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1. 发明申请

WO2002095085A1 FREQUENZABGLEICH FÜR BULK-ACOUSTIC-WAVE RESONATOREN DURCH LOKALES IONENSTRAHLÄTZEN 审中-公开
标题翻译：通过局部离子束集合体声波谐振器的频率平衡
公开(公告)号：WO2002095085A1
公开(公告)日：2002-11-28
申请号：PCT/EP2001/005889
申请日：2001-05-22
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , AIGNER, Robert , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried , ELBRECHT, Lüder , TIMME, Hans-Jörg
发明人： AIGNER, Robert , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried , ELBRECHT, Lüder , TIMME, Hans-Jörg
IPC分类号： C23C14/58
CPC分类号： C23C14/5833 , C23C14/58 , C23C14/5873 , C23C16/56 , C23F4/00 , H01C17/2404 , H03H3/04 , H03H2003/0414
摘要： Erfindungsgemäss wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit einem lokal angepasstem bzw. vorgegebenen Schichtdickenprofil bereitgestellt, das die folgenden Schritte umfasst: a) zumindest eine Schicht wird auf ein Substrat aufgebracht, b) ein Abtragsprofil wird für die aufgebrachten Schicht (7) bestimmt, und c) zumindest ein Ionenstrahl (9) wird zumindest einmal über die Schicht geführt, so dass am Ort des Ionenstrahls eine lokale Ätzung der Schicht (7) entsprechend dem Abtragsprofil erfolgt und eine Schicht mit einem lokal angepasstem bzw. vorgegebenen Schichtdickenprofil erzeugt wird.
摘要翻译：
根据本发明＆AUML; SS提供了一种方法用于制造具有局部适配或预定义的层厚度分布的层，其包括以下步骤：a）至少一个层被施加到基底上，b）一种去除轮廓用于沉积层（7），和c）至少一个离子束（9）至少一次通过该层，从而实现层（7）在离子束位置处的定位 Abtragsprofil发生，并生成一层具有局部适应或预定的层厚度轮廓。

2. 发明申请

WO2006058882A1 BIOCHEMISCHES HALBLEITERCHIPLABOR MIT ANGEKOPPELTEM ADRESSIER- UND STEUERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
标题翻译：生化半导体芯片与LAB生产同样耦合寻址和控制芯片和方法
公开(公告)号：WO2006058882A1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：PCT/EP2005/056311
申请日：2005-11-29
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , BREDERLOW, Ralf , AIGNER, Robert , ELBRECHT, Lüder , HEISS, Heinrich , MARKSTEINER, Stephan , SIMBÜRGER, Werner , THEWES, Roland , TIMME, Hans-Jörg
发明人： BREDERLOW, Ralf , AIGNER, Robert , ELBRECHT, Lüder , HEISS, Heinrich , MARKSTEINER, Stephan , SIMBÜRGER, Werner , THEWES, Roland , TIMME, Hans-Jörg
IPC分类号： G01N27/00 , H01L21/60
CPC分类号： G01N29/036 , B01L3/5085 , B01L2300/0645 , B01L2300/0663 , B01L2300/0819 , G01N2291/0256 , H01L2224/81801 , H01L2924/01068 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein biochemisches Halbleiterchiplabor (1) mit angekoppeltem Adressier- und Steuerchip (2) für biochemische Analysen und ein Verfahren zur Herstellung dessel- ben. Das Halbleiterchiplabor (1) weist einen Halbleitersensorchip (3) auf, der eine Vielzahl von Analysepositionen für biochemische Proben (5) in einer Matrix zur Verfügung stellt. Der Halbleitersensorchip (3) ist auf dem Adressier- und Steuerchip (2) angeordnet, wobei die Analysepositionen (4) über niederohmige Durchkontakte (7) durch das Halbleitersubstrat (6) des Halbleitersensorchips (3) mit einer Leiterbahnstruktur (8) auf der Oberseite (9) des Adressier- und Steuerchips (2) elektrisch in Verbindung stehen.
摘要翻译：本发明涉及生物化学实验室半导体芯片（1）与耦合寻址和控制芯片（2），用于生化分析和用于生产dessel-本的方法。半导体芯片实验室（1）包括半导体传感器芯片（3），其提供多个用于在基质的生化样品（5）的分析项目。的半导体传感器芯片（3）被布置在所述寻址和控制芯片（2）上，其中所述分析位置（4）经由低通孔（7）通过与导体轨道结构（8）在顶部的半导体传感器芯片（3）的半导体基板（6）（寻址和控制芯片的9）（2）被电连接。

