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1. 发明专利

JPH01257701A MOISTURE SEPARATOR DRAIN TANK WATER LEVEL CONTROLLER 失效
公开(公告)号：JPH01257701A
公开(公告)日：1989-10-13
申请号：JP8218088
申请日：1988-04-05
申请人： NIPPON ATOMIC IND GROUP CO , TOSHIBA CORP
发明人： UDAGAWA KAZUYUKI , SATO HITOSHI , ONO HIROSHI
IPC分类号： F01D25/32 , F01K7/24
摘要： PURPOSE:To restrain the change of a water level at the time of changing the output of a plant by adding the signal of the first water level detector to that of the secondary water level detector and controlling a bypass valve according to deviation between the added signal and a standard level in a nuclear power plant. CONSTITUTION:Water level signals 11, 18 from the first water level detector and the second water level detector are added to output a wide area water level signal 21. Deviation between 23 the wide area water level signal 21 and a standard water level 9 is calculated by a subtractor 24 and the deviation 23 is input to a controller 19A for outputting a control signal 25. Value exceeding predetermined value in the control signal is output to a bypass valve 16 via a limiter 26. Change of a drain tank water level at the time of changing the output of a plant can thereby be restrained.

2. 发明专利

JPH02173599A WATER LEVEL CONTROLLER OF MOISTURE SEPARATOR DRAIN TANK 失效
公开(公告)号：JPH02173599A
公开(公告)日：1990-07-05
申请号：JP32994388
申请日：1988-12-27
申请人： NIPPON ATOMIC IND GROUP CO , TOSHIBA CORP
发明人： SATO HITOSHI , UDAGAWA KAZUYUKI , ONO HIROSHI
IPC分类号： G21D1/00 , G21D3/08
摘要： PURPOSE:To stably control a water level of a drainage tank by changing a drainage water-level set value when a drainage water-level rises to the upper limit of a normal control range and changing the set value to a water level set value before the change when the water level becomes a reference water level or below. CONSTITUTION:By adding a water level signal 10 of a normal water level detector 9 to a water level signal 14 of an emergency use water level detector 13, a water level signal 21 corresponding to a wide range water level detector is calculated. By allowing this water level signal 21 to pass through a hysteresis 22, water level setting 23 of an emergency use water level control system is given, and a water level deviation signal 24 is calculated. Also, this signal is allowed to pass through a limiter 25, an emergency use control range is prescribed, and thereafter, by an emergency use control system 15, a linear PID operation is executed. In this case, Lu denotes a value corresponding to the upper limit water level of a normal water level control system 15. A limiter 26 gives a saturation characteristic to an output of the emergency use control system 15, and allowed to have an integral rest wind-up operating function of a PID operation. When a real water level is within a normal control range, a water level set value of the emergency use control system 15 is 2Lu, and a bypass holds a fully closed state.

3. 发明专利

JPH0235398A OUTPUT CONTROLLING DEVICE OF NUCLEAR POWER PLANT 失效
公开(公告)号：JPH0235398A
公开(公告)日：1990-02-05
申请号：JP18355288
申请日：1988-07-25
申请人： TOSHIBA CORP , NIPPON ATOMIC IND GROUP CO
发明人： ONO HIROSHI , MIYAMOTO CHIKASHI
IPC分类号： G21D3/12
摘要： PURPOSE:To obtain an output controlling device with a quick respondence enough to keep a stable operation by suppressing an excess increment of neutron flux during an output change operation and by preventing a nuclear reactor scram therewith. CONSTITUTION:An adjusting valve for a turbine steam is controlled by an output signal of a pressure control system 22 adjusted by a deviation signal between a neutron signal and a standard signal. A load deviation signal is obtained by the deviation signal and accumulators 32e and 32f, and a pressure setting point is regulated by the load deviation signal, a regulating circuit 21 for the pressure setting point and accumulators 32b and 32c. Moreover, an MG set is controlled by the load deviation signal adjusted by a feed-forward circuit 27, and by a main controller 16, a velocity controller 17 and 18 and by a position regulator 20 for a scooping tube, and also a recirculation pump velocity is controlled to regulate a recirculation flow rate. An adjuster 30 is constituted with a filter 31, an accumulator 32a to obtain a deviation between the neutron signal and the standard value, a limiter 33 and a hysteresis filter 34.

