsfläche 13 in Kontakt steht, in Richtung eines Außenabschnitts 16 der zweiten Verbindungsfläche 14 kontinuierlich zu.

4. 发明公开

EP3069811A4 METAL BONDING STRUCTURE, METAL BONDING METHOD, AND METAL BONDING MATERIAL USING METAL NANOPARTICLES 审中-公开
公开(公告)号：EP3069811A4
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：EP14859401
申请日：2014-11-11
申请人： NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORP , UNIV WASEDA
发明人： TATSUMI KOHEI , ISHIKAWA SHINJI , MATSUBARA NORIE , TANAKA MASAMOTO
IPC分类号： B23K35/02 , B22F7/08 , B23K35/30 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/32 , B22F7/08 , B22F2999/00 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/28 , B23K35/30 , B23K35/3033 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C19/00 , C22C21/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/03436 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/04026 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/2741 , H01L2224/29083 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29318 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2949 , H01L2224/29639 , H01L2224/29644 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/83055 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83424 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/8384 , H01L2224/85207 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , B22F1/0018 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2924/0104 , H01L2924/01026 , H01L2924/01025 , H01L2924/01047 , H01L2924/01015 , H01L2924/01079 , H01L2924/0103 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
摘要： The present invention can give a joining structure using metal nanoparticles to join the same types or different types of metal where when one surface metal is Al based, the parts are joined through a joining layer containing Ni nanoparticles, whereby a good joining strength is obtained. Further, by using two joining layers (6, 8) including metal nanoparticles to sandwich metal foil (7) so as to form a joining layer and joining the same type or different types of surface metals (3-4) through this joining layer, it is possible to ease the thermal stress due to the difference in amounts of thermal expansion of joined members which have two surface metals.

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