3. 发明申请

WO2004019491A2 FILTERSCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：滤波电路
公开(公告)号：WO2004019491A2
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：PCT/EP2003/007015
申请日：2003-07-01
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , NOKIA MOBILE PHONES LTD. , ELLÄ, Juha, Sakari , TIMME, Hans-Jörg , AIGNER, Robert , MARKSTEINER, Stephan
发明人： ELLÄ, Juha, Sakari , TIMME, Hans-Jörg , AIGNER, Robert , MARKSTEINER, Stephan
IPC分类号： H03H9/58
CPC分类号： H03H9/0095 , H01F17/0006 , H01F2021/125 , H03H7/42
摘要： FilterschaltungEine Filterschaltung umfaßt ein symmetrisches Tor (204), ein unsymmetrisches Tor (202) und ein Substrat (S). Eine Serienschaltung aus einer Filterstufe (206) und einem Symmetrierbauglied (208) ist zwischen dem symmetrischen Tor (204) und dem unsymmetrischen Tor (202) angeordnet. Das Symmetrierbauglied (208) und die Filterstufe (206) sind auf dem Substrat (S) gebildet.
摘要翻译：滤波器电路的滤波器电路，包括一个平衡端口（204），不平衡端口（202）和基板（S）。的串联电路，其包括一个滤波器级（206）和一个Symmetrierbauglied（208）（204）布置在所述平衡端口之间以及所述不平衡端口（202）。所述Symmetrierbauglied（208）和所述滤波器级（206）（S）形成在衬底上。

4. 发明申请

WO2002095939A1 PIEZOELEKTRISCHE RESONATORVORRICHTUNG MIT VERSTIMMUNGSSCHICHTFOLGE 审中-公开
标题翻译：与心烦层影响的压电谐振器
公开(公告)号：WO2002095939A1
公开(公告)日：2002-11-28
申请号：PCT/EP2002/004717
申请日：2002-04-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , AIGNER, Robert , ELBRECHT, Lueder , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried
发明人： AIGNER, Robert , ELBRECHT, Lueder , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/171 , H03H3/04 , H03H9/564 , H03H2003/0428
摘要： Eine Resonatorvorrichtung umfasst einen piezoelektrischen Resonator (10) mit einer Verstimmungsschichtfolge (52), die an dem piezoelektrischen Resonator (10) angeordnet ist. Die Verstimmungsschichtfolge (52) umfasst zumindest eine erste Schicht (52A) mit einer hohen akustischen Impedanz und eine zweite Schicht (52B) mit einer niedrigen akustischen Impedanz.
摘要翻译：一种谐振器，包括具有一个失谐层序列（52），其被设置在压电谐振器（10）的压电谐振器（10）。失谐的层序列（52）包括至少一个具有高的声阻抗，并且具有低的声阻抗的第二层（52B）的第一层（52A）。

5. 发明申请

WO2003032486A1 BAW-RESONATOR 审中-公开
标题翻译：体声波谐振
公开(公告)号：WO2003032486A1
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/EP2002/007700
申请日：2002-07-10
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , AIGNER, Robert , HANDTMANN, Martin , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried
发明人： AIGNER, Robert , HANDTMANN, Martin , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/583 , H03H9/0095 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/176 , H03H9/178 , H03H9/581 , Y10T29/42
摘要： Ein BAW-Resonator umfasst eine erste piezoelektrische Schicht (106) aus einem Material,das in eine erste Richtung orientiert ist, und eine zweite piezoelektrische Schicht (108) aus einem Material, das in einer zweiten Richtung, die der ersten Richtung entgegengesetzt ist, orientiert ist. Die erste piezoelektrische Schicht (106) und die zweite piezoelektrische Schicht (108) sind akustisch miteinander gekoppelt.
摘要翻译： BAW谐振器包括由其在第二方向上取向的材料，该材料是相反于第一方向的提出，在第一方向和第二压电体层（108）取向的材料制成的第一压电体层（106）是。第一压电体层（106）和所述第二压电体层（108）声学耦合到彼此。