4. 发明专利

JPS6036987A BYPASS DEVICE FOR MAIN STEAM OF NUCLEAR REACTOR 失效
公开(公告)号：JPS6036987A
公开(公告)日：1985-02-26
申请号：JP14493083
申请日：1983-08-10
申请人： NIPPON ATOMIC IND GROUP CO , TOSHIBA KK
发明人： KONISHI HIDEO , ONO HIROSHI
IPC分类号： G21C9/00 , G21C9/004

5. 发明专利

JP2015179579A 導光体および照明装置审中-公开
公开(公告)号：JP2015179579A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：JP2014055651
申请日：2014-03-18
申请人： TOSHIBA CORP
发明人： ONO HIROSHI , KATO MITSUAKI , TAKAMATSU TOMONAO
IPC分类号： F21V8/00 , F21S2/00 , F21S8/04 , G02B6/42 , H01L33/00
摘要：【課題】高い器具効率を実現できる導光体、およびそれを用いた照明装置を提供する。【解決手段】実施形態の導光体は、入射面と、前記入射面に対向する反射面と、を有する導入部と、前記反射面側に設けられた第1の面と、前記入射面側に設けられ前記第1の面と対向する第2の面と、を有する拡散部と、前記反射面と前記第1の面との境界に位置した第1の点と、前記入射面上の第2の点と、を備え、前記第1の点における前記第1の面の曲率中心を第3の点とし、前記導光体の屈折率をnとし、前記第1の点における前記第1の面の曲率をKとし、前記第2の点と前記第3の点との距離をDとすると、第1実施形態に記載した式(4)を満たす。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2015179571A 導光体および照明装置审中-公开
公开(公告)号：JP2015179571A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：JP2014055395
申请日：2014-03-18
申请人： TOSHIBA CORP
发明人： ONO HIROSHI , KATO MITSUAKI , TAKAMATSU TOMONAO , YAMAMOTO YUICHIRO
IPC分类号： F21V8/00 , F21S2/00 , F21S8/04 , G02B6/42 , H01L33/58
摘要：【課題】高い器具効率で薄型な導光体、およびそれを用いた照明装置を提供する。【解決手段】実施形態の導光体は、導光部と、入射面と、前記入射面と接続する湾曲面と、を有するとともに前記導光部に接続されて前記導光部に光を導く導入部と、を備え、前記入射面上の第1の点と前記湾曲面上の第2の点とを結ぶ線分と、前記第2の点における前記湾曲面の法線と、のなす角&thetas;は、前記導光体の屈折率をnとすると、&thetas;≧sin-1(1/n) である。【選択図】図2

7. 发明专利

JP2014241227A 照明装置および光ガイド有权
标题翻译：照明设备和光学指南
公开(公告)号：JP2014241227A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2013123101
申请日：2013-06-11
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： ONO HIROSHI , YAMAMOTO YUICHIRO , KATO MITSUAKI , KUNO KATSUMI
IPC分类号： F21S2/00 , F21V8/00
CPC分类号： F21K9/232 , F21K9/61 , F21V3/02 , F21Y2101/00 , F21Y2115/10
摘要：【課題】広配光でありながら器具効率を高めることができる照明装置を得ることにある。【解決手段】照明装置は、発光面を有する光源と、発光面の重心を通って当該発光面と直交する方向に沿う軸線に対して同軸状に設けられた導光体と、を備えている。導光体は、発光面に面した入射面と、入射面の外周縁から軸線を取り囲むように光源から遠ざかる方向に延出され、入射面から導光体に入射された光源の光を全反射させるように構成された外周面と、入射面に対し軸線の軸方向に離れた位置に設けられた空洞部と、を有している。空洞部は、外周面で全反射された光が導かれる軸線と平行な第1の光拡散面を含む。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：获得尽管光分布宽的能够提高照明效率的照明装置。解决方案：照明装置包括：具有发光面的光源; 以及穿过发光表面的重心并且沿着与发光表面正交的方向与轴同轴地设置的导光体。光导包括：面向发光面的入射面; 外周面，从远离所述光源的方向延伸，以从所述入射面的外周缘围绕所述轴，并且构成为从所述入射面全反射入射到所述光导的光源的光; 以及空腔部，设置在远离所述入射面的轴的轴向的位置。空腔部分包括平行于外部圆周表面上全反射的光线的轴线的第一光扩散表面。

