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1. 发明申请

WO2006031280A3 PROBE ARRAYS AND METHOD FOR MAKING 审中-公开
标题翻译：探索阵列和制作方法
公开(公告)号：WO2006031280A3
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/US2005023706
申请日：2005-06-30
申请人： MICROFABRICA INC , KUMAR ANANDA H , KRUGLICK EZEKIEL J J , COHEN ADAM L , KIM KIEUN , ZHANG GANG , CHEN RICHARD T , BANG CHRISTOPHER A , ARAT VACIT , LOCKARD MICHAEL S , FRODIS URI , LEMBRIKOV PAVEL B , THOMPSON JEFFREY A
发明人： KUMAR ANANDA H , KRUGLICK EZEKIEL J J , COHEN ADAM L , KIM KIEUN , ZHANG GANG , CHEN RICHARD T , BANG CHRISTOPHER A , ARAT VACIT , LOCKARD MICHAEL S , FRODIS URI , LEMBRIKOV PAVEL B , THOMPSON JEFFREY A
IPC分类号： G01R31/02
CPC分类号： G01R1/07378 , G01R1/06744 , G01R3/00 , H01L23/66 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/18165 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要： Embodiments of invention are directed to the formation of microprobes (i.e. compliant electrical or electronic contact elements) on a temporary substrate (306), dicing individual probe arrays (300), and then transferring the arrays to space transformers or other permanent substrates (310). Some embodiments of the invention transfer probes (302) to permanent substrates (310) prior to separating the probes (302) from a temporary substrate (306) on which the probes (302) were formed while other embodiments do the opposite. Some embodiments, remove sacrificial material (308) prior to transfer while other embodiments remove sacrificial material (308) after transfer. Some embodiments are directed to the bonding of first and second electric components together using one or more solder bumps with enhanced aspect ratios (i.e. height to width ratios) obtained as a result of surrounding the bumps at least in part with rings of a retention material. The retention material may act be a solder mask material.
摘要翻译：本发明的实施例涉及在临时衬底（306）上形成微探针（即柔性电子或电子接触元件），切割各个探针阵列（300），然后将阵列转移到空间变压器或其它永久衬底（310）。在将探针（302）与其上形成有探针（302）的临时衬底（306）分离之前，本发明的一些实施例将探针（302）转移到永久衬底（310），而其他实施例相反。一些实施例，在转移之前去除牺牲材料（308），而其他实施例在转移之后去除牺牲材料（308）。一些实施例涉及使用一个或多个具有增强的纵横比（即，高度与宽度比）的焊料凸块来将第一和第二电气部件接合在一起，这是由于至少部分地由保持材料的环围绕凸块而得到的。保留材料可以用作焊接掩模材料。

