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1. 发明专利

DE112009001642T5 Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zu deren Herstellung 未知
公开(公告)号：DE112009001642T5
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：DE112009001642
申请日：2009-05-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YAMARIN HIROYA , TOKIOKA HIDETADA , YAMAMUKA MIKIO
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0392
摘要： Eine Dünnschichtsolarzelle, bei der eine transparente Elektrode mit feinen Oberflächenunregelmäßigkeiten mit geringer Oberflächenrauigkeit und ein im Wesentlichen einheitlicher ebeneninterner Widerstand erzielt ist, kann erhalten werden, indem mehrere erste transparente leitfähige Schichten 2 getrennt voneinander in einer Substratoberfläche auf einem transparenten isolierenden Substrat ausgebildet werden, eine zweite transparente leitfähige Schicht auf den ersten transparenten leitfähigen Schichten 2 ausgebildet wird, die zweite transparente leitfähige Schicht zu einer körnigen Form geätzt wird und erste körnige Teile 4b verstreut auf den ersten transparenten leitfähigen Schichten 2 ausgebildet werden, eine Stromerzeugungsschicht 5 auf den ersten transparenten leitfähigen Schichten 2 und auf den verstreuten ersten körnigen Teilen 4b ausgebildet wird, und eine rückseitige Elektrodenschicht 6 auf der Stromerzeugungsschicht 5 ausgebildet wird.

2. 发明专利

DE60042181D1 未知
公开(公告)号：DE60042181D1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：DE60042181
申请日：2000-03-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： MATSUNO SHIGERU , SATO TAKEHIKO , YAMADA AKIRA , TARUTANI MASAYOSHI , YAMAMUKA MIKIO , HORIKAWA TSUYOSHI , KAWAHARA TAKAAKI , UCHIKAWA FUSAOKI
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/31 , B01J7/02 , B05B1/00 , C23C16/448
摘要： A vaporizing device for CVD source materials comprising: a vaporizer (8) for vaporizing introduced CVD source materials through heating, a spray nozzle (7) the end portion of which is fixedly attached to the vaporizer (8) for spraying the CVD source materials into the vaporizer (8), a cooling mechanism (19, 20) for cooling the spray nozzle (7), and heat conduction restricting means (21) attached either to a fixing portion (25), or provided proximate to a fixing portion of the spray nozzle (7) or the vaporizer (8). The effect can be achieved that generation of non-vaporized residues and particles can be decreased and that improvements in productivity owing to elongation of continuous operation time and decrease in film forming deficiencies can be achieved.

3. 发明专利

DE112009001642B4 Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zu deren Herstellung 未知
公开(公告)号：DE112009001642B4
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：DE112009001642
申请日：2009-05-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YAMARIN HIROYA , TOKIOKA HIDETADA , YAMAMUKA MIKIO
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0392
摘要： Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle, Folgendes umfassend: einen Schritt des Ausbildens einer ersten transparenten leitfähigen Schicht, um mehrere voneinander getrennte erste transparente leitfähige Schichten (2) in einer Substratoberfläche auf einem transparenten isolierenden Substrat (1) auszubilden; einen Schritt des Ausbildens einer zweiten transparenten leitfähigen Schicht, um eine zweite transparente leitfähige Schicht (3) auf den ersten transparenten leitfähigen Schichten (2) auszubilden; einen Ätzschritt, um die zweite transparente leitfähige Schicht (3) zu einer körnigen Form zu ätzen und erste körnige Teile (4a) auszubilden, die auf den ersten transparenten leitfähigen Schichten (2) verstreut sind; einen Schritt des Ausbildens einer Stromerzeugungsschicht, um eine erste Stromerzeugungsschicht (5) auf den ersten transparenten leitfähigen Schichten (2) und den verstreuten ersten körnigen Teilen (4a) auszubilden; und einen Schritt des Ausbildens einer rückseitigen Elektrodenschicht, um eine rückseitige Elektrodenschicht (6) auf der Stromerzeugungsschicht (5) auszubilden.

4. 发明专利

DE112009002455T5 Plasma-CVD-Vorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschicht, Verfahren zum Herstellen einer Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zum Reinigen einer Plasma-CVD-Vorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112009002455T5
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：DE112009002455
申请日：2009-10-14
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YAMARIN HIROYA , YAMAMUKA MIKIO , ORITA TAE
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/56 , H01L31/04
摘要： Eine Plasma-CVD-Vorrichtung umfasst: eine Schichtausbildungskammer 4; ein Halteteil, das ein zu bearbeitendes Substrat haltert, das in der Schichtausbildungskammer 4 angeordnet ist; einen Strahlkopf 5, der dem Halteteil zugewandt in der Schichtausbildungskammer 4 angeordnet ist, Rohstoffgas zuführt und ein Plasma aus dem Rohstoffgas erzeugt; eine Radikalerzeugungskammer 8, die an einer entgegengesetzten Seite des Strahlkopfs 5 in Bezug auf das Halteteil angeordnet ist und Radikale aus Prozessgas erzeugt; und ein Verschlusselement 9, das geöffnet und geschlossen werden kann und zwischen dem Strahlkopf 5 und der Radikalerzeugungskammer 8 vorgesehen ist.

