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    • 4. 发明专利
    • ROTOR, ROTIERENDE ELEKTRISCHE MASCHINE, ELEKTRISCHER KOMPRESSOR UND KÜHL/KLIMATISIERUNGS-VORRICHTUNG
    • DE112016003983T5
    • 2018-07-05
    • DE112016003983
    • 2016-08-19
    • MITSUBISHI ELECTRIC CORP
    • NAKAMURA HIDEYUKISHONO KAZUHIROTAMURA YUKIMASUMOTO KOJI
    • H02K1/27F04B39/00H02K1/22
    • Ein Rotorkern wird durch Stapeln einer Mehrzahl von Kernplatten (1) konfiguriert, die jeweils Folgendes aufweisen: einen Kernbereich (2) auf der inneren Umfangsseite; einen Kernbereich (3) auf der äußeren Umfangsseite; ein Magnet-Einsetzloch (5); einen radialen Verbindungsbereich (6b), der so angeordnet ist, dass er mit dem Kernbereich (2) auf der inneren Umfangsseite verbunden ist; einen Umfangs-Verbindungsbereich (6a), der so angeordnet ist, dass er zwischen den Kernbereich (3) auf der äußeren Umfangsseite und den radialen Verbindungsbereich (6b) geschaltet ist, der einen Bereich mit minimaler Breite aufweist, der eine Breite aufweist, die geringer als Breiten an beiden Enden ist, und eine Breite aufweist, die von beiden Enden in Richtung zu dem Bereich mit minimaler Breite gleichmäßig abnimmt; sowie einen dünnen Bereich (12), der einen Bereich mit gleichmäßiger Dicke, der in dem Umfangs-Verbindungbereich (6a) angeordnet ist und der eine gleichmäßige Dicke aufweist, und einen Bereich mit nicht-gleichmäßiger Dicke aufweist, der benachbart zu dem Bereich mit gleichmäßiger Dicke ist und eine zunehmende Dicke aufweist, wobei der dünne Bereich (12) den Bereich mit minimaler Breite innerhalb des Bereichs mit gleichmäßiger Dicke aufweist. Auch wenn die Dicke des Umfangs-Verbindungsbereichs (6a) verringert ist, ist eine ausreichende Festigkeit sichergestellt, und ein magnetischer Streufluss kann verringert werden.
    • 6. 发明专利
    • ELECTRON SHOWER GENERATION.
    • GB2255225A
    • 1992-10-28
    • GB9205312
    • 1992-03-11
    • MITSUBISHI ELECTRIC CORP
    • SHONO KAZUHIROFUJISHITA NAOMITSUNOGUCHI KAZUHIKONAGAYAMA TAKAHISASASAKI SHIGEO
    • H01J37/02H01J37/317
    • An electron shower apparatus 1, for neutralising the charge formed on a semiconductor target 9 during ion implantation, is operated or constructed in such a way that the magnetic field generated by the heating current flowing in the electron emitting filament 2 is reduced or eliminated whereby it's adverse effect on the emitted electron shower 11 is reduced or avoided. This may be achieved by (i) pulsing the filament current using pulse source 6 and extracting the electron shower only during the periods when the filament current is off; (ii) providing an adjacent element either separate from or integral with the filament, Figs 5-9 (not shown), through which current flows in a direction to provide an opposing or cancelling magnetic field; (iii) using a permanent or electromagnet to provide an opposing magnetic field, Fig. 10 (not shown). Two pulsed sources as in (i) may be operated alternately to give an effectively continuous electron shower at the target. The filament may be divided into three separately energised parts which are controlled individually in response to the monitored target charge distribution, Figs 11-13 (not shown), to vary the charge profile or position of the electron shower. Alternatively, Fig. 14 (not shown), a compensating filament may be translated or rotated with respect to the electron cutting filament in response to the monitored target charge.