2. 发明申请

WO2005065431A3 MICROPROBE TIPS AND METHODS FOR MAKING 审中-公开
标题翻译： MICROPROBE提示和制作方法
公开(公告)号：WO2005065431A3
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/US2005000301
申请日：2005-01-03
申请人： MICROFABRICA INC , KIM KIEUN , COHEN ADAM L , LARSEN WILLA M , CHEN RICHARD T , KUMAR ANANDA H , KRUGLICK EZEKIEL J J , ARAT VACIT , ZHANG GANG , LOCKARD MICHAEL S , BANG CHRISTOPHER A , THOMPSON JEFFREY A
发明人： KIM KIEUN , COHEN ADAM L , LARSEN WILLA M , CHEN RICHARD T , KUMAR ANANDA H , KRUGLICK EZEKIEL J J , ARAT VACIT , ZHANG GANG , LOCKARD MICHAEL S , BANG CHRISTOPHER A , THOMPSON JEFFREY A
IPC分类号： G01R3/00 , G01R31/02
CPC分类号： G01R3/00
摘要： Embodiments of the present invention are directed to the formation of microprobe tips elements (164) having a variety of configurations. In some embodiments tips (164) are formed from the same building material as the probes themselves, while in other embodiments the tips (164) may be formed from a different material and/or may include a coating material (508). In some embodiments, the tips (164) are formed before the main portions of the probes and the tips (164) are formed in proximity to or in contact with a temporary substrate (152). Probe tip patterning may occur in a variety of different ways, including, for example, via molding in patterned holes that have been isotropically or anisotropically etched silicon, via molding in voids formed in over exposed photoresist, via molding in voids in a sacrificial material that have formed as a result of the sacrificial material mushrooming over carefully sized and located regions of dielectric material, via isotropic etching of a the tip material around carefully sized placed etching shields, via hot pressing, and the like.
摘要翻译：本发明的实施例涉及形成具有各种构造的微探针尖元件（164）。在一些实施例中，尖端（164）由与探针本身相同的建筑材料形成，而在其它实施例中，尖端（164）可由不同材料形成和/或可包括涂层材料（508）。在一些实施例中，尖端（164）形成在探针的主要部分之前，并且尖端（164）形成在临时衬底（152）附近或与其接触。探针尖端图案化可以以各种不同的方式发生，包括例如通过在各向异性或各向异性地蚀刻硅的图案化孔中模制，通过在暴露在光致抗蚀剂中的空隙中模制，通过在牺牲材料中的空隙中模制，由于牺牲材料在电介质材料的精细尺寸和定位的区域上的形成，通过各种各向同性的蚀刻尖端材料，围绕小心尺寸放置的蚀刻屏蔽件，通过热压等形成。

3. 发明申请

WO2005065430A3 ELECTROCHEMICAL FABRICATION METHODS FOR PRODUCING MULTILAYER STRUCTURES INCLUDING THE USE OF DIAMOND MACHINING IN THE PLANARIZATION OF DEPOSITS OF MATERIAL 审中-公开
标题翻译：用于生产多层结构的电化学制造方法，包括在材料沉积的平面化中使用金刚石加工
公开(公告)号：WO2005065430A3
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/US2005000165
申请日：2005-01-03
申请人： MICROFABRICA INC , COHEN ADAM L , FRODIS URI , LOCKARD MICHAEL S , KUMAR ANANDA H , ZHANG GANG , SMALLEY DENNIS R
发明人： COHEN ADAM L , FRODIS URI , LOCKARD MICHAEL S , KUMAR ANANDA H , ZHANG GANG , SMALLEY DENNIS R
IPC分类号： B05D1/38 , C08K3/00 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D3/48 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D21/12 , H01L21/288 , H01L21/301 , H01L21/302 , H01L21/4763 , H01L21/768
CPC分类号： C25D5/48 , B33Y10/00 , B81C1/00492 , B81C99/0065 , B81C2201/0104 , B81C2201/0197 , C25D1/00 , C25D1/003 , C25D5/022 , C25D5/10 , C25D21/12 , H01L21/2885 , H01L21/76885 , Y10T156/1052
摘要： Electrochemical fabrication methods for forming single and multilayer mesoscale and microscale structures are disclosed which include the use of diamond machining (e.g. fly cutting or turning) to planarize layers. Some embodiments focus on systems of sacrificial and structural materials which are useful in Electrochemical fabrication and which can be diamond machined with minimal tool wear (e.g. Ni-P and Cu, Au and Cu, Cu and Sn, Au and Cu, Au and Sn, and Au and Sn-Pb), where the first material or materials are the structural materials and the second is the sacrificial material). Some embodiments focus on methods for reducing tool wear when using diamond machining to planarize structures being electrochemically fabricated using difficult-to-machine materials (e.g. by depositing difficult to machine material selectively and potentially with little excess plating thickness, and/or pre-machining depositions to within a small increment of desired surface level (e.g. using lapping or a rough cutting operation) and then using diamond fly cutting to complete the process, and/or forming structures or portions of structures from thin walled regions of hard-to-machine materials as opposed to wide solid regions of structural material.
摘要翻译：公开了用于形成单层和多层中尺度和微尺度结构的电化学制造方法，其包括使用金刚石机械加工（例如飞切或车削）来平面化层。一些实施例集中于可用于电化学制造的牺牲和结构材料系统，并且该系统可以以最小的工具磨损进行金刚石加工（例如，Ni-P和Cu，Au和Cu，Cu和Sn，Au和Cu，Au和Sn，以及Au和Sn-Pb），其中第一种或多种材料是结构材料，第二种是牺牲材料）。一些实施例集中于减少使用金刚石加工来平坦化使用难加工材料电化学制造的结构时的工具磨损的方法（例如，通过选择性沉积困难的机械材料并且可能几乎没有过量的电镀厚度，和/或预加工沉积在期望的表面水平的小增量内（例如使用研磨或粗切割操作），然后使用金刚石飞切来完成该过程，和/或从难加工材料的薄壁区域形成结构或部分结构而不是结构材料的广阔固体区域。

