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1. 发明专利

JP2015172765A 感放射線性樹脂組成物、重合体及びレジストパターン形成方法有权
标题翻译：辐射敏感树脂组合物，聚合物和电阻图案形成方法
公开(公告)号：JP2015172765A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2015093489
申请日：2015-04-30
申请人： JSR株式会社
发明人：切通優子 , 成岡岳彦 , 西村幸生 , 浅野裕介 , 川上峰規 , 中島浩光
IPC分类号： G03F7/20 , C08F220/18 , G03F7/039
CPC分类号： C08F220/22 , C08F220/24 , C08F228/00 , C08L33/14 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：【課題】良好なパターン形状を得ることができ、MEEF性能に優れ、ブリッジ等の欠陥を生じ難い感放射線性樹脂組成物、その感放射線性樹脂組成物に好適に用いられる重合体、及びその感放射線性樹脂組成物を用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】[A]特定の酸解離性基を有する構造単位(I)と、側鎖にフッ素原子を含む特定のアクリレート系構造単位(II−2)と、(II−3)の2種を有し、フッ素原子含有量が5質量%以上である重合体、[B]酸解離性基を有し、フッ素原子含有量が5質量%未満である重合体、及び[C]感放射線性酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組成物。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供提供良好图案形状的辐射敏感性树脂组合物，具有优异的MEEF性能并抑制缺陷的发生，例如，并且提供适用于辐射敏感性树脂组合物的聚合物和使用该辐射敏感性树脂组合物的图案形成方法。溶解性：辐射敏感性树脂组合物包含：[A]具有结构单元（I ）具有特定的酸解离基团，丙烯酸酯结构单元（II-2）和（II-3）在侧链中含有氟原子，氟原子的含量为5质量％以上; [B]具有氟原子含量低于5质量％的酸解离基的聚合物; 和[C]辐射敏感酸产生剂。

2. 发明专利

JP6168212B2 ポジ型感放射線性樹脂組成物、硬化膜及びその形成方法、半導体素子、並びに表示素子有权
公开(公告)号：JP6168212B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2016152356
申请日：2016-08-02
申请人： JSR株式会社
发明人：三島絵里 , 西村幸生 , 下川努 , 八代隆郎
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20 , C08F220/26 , C08F212/14 , G03F7/023

3. 发明专利

JP5758301B2 感放射線性樹脂組成物、重合体及びレジストパターン形成方法有权
标题翻译：辐射敏感树脂组合物中，聚合物和抗蚀剂图案形成方法
公开(公告)号：JP5758301B2
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：JP2011541929
申请日：2010-11-16
申请人： JSR株式会社
发明人：切通優子 , 成岡岳彦 , 西村幸生 , 浅野裕介 , 川上峰規 , 中島浩光
IPC分类号： C08F220/22 , H01L21/027 , G03F7/039
CPC分类号： C08F220/22 , C08F220/24 , C08F228/00 , C08L33/14 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041

4. 发明申请

WO2009044668A1 感放射線性組成物审中-公开
标题翻译：辐射敏感组合物
公开(公告)号：WO2009044668A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/067391
申请日：2008-09-26
申请人： JSR株式会社 , 西村幸生 , 宮田拡
发明人：西村幸生 , 宮田拡
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：　本発明の感放射線性組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性となり、且つフッ素原子を含まない第一の重合体（Ａ）と、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（ｂ１）及びフッ素原子を含有する繰り返し単位（ｂ２）を含む第二の重合体（Ｂ）と、感放射線性酸発生剤（Ｃ）とを含有し、第二の重合体（Ｂ）を、第一の重合体（Ａ）１００質量部に対して０．１～２０質量部含有するものであり、液浸露光由来の欠陥であるウォーターマーク欠陥やバブル欠陥の発生を良好に抑制することができるレジスト膜を形成可能な感放射線性組成物である。（一般式（１）において、Ｒ１はメチル基等を示し、Ｒ２は炭素数１～１２の直鎖状又は分岐状のアルキル基等を示す。）
摘要翻译：公开了含有不含氟原子的第一聚合物（A），通过酸作为碱溶性的辐射敏感性组合物，具有由通式（b1）表示的重复单元（b1）的第二聚合物（B） 1）和含有氟原子的重复单元（b2）和辐射敏感性酸产生剂（C）。该辐射敏感性组合物每100质量份第一聚合物（A）含有0.1-20质量份的第二聚合物（B），并且能够形成能有效抑制水痕缺陷或泡沫的产生的抗蚀剂膜由液浸暴露引起的缺陷。（通式（1）中，R 1表示甲基等，R 2表示具有1-12个碳原子的直链或支链烷基等。）