6. 发明申请

WO2003058811A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER TOPOLOGIEOPTIMIERTEN ELEKTRODE FÜR EINEN RESONATOR IN DÜNNFILMTECHNOLOGIE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产拓扑优化电极作为谐振器薄膜技术
公开(公告)号：WO2003058811A1
公开(公告)日：2003-07-17
申请号：PCT/EP2002/014190
申请日：2002-12-12
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , AIGNER, Robert , ELBRECHT, Lueder , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried
发明人： AIGNER, Robert , ELBRECHT, Lueder , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried
IPC分类号： H03H3/02
CPC分类号： H03H3/02 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155
摘要： Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Elektrode (106) für einen Resonator in Dünnfilmtechnologie, wird die Elektrode (106) des Resonators in einer isolierenden Schicht (126) derart eingebettet, dass eine Oberfläche (110) der Elektrode (106) freiliegt, und dass eine durch die Elektrode (106) und die isolierende Schicht (126) festgelegte Oberfläche im wesentlichen planar ist.
摘要翻译：在用于在薄膜技术的谐振器制造电极（106）中的绝缘层的谐振器中，电极（106）的方法（126）被嵌入，使得表面（110）被暴露于电极（106），和一个通过电极（106）和绝缘层（126）限定的表面基本上是平坦的。

7. 发明申请

WO2003052928A1 PIEZOELEKTRISCHER SCHWINGKREIS, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG UND FILTERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：压电谐振电路，方法的排列和过滤器
公开(公告)号：WO2003052928A1
公开(公告)日：2003-06-26
申请号：PCT/EP2002/013137
申请日：2002-11-22
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , AIGNER, Robert , ELBRECHT, Lueder , HANDTMANN, Martin , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried , TIMME, Hans-Joerg
发明人： AIGNER, Robert , ELBRECHT, Lueder , HANDTMANN, Martin , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried , TIMME, Hans-Joerg
IPC分类号： H03H3/04
CPC分类号： H03H3/04 , Y10T29/42 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156
摘要： Bei einem Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Schwingkreises in Dünnfilmtechnologie, bei dem der Schwingkreis eine vorbestimmte Eigenfrequenz und eine Mehrzahl von Schichten (112a, 112b, 114, 116a, 116b) umfasst, wird zunächst zumindest eine erste Schicht (116a) des piezoelektrischen Schwingkreises erzeugt. Anschließend wird durch Bearbeiten der ersten Schicht (116a) eine Frequenzkorrektur durchgeführt. Anschließend wird zumindest eine zweite Schicht (116b) des piezoelektrischen Schwingkreises erzeugt, und zum Durchführen einer zweiten Frequenzkorrektur bearbeitet.
摘要翻译：在用于制造薄膜技术的压电振荡电路，其中，所述振荡电路包括一个预定的自然频率和多个层（112A，112B，114，116A，116B）的方法包括，首先，生成至少压电振荡电路的一个第一层（116A）。然后（116A）通过处理所述第一层的频率校正进行。随后，至少在压电振荡电路的一个第二层（116B）被产生以及用于执行第二频率校正处理。

8. 发明申请

WO2003030358A1 PIEZOELEKTRISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：压电元件与方法研究
公开(公告)号：WO2003030358A1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/EP2002/009406
申请日：2002-08-22
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , AIGNER, Robert , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried
发明人： AIGNER, Robert , MARKSTEINER, Stephan , NESSLER, Winfried
IPC分类号： H03H9/58
CPC分类号： H03H9/585 , H03H3/04 , H03H9/0095 , H03H9/589 , H03H9/60 , Y10T29/42 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Bauelements,das zumindest zwei Stacked-Crystal-Filter umfasst. Durch das Abscheiden des Schichtstapelsüber der unteren Elektrode und der anschließenden Strukturierung der oberen elektrisch leitfähigenSchicht und ggf. zweiten piezoelektrischen Schicht kann auf einfache Weise, mit einem Minimuman Prozessschritten, ein piezoelektrisches Bauelement erzeugt werden, das zwei Stacked-Crystal-Filterumfasst, die über ihre untere und mittleren Elektrode direkt miteinander verbunden sind. Daserfindungsgemäße piezoelektrische Bauelement besitzt darüber hinaus den Vorteil, dassAnwendungen, bei denen es auf eine hohe Sperrbanddämpfung ankommt, mit einer relativgeringen Anzahl an Filterstufen realisiert werden können. Dabei kann durch den Einsatz vonzumindest zwei Stacked-Crystal-Filtern eine ausgezeichnete Fernabselektion auch für "single-ended Signale" erzielt werden.
摘要翻译：本发明描述了一种用于生产压电部件的方法，包括至少两个叠层的晶体滤波器。通过沉积在下部电极层堆叠和上部导电层的后续图案化和任选的第二压电体层，以简单的方式的压电器件可以与一个Minimuman工艺步骤中，产生的两个堆叠的晶体Filterumfasst，下对其和中心电极直接连接。 Daserfindungsgemässe压电装置具有应用程序，这需要高的阻带衰减可以用相对小数目的滤波器级来实现额外的优点。在这种情况下，优异的远程选择性也可用于“单端信号”通过使用vonzumindest两个堆叠的晶体滤波器来实现的。

