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2. 发明授权

US06255131B1 Liquid crystal display device 有权
标题翻译：液晶显示装置
公开(公告)号：US06255131B1
公开(公告)日：2001-07-03
申请号：US09430133
申请日：1999-10-29
申请人： Ikuko Mori , Takuo Kaitoh , Hironobu Abe , Masahiro Eto , Toshihiro Satoh , Kazuhiro Ishida , Hajime Kudoh
发明人： Ikuko Mori , Takuo Kaitoh , Hironobu Abe , Masahiro Eto , Toshihiro Satoh , Kazuhiro Ishida , Hajime Kudoh
IPC分类号： H01L2100
CPC分类号： G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F2202/104 , H01L29/6675 , H01L29/78633 , H01L29/78648
摘要： A method for forming a liquid crystal display device, which includes steps of forming a metal film over a substrate, patterning the metal film to form a first gate electrode and a first capacitor electrode as a part of a first capacity element, and forming a first insulating film over the metal film. The steps further include forming a first polycrystalline-silicon layer over the first insulating film, and patterning the first polycrystalline-silicon layer to form a second capacitor electrode as a part of the first capacity element and a second capacity element, while additionally including the steps forming a second insulating film over the polycrystalline-silicon layer, forming a second polycrystalline-silicon layer over the second insulating film, and patterning the second polycrystalline-silicon layer to form a second gate electrode and a third capacitor electrode as part of the second capacity element.
摘要翻译：一种形成液晶显示装置的方法，包括以下步骤：在衬底上形成金属膜，图案化金属膜以形成作为第一电容元件的一部分的第一栅电极和第一电容器电极，以及形成第一电容元件金属膜上的绝缘膜。所述步骤还包括在所述第一绝缘膜上形成第一多晶硅层，以及图案化所述第一多晶硅层以形成作为所述第一电容元件的一部分的第二电容器电极和第二电容元件，在所述多晶硅层上形成第二绝缘膜，在所述第二绝缘膜上形成第二多晶硅层，以及使所述第二多晶硅层图案化以形成第二栅电极和第三电容器电极，作为所述第二绝缘膜的第二电容元件。

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