5. 发明公开

EP2192619A4 THIN-FILM SOLAR CELL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：薄膜太阳能电池及其制备方法
公开(公告)号：EP2192619A4
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：EP08832752
申请日：2008-09-17
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YAMAMUKA MIKIO , ORITA TAE , YAMARIN HIROYA
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/076
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/076 , Y02E10/548

6. 发明专利

JP2014130943A Solar cell and manufacturing method therefor 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：JP2014130943A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：JP2012288408
申请日：2012-12-28
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： NAKAMURA KEISUKE , YAMAMUKA MIKIO , FURUHATA TAKEO , YAMAGUCHI SHINSAKU , SHINAGAWA TOMOHIRO , YASUI SHINICHI
IPC分类号： H01L31/06 , H01L21/205
CPC分类号： Y02E10/547 , Y02E10/548
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form an excellent junction interface by maintaining the interface of an n-type semiconductor layer deposited on a rear side and a crystal silicon substrate in a clean state of less impurities, when using an n-type crystal silicon substrate as the crystal silicon substrate, in the manufacture of a heterojunction solar cell.SOLUTION: A manufacturing method of a solar cell includes a first step for forming a protective layer on the rear side of a crystalline semiconductor substrate, a second step for forming an intrinsic semiconductor layer and a p-type amorphous semiconductor layer on a light-receiving surface, a third step for removing the protective layer, and a fourth layer for forming an intrinsic semiconductor layer and an n-type amorphous semiconductor layer on the rear side, being carried out in this order.
摘要翻译：要解决的问题：为了通过保持沉积在后侧的n型半导体层与晶体硅衬底的界面在较少杂质的清洁状态下形成优异的接合界面，当使用n型晶体硅衬底作为晶体硅衬底，制造异质结太阳能电池。解决方案：太阳能电池的制造方法包括在晶体半导体衬底的后侧形成保护层的第一步骤，用于形成本征半导体的第二步骤层和在受光面上的p型非晶半导体层，用于去除保护层的第三步骤，以及用于形成背面的本征半导体层和n型非晶半导体层的第四层，被携带在这个顺序。

