专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007131383A1 FLEXIBLER SCHICHTAUFBAU MIT INTEGRIERTEM SCHALTKREIS 审中-公开
标题翻译：以集成电路为柔性层施工
公开(公告)号：WO2007131383A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：PCT/CH2007/000250
申请日：2007-05-15
申请人： LANDQART , BÜRKI, Roman , BÖCK, Josef
发明人： BÜRKI, Roman , BÖCK, Josef
IPC分类号： G06K19/077 , B42D15/10
CPC分类号： B42D25/47 , B42D25/00 , B42D25/24 , B42D25/46 , B42D2033/32 , B42D2033/46 , G06K19/077
摘要： Beschrieben wird eine flexible Mehrschichtstruktur (1) mit RFID-Chip (10) und Antenne (8), wobei RFID-Chip (10) und Antenne (8) derart in die Mehrschichtstruktur (1) integriert sind, dass sie nicht auftragen. Eine besonders widerstandsfähige, den Chip und die Antenne schützende und trotzdem langanhaltend flexible Struktur ohne Bruchrisiko wird zur Verfügung stellt, indem wenigstens eine der Schichten (3-6) aus einem Vliesstoff oder einem offenzelligen Schaumstoff besteht, dessen Hohlräume mit einem flexiblen Kleber im wesentlichen befüllt sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Mehrschichtstruktur beschrieben, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass wenigstens eine der Schichten (3-6) aus einem Vliesstoff oder einem offenzelligen Schaumstoff in entspanntem, ungepresstem Zustand zugeführt wird, dessen Hohlräume mit dem Kleber im flüssigen Zustand zu 70-85 % des Volumens gefüllt werden, und dass bei der Verbindung mit weiteren Schichten (2-7) und/oder in einem abschliessenden Fusionsprozess der gefüllte Vliesstoff respektive offenzellige Schaumstoff derart gepresst und gegebenenfalls mit Wärme behandelt wird, dass die Hohlräume in der fertigen Mehrschichtstruktur zu wenigstens 90 % befüllt sind.
摘要翻译：公开的是（8），所述RFID芯片（10）和天线（8）在多层结构（1）是集成的，使得它们不适用这样的方式（1）具有RFID芯片（10）和天线的柔性多层结构。一种特别坚韧，所述芯片和所述天线的保护并且还持久而没有断裂的风险柔性结构是可用的是，通过使用所述层中的至少一个（3-6）由非织造材料或具有与柔性粘合剂基本上充满空隙的开孔泡沫的是。此外，描述了用于制造这样的多层结构的方法，该方法的特征在于，所述层中的至少一个（3-6）由无纺织物或在松弛，ungepresstem状态，其空隙与在液体状态向粘合剂开孔泡沫供给的体积的70-85％被填充，并且，在与另外的层（2-7）连接和/或压制成最终的融合过程中，填充的非织造织物，分别以这样的方式开孔泡沫和，如果合适的话，与热在成品处理，该空腔多层结构被填充到至少90％。

2. 发明公开

EP0538432A1 VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN EINER ELEKTRISCHEN SCHALTUNG, INSBESONDERE FÜR EINE MESSONDE UND MESSONDE 失效
标题翻译：设备技术制造电路，特别是对于一个测量探头和测量探头。
公开(公告)号：EP0538432A1
公开(公告)日：1993-04-28
申请号：EP92909450.0
申请日：1992-05-08
申请人： BÖCK, Josef
发明人： BÖCK, Josef
IPC分类号： G01R1 , H01H13 , H01L21 , H05K3 , H05K7
CPC分类号： H05K7/06 , H01H13/702 , H01H2203/008 , H01H2203/01 , H05K3/10 , H05K3/281 , H05K2201/0281 , H05K2201/029 , H05K2201/0352 , H05K2201/0391
摘要： Une sonde de mesure (30) présente un support de substrat d'analyse (A) avec un tissu (1) constitué de fils métalliques (1a) dans le sens de la chaîne et de fils isolants en matière synthétique (1b) dans le sens de la trame. Plusieurs orifices de maille sont dopés avec des substrats d'analyse (32-34) dont la résistance électrique est modifiée en cas de contact avec, par exemple, un liquide à mesurer. Les fils métalliques (1a) passant par les mailles dopées établissent le contact électrique avec l'extérieur ou avec un circuit d'évaluation (B) se présentant de préférence sous la forme d'un circuit intégré.

