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    • 4. 发明申请
    • WAFER AREA PRESSURE CONTROL
    • WAFER AREA压力控制
    • WO0215236A3
    • 2003-09-04
    • PCT/US0124103
    • 2001-07-31
    • LAM RES CORPHAO FANGLILENZ ERICMOREL BRUNO
    • HAO FANGLILENZ ERICMOREL BRUNO
    • H01L21/3065H01J37/32
    • H01J37/32449H01J37/32623
    • A plasma processing chamber is provided which provides improved wafer area pressure control. The plasma processing chamber is a vacuum chamber with a device connected for generating and sustaining a plasma. Part of this device would be an etchant gas source and an exhaust port. A confinement ring defines an area above a wafer. The wafer area pressure is dependent on the pressure drop across the confinement ring. The confinement ring is part of a confinement device that provides wafer area pressure control greater than 40 %. Such a confinement device may be a fixed vertical restriction ring in addition to the confinement ring, where the confinement ring is adjustable. In the alternative, three adjustable confinement rings may be used to provide the desired wafer area pressure control.
    • 提供等离子体处理室,其提供改进的晶片面积压力控制。 等离子体处理室是具有连接用于产生和维持等离子体的装置的真空室。 该装置的一部分将是蚀刻剂气源和排气口。 限制环限定晶片上方的区域。 晶片面积压力取决于限制环上的压降。 限制环是限制装置的一部分,其提供超过40%的晶片面积压力控制。 除了限制环之外,这种限制装置可以是固定的垂直限制环,其中限制环是可调节的。 在替代方案中,可以使用三个可调约束环来提供期望的晶片面积压力控制。