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1. 发明专利

JP2015207023A レジストパターン微細化組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于最小化电阻图案的组合物和形成电阻图案的方法
公开(公告)号：JP2015207023A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2015156838
申请日：2015-08-07
申请人： JSR株式会社
发明人：西村幸生 , 松田恭彦 , 山口佳一 , 杉江紀彦 , 田中希佳
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/40
摘要：【課題】半導体プロセスにおけるレジストパターンの形成段階でレジストパターンの線幅微細化に使用されるレジストパターン微細化組成物を提供すること。【解決手段】感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジストパターン上に、レジストパターン微細化組成物を塗布し、ベーク後、洗浄してレジストパターンを微細化する工程、を含むレジストパターン形成方法で用いられる、酸性低分子化合物と、レジストパターンを溶解しない溶媒と、を含有し、樹脂を含有しないレジストパターン微細化組成物を提供する。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于最小化抗蚀剂图案的组合物，其用于在半导体工艺中形成抗蚀剂图案的阶段中减小抗蚀剂图案的线宽度。解决方案：用于使抗蚀剂图案最小化的组合物用于形成抗蚀剂图案的方法，包括以下步骤：将通过使用辐射敏感性树脂组合物形成的抗蚀剂图案上的抗蚀剂图案应用于最小化组合物，烘烤该组合物，然后清洁以使抗蚀剂图案最小化的步骤; 并且该组合物包含酸性低分子量化合物和不溶解抗蚀剂图案的溶剂，并且不含树脂。

2. 发明专利

JPWO2016181859A1 はんだ電極の製造方法およびその用途审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016181859A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2017517887
申请日：2016-04-28
申请人： JSR株式会社
发明人：武川純 , 高橋誠一郎 , 長谷川公一 , 楠本士朗 , 山口佳一
IPC分类号： H01L21/60 , G03F7/023 , G03F7/38 , G03F7/42 , H05K3/34
CPC分类号： G03F7/023 , G03F7/40 , H01L2224/11 , H05K3/34
摘要：本発明は、電極パッドを有する基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程(1)、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程(2)、前記開口部に溶融はんだを充填する工程(3)を有するはんだ電極の製造方法であって、前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有するはんだ電極の製造方法である。本発明のはんだ電極の製造方法は、IMS法などのように、はんだ充填時にレジストが高熱を受ける場合においても、レジスト表面のクラック発生を防止することができ、はんだ充填能を向上させることができるので、目的に適合したはんだ電極を的確に製造することができる。

3. 发明专利

JP5845556B2 レジストパターン微細化組成物及びレジストパターン形成方法有权
标题翻译：抗蚀剂图案更精细的组合物和抗蚀图案形成方法
公开(公告)号：JP5845556B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2009173067
申请日：2009-07-24
申请人： JSR株式会社
发明人：西村幸生 , 松田恭彦 , 山口佳一 , 杉江紀彦 , 田中希佳
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40

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