7. 发明专利

JP2012186205A Method and apparatus for manufacturing thin-film silicon solar cell 审中-公开
标题翻译：制造薄膜太阳能电池的方法和装置
公开(公告)号：JP2012186205A
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：JP2011046420
申请日：2011-03-03
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： SHINTANI KENJI , YAMAMUKA MIKIO , YAMAGUCHI SHINSAKU
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/545 , Y02E10/548
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a method and an apparatus for manufacturing a thin-film silicon solar cell excellent in photoelectric conversion efficiency and yield.SOLUTION: The method for manufacturing a thin-film silicon solar cell includes: a haze ratio measuring step of measuring a haze ratio of a substrate on one surface of which a texture is formed; a film-forming condition determining step of determining film-forming conditions of a silicon-containing film on the basis of measurement results of the haze ratio of the substrate; and a film-forming step of forming a photoelectric conversion cell composed of a microcrystalline silicon-containing film on the substrate by a CVD method in accordance with the film-forming conditions determined in the film-forming condition determining step.
摘要翻译：要解决的问题：获得光电转换效率和产率优异的薄膜硅太阳能电池的制造方法和装置。解决方案：薄膜硅太阳能电池的制造方法包括：雾度比测量步骤，测量其一个表面上形成纹理的基板的雾度比; 基于所述基板的雾度比的测量结果确定含硅膜的成膜条件的成膜条件确定步骤; 以及成膜步骤，根据成膜条件确定步骤中确定的成膜条件，通过CVD法在基板上形成由微晶硅膜组成的光电转换单元。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2011071278A Photoelectric converting device and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2011071278A
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：JP2009220506
申请日：2009-09-25
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： KANEMOTO KYOZO , KONISHI HIROFUMI , TOKIOKA HIDETADA , YAMAMUKA MIKIO , FUCHIGAMI HIROYUKI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve conductivity between photoelectric converting layers located on both sides of an intermediate layer of a laminated type photoelectric converting device. SOLUTION: An intermediate layer 5 sandwiched by an amorphous Si photoelectric converting layer 4 and a microcrystal Si photoelectric converting layer 6 is a double-layer structure of a positive charge holding aluminum oxide layer 5a having a positive fixed charge in the interface of the amorphous Si photoelectric converting layer 4 side and a negative charge holding aluminum oxide layer 5b having a negative fixed charge in the interface of the opposite side microcrystal Si photoelectric converting layer 6 side. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提高位于层叠型光电转换装置的中间层两侧的光电转换层之间的导电性。解决方案：由非晶Si光电转换层4和微晶Si光电转换层6夹持的中间层5是在正极固定的氧化铝层5a的界面处具有正的固定电荷的双电层结构非晶Si光电转换层4侧和在相对侧微晶Si光电转换层6侧的界面具有负固定电荷的负电荷保持氧化铝层5b。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2012219288A Thin film fabricating apparatus and thin film fabrication method 审中-公开
标题翻译：薄膜生产设备和薄膜生产方法
公开(公告)号：JP2012219288A
公开(公告)日：2012-11-12
申请号：JP2011083702
申请日：2011-04-05
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： YAMAMUKA MIKIO , SHINTANI KENJI , YAMAGUCHI SHINSAKU
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film fabricating apparatus which can fabricate a thin film of excellent physical properties by eliminating influence of reaction products remaining during cleaning treatment without newly generating impurities or damaging inside of a film deposition chamber.SOLUTION: The thin film fabricating apparatus includes a film deposition chamber 11, a stage 12, a raw material gas supply means for supplying raw material gas in the film deposition chamber 11, a cleaning gas supply means for supplying cleaning gas which is reacted with deposits adhered in the film deposition chamber 11 caused by forming the film and generates reaction products into the film deposition chamber 11, a reaction product removing gas supply means for supplying reaction product removing gas containing elements which is reacted with a component of the reaction product to generate gas into the film deposition chamber 11, a shower head 14 arranged opposite to the stage 12, and light sources 19a-19c for radiating the light having the energy for dissociating the reaction product and the reaction product removing gas. The light sources 19a-19c are arranged so as to irradiate an area in the film deposition chamber 11 to which the deposits are adhered, with light.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种薄膜制造装置，其可以通过消除在清洁处理期间剩余的反应产物的影响而不会产生杂质或损坏成膜室内部的物质的薄膜。＆lt; P＆gt;解决方案：薄膜制造装置包括成膜室11，台12，用于在成膜室11中供应原料气体的原料气体供给装置，用于供给清洁气体的清洁气体供给装置，与附着在成膜室11中的沉积物反应，并通过形成膜产生反应产物到反应产物去除气体供应装置，该反应产物除去气体供应装置包含与反应成分反应的元素产生气体进入成膜室11，与台12相对设置的淋浴喷头14，以及用于照射具有用于解离反应产物和反应产物除去气体的能量的光的光源19a-19c。光源19a-19c被布置成用光照射沉积物附着的成膜室11中的区域。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2011181669A Method of manufacturing solar cell 有权
标题翻译：制造太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP2011181669A
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：JP2010044201
申请日：2010-03-01
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： YAMAMUKA MIKIO , KANEMOTO KYOZO , KONISHI HIROFUMI , TOKIOKA HIDETADA , FUCHIGAMI HIROYUKI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/545 , Y02E10/548
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a solar cell in which an aluminum oxide film is arranged without forming a silicon oxide film on an interface between two silicon film.
SOLUTION: The method of manufacturing the solar cell includes a first process of forming a first silicon film as an upper part of a first photoelectric conversion element on a substrate; a second process of forming an aluminum film on the first silicon film; a third process of changing the aluminum film into an aluminum hydroxide oxide film through boehmite treatment; a fourth process of changing the aluminum hydroxide oxide film into an aluminum oxide film through heat treatment; and a fifth process of forming a second silicon film as a lower part of a second photoelectric conversion element differing in band gap from the first photoelectric conversion element on the aluminum oxide film.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种太阳能电池的制造方法，其中在两个硅膜之间的界面上形成氧化铝膜而不形成氧化硅膜。解决方案：太阳能电池的制造方法包括在基板上形成作为第一光电转换元件的上部的第一硅膜的第一工序; 在所述第一硅膜上形成铝膜的第二工序; 通过勃姆石处理将铝膜变成氢氧化铝氧化物膜的第三种方法; 通过热处理将氢氧化铝氧化膜改变为氧化铝膜的第四种方法; 以及形成第二硅膜作为与氧化铝膜上的第一光电转换元件不同带隙的第二光电转换元件的下部的第五工艺。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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