5. 发明申请

WO2009020029A1 感放射線性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：无机树脂组合物
公开(公告)号：WO2009020029A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2008/063702
申请日：2008-07-30
申请人： JSR株式会社 , 大塚昇 , 川上峰規 , 西村幸生 , 杉浦誠
发明人：大塚昇 , 川上峰規 , 西村幸生 , 杉浦誠
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/12 , H01L21/027
CPC分类号： C08F220/12 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要：　本発明の目的は、レジストとしての基本物性に優れるとともに、コンタクトホールパターンを形成する際における円形性及びＣＤ　Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。本感放射線性樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性となる酸解離性基含有樹脂（Ａ）と、酸発生剤（Ｂ）と、溶剤（Ｃ）とを含有する感放射線性樹脂組成物であって、前記樹脂（Ａ）は、下記一般式（１）及び（２）で表される各繰り返し単位を含むものである。〔Ｒ１及びＲ２は、各々、水素原子又は炭素数１～４の置換基を有してもよいアルキル基、Ｒ３は炭素数１～４の置換基を有してもよいアルキル基、Ｘは水素原子、ヒドロキシル基又はアシル基を示し、ｍは１～１８の整数、ｎは４～８の整数である。〕
摘要翻译：不仅优异的抗蚀剂的基本性能，而且在形成接触孔图案中的放射敏感性树脂组合物的圆形度和CD均匀性均优异。放射敏感性树脂组合物是含有酸解离基团的组合物，其含有树脂（A）通过酸，酸产生剂（B）和溶剂（C）在碱中溶解，其中树脂（A）含有任何的通式（1）的重复单元和通式（2）的任何重复单元。（1）（2）式中，R 1和R 2各自为氢原子或任意具有C 1〜C 4取代基的烷基; R3是任选具有C1-C4取代基的烷基; X是氢原子，羟基或酰基; m为1〜18的整数。 n为4〜8的整数。

6. 发明专利

JP6089743B2 硬化膜形成用感放射線性樹脂組成物、硬化膜、その形成方法、半導体素子及び表示素子有权
标题翻译：固化膜形成辐射敏感性树脂组合物，固化膜，用于形成半导体装置及显示装置的方法
公开(公告)号：JP6089743B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2013020688
申请日：2013-02-05
申请人： JSR株式会社
发明人：三島絵里 , 西村幸生 , 下川努 , 八代隆郎
IPC分类号： G03F7/031 , G03F7/004 , G03F7/033 , G03F7/027 , C08F220/26

7. 发明专利

JP6070203B2 半導体素子及び表示素子有权
标题翻译：半导体元件和显示元件
公开(公告)号：JP6070203B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2013005605
申请日：2013-01-16
申请人： JSR株式会社
发明人：三島絵里 , 西村幸生 , 下川努 , 八代隆郎
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/023

8. 发明专利

JP6020532B2 パターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6020532B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2014219245
申请日：2014-10-28
申请人： JSR株式会社
发明人：豊川郁宏 , 岡本匡史 , 西村幸生
IPC分类号： B29C33/38 , B29C59/02 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00

9. 发明专利

JP2015207023A レジストパターン微細化組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于最小化电阻图案的组合物和形成电阻图案的方法
公开(公告)号：JP2015207023A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2015156838
申请日：2015-08-07
申请人： JSR株式会社
发明人：西村幸生 , 松田恭彦 , 山口佳一 , 杉江紀彦 , 田中希佳
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/40
摘要：【課題】半導体プロセスにおけるレジストパターンの形成段階でレジストパターンの線幅微細化に使用されるレジストパターン微細化組成物を提供すること。【解決手段】感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジストパターン上に、レジストパターン微細化組成物を塗布し、ベーク後、洗浄してレジストパターンを微細化する工程、を含むレジストパターン形成方法で用いられる、酸性低分子化合物と、レジストパターンを溶解しない溶媒と、を含有し、樹脂を含有しないレジストパターン微細化組成物を提供する。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于最小化抗蚀剂图案的组合物，其用于在半导体工艺中形成抗蚀剂图案的阶段中减小抗蚀剂图案的线宽度。解决方案：用于使抗蚀剂图案最小化的组合物用于形成抗蚀剂图案的方法，包括以下步骤：将通过使用辐射敏感性树脂组合物形成的抗蚀剂图案上的抗蚀剂图案应用于最小化组合物，烘烤该组合物，然后清洁以使抗蚀剂图案最小化的步骤; 并且该组合物包含酸性低分子量化合物和不溶解抗蚀剂图案的溶剂，并且不含树脂。

10. 发明专利

JP5861741B2 ブロック共重合体有权
标题翻译：嵌段共聚物
公开(公告)号：JP5861741B2
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：JP2014116988
申请日：2014-06-05
申请人： JSR株式会社
发明人：浅野裕介 , 西村幸生 , 川上峰規 , 松村信司 , 榊原宏和 , 成岡岳彦
IPC分类号： C08F297/02

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