4. 发明申请

WO2005065433A3 ELECTROCHEMICAL FABRICATION METHODS INCORPORATING DIELECTRIC MATERIALS AND/OR USING DIELECTRIC SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：电介质材料和/或使用电介质基板的电化学制造方法
公开(公告)号：WO2005065433A3
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/US2005000061
申请日：2005-01-03
申请人： MICROFABRICA INC , COHEN ADAM L , LOCKARD MICHAEL S , KIM KIEUN , LE QUI T , ZHANG GANG , FRODIS URI , MCPHERSON DALE S , SMALLEY DENNIS R
发明人： COHEN ADAM L , LOCKARD MICHAEL S , KIM KIEUN , LE QUI T , ZHANG GANG , FRODIS URI , MCPHERSON DALE S , SMALLEY DENNIS R
IPC分类号： B44C1/22 , C03C15/00 , C03C25/68 , C23C18/16 , C23F1/00 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/34 , H01L21/288 , H01L21/44 , H01L21/4763 , H01L21/768 , B05D1/36
CPC分类号： B44C1/22 , B33Y10/00 , B81C1/00492 , C03C15/00 , C03C25/68 , C23C18/1605 , C23C18/161 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/405 , C23F1/00 , C25D1/003 , C25D5/02 , C25D5/10 , H01L21/2885 , H01L21/44 , H01L21/4763 , H01L21/76885
摘要： Some embodiments of the present invention are directed to techniques for building up single layer or multi-layer structures (222) on dielectric or partially dielectric substrates (202). Certain embodiments deposit seed layer material (206) directly onto substrate materials while other embodiments use an intervening adhesion layer material (324). Some embodiments use different seed layer materials and/or adhesion layer materials for sacrificial (212) and structural (216) conductive building materials. Some embodiments apply seed layer and/or adhesion layer materials in what are effectively selective manners while other embodiments apply the materials in blanket fashion. Some embodiments remove extraneous depositions (e.g. depositions to regions unintended to form part of a layer) via planarization operations while other embodiments remove the extraneous material via etching operations. Other embodiments are directed to the electrochemical fabrication of multilayer mesoscale or microscale structures which are formed using at least one conductive structural material (702), at least one conductive sacrificial material (706), and at least one dielectric material (704). In some embodiments the dielectric material is a UV-curable photopolymer.
摘要翻译：本发明的一些实施例涉及用于在电介质或部分电介质基底（202）上建立单层或多层结构（222）的技术。某些实施例将种子层材料（206）直接沉积到基底材料上，而其它实施例使用中间粘合层材料（324）。一些实施例使用用于牺牲（212）和结构（216）导电建筑材料的不同种子层材料和/或粘合层材料。一些实施例将种子层和/或粘合层材料应用于有选择性的方式，而其他实施例以毯子的方式应用材料。一些实施例通过平面化操作去除外来沉积物（例如沉积到非预期形成层的一部分的区域），而其它实施例通过蚀刻操作去除外来材料。其它实施方案涉及使用至少一种导电结构材料（702），至少一种导电牺牲材料（706）和至少一种电介质材料（704）形成的多层中尺度或微结构结构的电化学制造。在一些实施方案中，介电材料是可UV固化的光聚合物。