9. 发明申请

WO2003071677A1 FILTERSCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：滤波电路
公开(公告)号：WO2003071677A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/EP2003/001917
申请日：2003-02-25
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HANDTMANN, Martin , TIMME, Hans-Jörg , AIGNER, Robert
发明人： HANDTMANN, Martin , TIMME, Hans-Jörg , AIGNER, Robert
IPC分类号： H03H7/42
CPC分类号： H03H7/42 , H03H9/0028 , H03H9/0095
摘要： ZusammenfassungFilterschaltungEine Filterschaltung (400) umfasst erste Resonatoren (Rs11, Rs12, Rs21, Rs22) mit einer festgelegten ersten Resonanzfrequenz und zweite Resonatoren (Rp11, Rp12, Rp21, Rp22) mit einer gegenüber der ersten Resonanzfrequenz verschobenen zweiten Resonanzfrequenz. Die Filterschaltung umfasst ferner eine erste symmetrische Stufe (I) mit zumindest einem ersten Resonator und mit zumindest einem zweiten Resonator, sowie eine zweite symmetrische Stufe (II) mit zumindest einem ersten Resonator und zumindest einem zweiten Resonator. Zwischen die erste symmetrische Stufe (I) und die zweite symmetrische Stufe (II) ist ein Übertragerelement (424) geschaltet, das dieselben miteinander koppelt.Figur 3
摘要翻译：摘要滤波器电路包括滤波电路（400）包括第一谐振器（RS11，RS12，RS21，RS22）与一个相对的第一共振频率的预先确定的第一谐振频率和第二谐振器（RP11，RP12，RP21，RP22）移动后的第二谐振频率。滤波器电路还包括第一平衡阶段（I），其具有至少一个第一谐振器和至少一个第二谐振器，以及第二平衡阶段（II）与至少一个第一谐振器和至少一个第二谐振器。第一平衡阶段（I）和第二平衡阶段（II）之间的是换能器元件（424）连接，彼此相同koppelt.Figur 3

10. 发明申请

WO2003043188A1 PASSIVIERTER BAW-RESONATOR UND BAW-FILTER 审中-公开
标题翻译：钝化BAW谐振器和BAW滤波器
公开(公告)号：WO2003043188A1
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/EP2002/011425
申请日：2002-10-11
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , AIGNER, Robert , EHRLER, Guenter , ELBRECHT, Lueder , MECKES, Andreas , NESSLER, Winfried , NIKLAS, Alfred , TIMME, Hans-Joerg
发明人： AIGNER, Robert , EHRLER, Guenter , ELBRECHT, Lueder , MECKES, Andreas , NESSLER, Winfried , NIKLAS, Alfred , TIMME, Hans-Joerg
IPC分类号： H03H3/04
CPC分类号： H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/175
摘要： Ein BAW-Resonator umfasst ein Substrat (102), eine erste Elektrode (108), die auf einer Oberfläche (106) des Substrats (102) angeordnet ist, eine piezoelektrische Schicht (112), die zumindest teilweise auf der ersten Elektrode (108) angeordnet ist, und eine zweite Elektrode (114), die zumindest teilweise auf der piezoelektrischen Schicht (112) und zumindest teilweise überlappend mit der ersten Elektrode (108) angeordnet ist. Um die zweite Elektrode (114) zu schützen, ist ferner eine Passivierungsschicht (128) auf der zweiten Elektrode vorgesehen.
摘要翻译： BAW谐振器包括基板的基板（102），第一电极（108）（106）（102）被布置在一个表面上，压电体层（112）至少部分地在所述第一电极（108）设置，和一第二电极（114）至少部分地在压电体层（112）和至少部分地重叠所述第一电极（108）上布置。到所述第二电极（114）要被保护，还设置在所述第二电极上的钝化层（128）。

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