8. 发明专利

JP2014212354A 半導体発光素子及びその製造方法有权
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014212354A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2014167318
申请日：2014-08-20
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： ONO HIROSHI , HIKOSAKA TOSHIKI , MORIOKA TOMOKO , OKA TOSHIYUKI , NUNOUE SHINYA
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/00
摘要：【課題】結晶品質が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施形態によれば、n形半導体層を含む第1半導体層と、p形半導体層を含む第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。前記第1半導体層は、第1凹凸と、第2凹凸と、を有する。前記第1凹凸は、前記第1半導体層の前記発光部とは反対の側の第1主面に設けられ、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう第1方向に対して傾斜した側面を有する。前記第2凹凸は、前記第1凹凸の底面と頂面とに設けられる。前記第2凹凸は、前記底面と前記頂面との間の段差よりも小さい段差を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高晶体质量和高光提取效率的半导体发光元件，并提供其制造方法。解决方案：根据本发明的实施例，提供一种半导体包括n型半导体层的第一半导体层，包括p型半导体层的第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的发光部的发光元件。发光部分包括设置在多个阻挡层之间的多个阻挡层和阱层。第一半导体层具有第一不规则性和第二不规则性。第一凹凸设置在第一半导体层的设置有发光部的相对面的第一主面上，具有从第一半导体层到第二半导体层的第一方向倾斜的侧面。第二不规则部分设置在第一凹凸的底表面和顶表面上。第二不规则部分具有比底表面和顶表面之间的台阶小的步骤。

9. 发明专利

JP2014175496A Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014175496A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013047253
申请日：2013-03-08
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： ONO HIROSHI , MIKI SATOSHI , KATSUNO HIROSHI , SUGIYAMA NAOJI , NUNOUE SHINYA
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/60
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting element that allows preventing warpage and cracking while suppressing reduction in light extraction efficiency, and to provide a method of manufacturing the same.SOLUTION: There is provided a semiconductor light-emitting element including a laminated body and an optical portion. The laminated body includes first and second semiconductor layers and a light-emitting layer. The second semiconductor layer is spaced apart from the first semiconductor layer in a first direction. The light-emitting layer is provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The optical portion is stacked with the laminated body in the first direction. The optical portion extends in a direction perpendicular to the first direction. The length of the optical portion in the first direction is longer than that of the first semiconductor layer in the first direction. The area of the optical portion projected on a plane perpendicular to the first direction is smaller than the area projected on a plane of the laminated body. At least a part of the optical portion contains Al. The Al concentration of at least a part of the optical portion is higher than that of the laminated body.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在抑制光提取效率降低的同时防止翘曲裂纹的半导体发光元件，并提供其制造方法。解决方案提供一种半导体发光元件，其包括：层叠体和光学部。层叠体包括第一和第二半导体层和发光层。第二半导体层在第一方向上与第一半导体层间隔开。发光层设置在第一半导体层和第二半导体层之间。光学部分沿着第一方向与层叠体层叠。光学部分沿垂直于第一方向的方向延伸。第一方向的光学部分的长度比第一方向上的第一半导体层的长度长。投影在与第一方向垂直的平面上的光学部分的面积比投影在层叠体的平面上的面积小。光学部分的至少一部分包含Al。光学部分的至少一部分的Al浓度高于层叠体的Al浓度。

10. 发明专利

JP2014056927A Microwave annealing apparatus and method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：微波退火装置及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2014056927A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2012200499
申请日：2012-09-12
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： ONO HIROSHI , AOYAMA TOMONORI , MIYANO KIYOTAKA , MOTOMIYA YOSHINORI , SHIRATO MASATAKA
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/26 , H05B6/68
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/324 , H01L21/67248 , H05B6/6455 , H05B6/68 , H05B6/806
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the efficiency of low-temperature activation by microwave annealing without tuning an apparatus in accordance with the kind of semiconductor substrate.SOLUTION: A microwave annealing apparatus includes: an enclosure 10 shielding electromagnetic waves; a first electromagnetic wave source 21 supplying a first electromagnetic wave A in the microwave region into the enclosure 10; a second electromagnetic wave source 22 supplying a second electromagnetic wave B having a higher frequency than the first electromagnetic wave A into the enclosure 10; a susceptor 12 provided in the enclosure 10, made from a material transparent to the first electromagnetic wave A, and used for mounting a semiconductor substrate 11; a temperature measuring instrument 13 for measuring the temperature of the semiconductor substrate 11; and a control unit 31 controlling the power of the first and second electromagnetic wave sources 21 and 22 on the basis of the temperature measured by the temperature measuring instrument 13.
摘要翻译：要解决的问题：通过微波退火来提高低温活化的效率，而不需要根据半导体衬底的种类调整设备。微波退火设备包括：屏蔽电磁波的外壳10; 将微波区域中的第一电磁波A提供到外壳10中的第一电磁波源21; 第二电磁波源22将具有比第一电磁波A更高的频率的第二电磁波B提供到外壳10中; 设置在外壳10中的基座12，由对第一电磁波A透明的材料制成，用于安装半导体基板11; 用于测量半导体衬底11的温度的温度测量仪13; 以及控制单元31，其基于由温度测量仪13测量的温度来控制第一和第二电磁波源21和22的功率。

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