3. 发明授权

EP0160056B1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM VERPRESSEN VON FLEXIBLEN FOLIEN 失效
标题翻译：压缩柔性片的工艺和装置
公开(公告)号：EP0160056B1
公开(公告)日：1988-03-09
申请号：EP84903946.6
申请日：1984-11-02
申请人： BÖCK, Josef
发明人： BÖCK, Josef
IPC分类号： B29D9/00 , H01H11/00 , B32B31/04
CPC分类号： H01H11/00 , B29C2791/006 , B30B15/06 , B32B37/0007 , B32B38/1858 , B32B38/1866 , H01H2229/028 , H01H2229/03 , H01H2229/034 , H01H2239/03 , H05K1/0393 , H05K3/022 , H05K3/281 , Y10T156/17
摘要： The plant comprises a first vacuum plate (10) with openings (14), on which a sheet (1) may be fixed in an exactly planar way by suction. A second plate (20) with a slightly arcuated surface (21) and turned towards the first plate (10) is adjustable in height by two compressing cylinders (30, 40) and is pivotingly fixed to a structure (15). The second plate (20) is also a vacuum plate and may be unrolled on the first plate (10). During the unrolling motion, the second plate is conducted by means of retractable bolts (50) which are engaged into corresponding openings (60) of the second plate (20). To compress two sheets, a first sheet (1) is fixed in an exactly planar way to the first plate (10) by suction and is transferred by an unrolling motion of the second plate (20) thereon, the suction force of the plate (10) being reduced and that of the second plate (20) being correspondingly increased. A second sheet is then fixed to the first plate (10) and cold- or hot-compressed according to the same unrolling process with the first sheet. The plant is particularly appropriate for fabricating sheets or membrane keyboards.

4. 发明申请

WO2004090968A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BIPOLARTRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：用于生产双极晶体管
公开(公告)号：WO2004090968A1
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：PCT/EP2004/003125
申请日：2004-03-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
发明人： BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
IPC分类号： H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/167 , H01L29/66242 , H01L29/7371 , H01L29/7378
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) mit einem darin eingebetteten, nach oben freiliegenden Kollektorbereich (25) eines ersten Leitungstyps (n); Vorsehen eines monokristallinen Basisgrundbereichs (30; 32; 120) ; Vorsehen eines Basisanschlussbereichs (40; 160) des zweiten Leitungstyps (p) über dem Basisbereich (30; 32, 34; 120, 130); Vorsehen eines Isolationsbereichs (35; 35''; 170) über dem Basisanschlussbereich (40; 160); Bilden eines Fensters (F) im Isolationsbereich (35; 35''; 170) und Basisanschlussbereich (40; 160) zum zumindest teilweisen Freilegen des Basisbereichs (30; 32, 34; 120, 130); Vorsehen eines isolierenden Seitenwandspacers (55'; 80; 180) im Fenster zum Isolieren des Basisanschlussbereichs (40; 160; differentielles Abscheiden und Strukturieren einer Emitterschicht (60a, 60b), welche oberhalb des Basisbereichs (30; 32, 34; 120, 130) einen monokristallinen Emitterbereich (60a) und oberhalb des Isolationsbereich (35; 35''; 170) und des Seitenwandspacers (55'; 80; 180) einen polykristallinen Emitterbereich (60a) bildet; und Durchführen eines Temperschritts.
摘要翻译：本发明提供了一种用于制造双极晶体管，包括以下步骤的方法：提供半导体衬底（1），具有第一导电类型（n）的一个嵌入的朝上暴露的集电区（25）; 提供了一个单晶基体底座部分（30; 32; 120）; 基部上方的第二导电类型（p）的;一个基极连接区域（160 40）的规定（32，34; 30 120，130）; 提供了一个隔离区域（35; 35'; 170）的基极端子区域（40; 160）; （35'; 170 35）和基极连接区域（40; 160）在所述隔离区中形成一个窗口（F）用于至少部分地暴露所述基极区域（30; 32，34; 120，130）; 提供绝缘侧壁间隔物（55“; 80; 180）; 160;在窗口的基极端子区域（40隔离差动沉积和图案化的发射极层（60A，60B），其（基极区域30的上方; 32，34; 120，130）单晶发射极区（60A）和所述隔离区上方（35; 35'; 170）和所述侧壁间隔物（55“; 80; 180）形成发射极区域（60A）的多晶;以及执行退火步骤。