5. 发明专利

DE102020134254A1 Verfahren zur Messung der Trittkraft an einem Tretantrieb und Tretantrieb mit mindestens einem Kraftsensor 未知
公开(公告)号：DE102020134254A1
公开(公告)日：2022-06-23
申请号：DE102020134254
申请日：2020-12-18
申请人： SCHEFTLEIN FRANK , ZHANG GANG , ZHONG MING
发明人： SCHEFTLEIN FRANK , ZHANG GANG , ZHONG MING
IPC分类号： B62M6/50
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung der Trittkraft an einem Tretantrieb (1) mittels mindestens eines Kraftsensors (100), wobei der Tretantrieb (1) zumindest durch zwei durch eine in einem Lagergehäuse (101) mittels eines Tretlagers (105) drehbar gelagerte Tretlagerwelle (102) miteinander verbundene Tretkurbeln (103) sowie mindestens einem mit einer Tretkurbel (103) verbundenen Antriebsblatt (104) gebildet ist, welches mit mindestens einem weiteren Antriebsblatt über eine Kette oder einen Riemen verbunden ist. Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass die durch die angespannte Kette oder den Riemen auf ein Bauteil des Tretantriebs (1) ausgeübte Zugkraft (K) mittels des mindestens einen Kraftsensors (100) ermittelt wird.

6. 发明专利

DE102021108107A1 Photovoltaik-Einheit für Gewässer 未知
公开(公告)号：DE102021108107A1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：DE102021108107
申请日：2021-03-30
申请人： SCHULTE ENNO , ZHANG GANG
发明人： ZHANG GANG , SCHULTE ENNO
IPC分类号： H02S20/30 , B63B21/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine PV-Einheit (100) zum Einsatz auf Gewässern, insbesondere auf dem Meer. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform kann dabei ein Modulfeld (120) mit mindestens einem PV-Modul situationsabhängig von einer Betriebsposition an der Gewässeroberfläche (GO) in eine Tauchposition (ST) unterhalb der Gewässeroberfläche (GO) verlagert werden. Zu diesem Zweck ist das Modulfeld (120) vorzugsweise positionsveränderlich mit einem Feldhalter (110) verbunden, welcher am Gewässerboden (GB) fixiert ist.

7. 发明申请

WO2012119123A3 TEMPERATURE COMPENSATION AND COARSE TUNE BANK SWITCHES IN A LOW PHASE NOISE VCO 审中-公开
标题翻译：低相位噪声压控振荡器中的温度补偿和谐波调节银行开关
公开(公告)号：WO2012119123A3
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/US2012027603
申请日：2012-03-02
申请人： QUALCOMM INC , ZHANG GANG
发明人： ZHANG GANG
IPC分类号： H03L7/099 , H03L1/02 , H03L7/10
CPC分类号： H03L7/099 , H03L1/02 , H03L7/104
摘要： The LC tank of a VCO includes a main varactor circuit and temperature compensation varactor circuit coupled in parallel with the main varactor circuit. The main varactor is used for fine tuning. The temperature compensation varactor circuit has a capacitance- voltage characteristic that differs from a capacitance-voltage characteristic of the main varactor circuit such that the effects of common mode noise across the two varactor circuits are minimized. The LC tank also has a plurality of switchable capacitor circuits provided for coarse tuning. To prevent breakdown of the main thin oxide switch in each of the switchable capacitor circuits, each switchable capacitor circuit has a capacitive voltage divider circuit that reduces the voltage across the main thin oxide switch when the main switch is off.
摘要翻译： VCO的LC箱包括与主变容二极管并联耦合的主变容二极管电路和温度补偿变容二极管电路。主变容器用于微调。温度补偿变容二极管的电容电压特性与主变容二极管电路的电容 - 电压特性不同，使两个变容二极管之间的共模噪声的影响最小化。 LC箱还具有用于粗调的多个可切换电容器电路。为了防止每个可切换电容器电路中的主薄氧化物开关的破坏，每个可切换电容器电路具有电容分压器电路，当主开关断开时，电容分压电路降低主薄氧化物开关两端的电压。

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