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    • 5. 发明专利
    • Systeme und Verfahren für erweiterte infrarotspektroskopische Ellipsometrie
    • DE112017000384T5
    • 2018-09-27
    • DE112017000384
    • 2017-01-06
    • KLA TENCOR CORP
    • KRISHNAN SHANKARWANG DAVID Y
    • H01L21/66G03F7/20
    • Verfahren und Systeme zur Durchführung gleichzeitiger spektroskopischer Messungen von Halbleiterstrukturen bei ultravioletten, sichtbaren und infraroten Wellenlängen werden hierin dargelegt. In einem anderen Aspekt werden Wellenlängenfehler reduziert, indem die Richtung der Wellenlängendispersion auf der Detektoroberfläche senkrecht zu der Projektion der Einfallsebene auf die Detektoroberfläche orientiert ist. In einem anderen Aspekt wird ein breiter Bereich an Infrarotwellenlängen von einem Detektor detektiert, der mehrere lichtempfindliche Bereiche beinhaltet, die unterschiedliche Empfindlichkeitscharakteristiken aufweisen. Erfasstes Licht wird linear über die Oberfläche auf dem Detektor gestreut, abhängig von der Wellenlänge. Jeder der unterschiedlichen lichtempfindlichen Bereiche ist auf dem Detektor angeordnet, um einen anderen Bereich einfallender Wellenlängen zu detektieren. Auf diese Weise wird ein breiter Bereich von Infrarotwellenlängen mit einem hohen Signal-Rausch-Verhältnis durch einen einzigen Detektor detektiert. Diese Merkmale ermöglichen Messungen von Strukturen mit hohem Seitenverhältnis mit hohem Durchsatz, hoher Präzision und hoher Genauigkeit.