5. 发明申请

WO2004095584A1 BIPOLARTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
标题翻译：双极和方法生产同样
公开(公告)号：WO2004095584A1
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：PCT/EP2004/050335
申请日：2004-03-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
发明人： BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
IPC分类号： H01L29/417
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L29/0821 , H01L29/41708 , H01L29/732
摘要： Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Bipolartransistor (1), bestehend aus zumindest einem Emitterkontakt (2), der an einen Emitteranschlussbereich (3) angrenzt, einem Basiskontakt (4), der an einem Basisanschlussbereich (5) angrenzt, einem Kollektorkontakt (6), der an einen Kollektoranschlussbereich (7) angrenzt, wobei als Kollektoranschlussbereich eine vergrabene Schicht (7) vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt (6) mit einem Kollektorgebiet (14) verbindet. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung solch eines (15) Hochfrequenz-Bipolartransistors (1). Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass eine Silizidregion (8) auf der vergrabenen Schicht (7) vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt (6) niederohmig an das Kollektorgebiet (14) anschliesst.
摘要翻译：本发明涉及一种高频双极晶体管（1）由至少一个发射极接触（2），其邻近于发射极端子区的（3），一个基极接触（4），其是邻近于基体终端区域（5），一个集电极接触（6），集电极端子区域（7）相邻，其中的隐埋层（7）被作为连接集电极接触（6），其具有集电区（14）的集电极连接区提供。此外，本发明涉及一种用于制造这样的（15）的高频双极晶体管（1）的方法。本发明的特征在于，所述掩埋层（7）上形成硅化物区域（8）被提供时，集电极接触（6）具有低阻抗到集电极区域（14）邻接。

6. 发明授权

EP0538432B1 VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN EINER ELEKTRISCHEN SCHALTUNG, INSBESONDERE FÜR EINE MESSONDE UND MESSONDE 失效
标题翻译：设备技术制造电路，特别是对于一个测量探头和测量探头。
公开(公告)号：EP0538432B1
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：EP92909450.6
申请日：1992-05-08
申请人： BÖCK, Josef
发明人： BÖCK, Josef
IPC分类号： H05K7/06 , H01H13/70
CPC分类号： H05K7/06 , H01H13/702 , H01H2203/008 , H01H2203/01 , H05K3/10 , H05K3/281 , H05K2201/0281 , H05K2201/029 , H05K2201/0352 , H05K2201/0391
摘要： A measuring probe (30) has an analysis substrate support (A) with a woven fabric (1) consisting of metal warp threads (1a) and insulating plastic weft threads (1b) in the woof direction. Some of the mesh apertures are doped with analysis substrates (32-34) which change their electrical resistance on contact with, for example, a liquid to be measured. The metal threads (1a) passing the doped meshes constitute the electrical connection to the outside or to an evaluation circuit (B) which is preferably an integrated circuit.

7. 发明公开

EP0418351A1 FERNSPRECHAPPARAT 失效转让
标题翻译：电话设备。
公开(公告)号：EP0418351A1
公开(公告)日：1991-03-27
申请号：EP90904785.0
申请日：1990-04-03
申请人： BÖCK, Josef
发明人： BÖCK, Josef
IPC分类号： H04M1
CPC分类号： H04M1/02 , H04M1/23
摘要： Un appareil téléphonique stratifié est formé de films en plastique comprimés ensemble. Dans des évidements découpés sont insérés des groupes de composants pré-assemblés connectés à des claviers d'entrée (2, 3, 4) par des pistes conductives imprimées directement sur les films. Les évidements découpés sont eux aussi recouverts de films comprimés. L'étanchéité de toute la partie électronique augmente la fiabilité du fonctionnement et protège les composants contre des influences nuisibles de l'environnement.

8. 发明申请

WO2004090989A1 BIPOLAR-TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：双极型晶体管
公开(公告)号：WO2004090989A1
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：PCT/EP2004/003124
申请日：2004-03-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
发明人： BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , STENGL, Reinhard , SCHÄFER, Herbert
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/0821 , H01L29/167 , H01L29/66242 , H01L29/732 , H01L29/7378
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft einen Bipolar-Transistor mit einem Kollektorbereich (25, 25a) eines ersten Leitungstyps (n); einem Subkollektorbereich (10; 10a, 10b) des ersten Leitungstyps (n+), welcher an einer ersten Seite des Kollektorbereichs (25, 25a) elektrisch an den Kollektorbereich (25, 25a) angeschlossen ist; einem Basisbereich (30) des zweiten Leitungstyps (p), der an einer zweiten Seite des Kollektorbereichs (25, 25a) vorgesehen ist; einem Emitterbereich (50) des ersten Leitungstyps (n+), der auf der vom Kollektorbereich (25, 25a) abgelegenen Seite über dem Basisbereich (30) vorgesehen ist; und einem kohlenstoffdotierten Halbleiterbereich (10; 10a; 24, 24a), der auf der ersten Seite neben dem Kollektorbereich (25, 25a) vorgesehen ist.
摘要翻译：本发明提供了具有第一导电类型（n）的集电区（25，25A）的双极晶体管; 第一导电型（n +），其上的集电极区的第一侧（25，25A）电连接到所述集电极区域（25，25A）被连接的;（10A，10B 10）一个子集电极区; 第二导电类型（p）时，（25，25A）的底部区域（30）设置在所述集电极区域的第二侧; 远程侧基极区（30）的上方设置的第一导电型（n +），形成在从所述区域中的收集器（25，25A）的发射极区域（50）; 和碳掺杂的半导体区域（10; 10A; 24，24a）的（25，25A）被设置在第一侧沿着所述集电区。

9. 发明申请

WO2004040643A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER TRANSISTORSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：一种用于生产晶体管结构
公开(公告)号：WO2004040643A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003552
申请日：2003-10-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BÖCK, Josef , LACHNER, Rudolf , MEISTER, Thomas , SCHÄFER, Herbert , SECK, Martin , STENGL, Reinhard
发明人： BÖCK, Josef , LACHNER, Rudolf , MEISTER, Thomas , SCHÄFER, Herbert , SECK, Martin , STENGL, Reinhard
IPC分类号： H01L21/8222
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222 , H01L27/0825 , H01L29/0821
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Transistorstruktur, bestehend aus mindestens einem ersten und einem zweiten Bipolartransistor mit unterschiedlichen Kollektorweiten. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass alle Übergänge zwischen unterschiedlich dotierten Bereichen eine scharfe Grenzfläche aufweisen. Hierbei ist beispielsweise ein erster Kollektorbereich 2.1 für einen Hochfrequenztransistor mit hohen Grenzfrequenzen f T , ein zweiter Kollektorbereich 2.2 für einen Hochvolttransistor mit erhöhten Durchbruchspannungen geeignet.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造由至少一个第一和一个具有集电极不同长度的第二双极型晶体管的晶体管结构。本发明的特征在于，具有清晰的界面不同掺杂的区域之间的所有转换。这里，第一集电极区，例如，2.1适用于具有高的截止频率F，A第二集电极区2.2对于具有较高击穿电压的高电压晶体管的高频晶体管。

10. 发明申请

WO2004008543A1 BIPOLARTRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：双极型晶体管
公开(公告)号：WO2004008543A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/EP2003/007553
申请日：2003-07-11
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , ROMANYUK, Andriy , SCHÄFER, Herbert
发明人： BÖCK, Josef , MEISTER, Thomas , ROMANYUK, Andriy , SCHÄFER, Herbert
IPC分类号： H01L29/732
CPC分类号： H01L29/41708 , H01L29/167 , H01L29/42304 , H01L29/732
摘要： Zur Reduzierung des Basiswiderstandes und damit zur Erzielung einer niederohmigen Basiselektrode eines Bipolartransistors wird als Basiselektrode (2) eine Polysiliziumschicht verwendet, in der Fremdatome, insbesondere C-Atome, eingebracht sind, die eine hohe Dichte an Gitterleerstellen in der Polysiliziumschicht bewirken.
摘要翻译：
为了降低基极电阻，从而实现了双极晶体管的低电阻基极用作基电极（2），多晶硅层，是在国外原子，特别是C原子，被引入，在晶格空位的高密度影响多晶硅层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式