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1. 发明申请

WO2005055289A2 KOMPLEMENTÄRE BIPOLAR-HALBLEITERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：互补双极型半导体器件
公开(公告)号：WO2005055289A2
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/EP2004/013855
申请日：2004-12-01
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , HEINEMAN, Bernd , DREWS, Jürgen , MARSCHMAYER, Steffen , RÜCKER, Holger
发明人： HEINEMAN, Bernd , DREWS, Jürgen , MARSCHMAYER, Steffen , RÜCKER, Holger
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/82285 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0826
摘要： Die Erfindung betrifft eine komplementäre BiCMOS-Halbleitervorrichtung - mit einem Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer Anzahl darin vorgesehener aktiver Gebiete, die in lateraler Richtung von flachen Feldisolationsgebieten begrenzt werden, - bei der in einer ersten Teilanzahl der aktiven Gebiete vertikale npn- Bipolartransistoren mit epitaxialer Basis, und in einer zweiten Teilanzahl der aktiven Gebiete vertikale pnp-Bipolartransistoren mit epitaxialer Basis angeordnet sind, - wobei entweder ein Transistortyp oder beide Transistortypen in ein und demselben jeweiligen aktiven Gebiet sowohl ein Kollektorgebiet als auch ein Kollektorkontaktgebiet aufweisen. Zur Verbesserung der Hochfrequenzeigenschaften ist ausschließlich bei einem ersten Transistortyp, bei dem der Leitfähigkeitstyp des Substrates mit dem des Kollektorgebiets übereinstimmt, ein Isolationsdotierungsgebiet zwischen Kollektorgebiet und Substrat vorgesehen, das ausgebildet ist, eine elektrische Isolation von Kollektor und Substrat zu bewirken. Weiterhin ist das Kollektorgebiet entweder des ersten Transistortyps oder beider Transistortypen lateral durch die flachen Feldisolationsgebiete begrenzt.
摘要翻译：
本发明涉及一种互补BEAR重的BiCMOS半导体器件 - 其包括第一导电BEAR higkeitstyps的基板和设置其在横向方向上通过平场绝缘区分隔在其中有源区域的数， - 其中在有源区域的第一部分垂直PNP双极型晶体管布置具有外延基极具有外延基极和在所述有源区的第二局部数垂直npn双极晶体管 - 其中或者一种类型的晶体管或在一个或两个类型的晶体管和相同的各活性区域二者的集电极区域和还有一个收集器接触面积。为了改善高频特性，并且仅仅大街巫妖在第一类型的晶体管，其中与所述集电极区域导航使用的基板的导电性BEAR higkeitstyp所述集电极区域和所述基板将重合，其被设计为提供在集电极与所述衬底的电绝缘之间设置一个绝缘掺杂区，此外，第一晶体管类型或这两种类型的晶体管的集电极区域被平坦场隔离区横向限制。

2. 发明申请

WO2006061439A1 VERTIKALER BIPOLARTRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：垂直双极型晶体管
公开(公告)号：WO2006061439A1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：PCT/EP2005/056691
申请日：2005-12-12
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , HEINEMANN, Bernd , RÜCKER, Holger , DREWS, Jürgen , MARSCHMAYER, Steffen
发明人： HEINEMANN, Bernd , RÜCKER, Holger , DREWS, Jürgen , MARSCHMAYER, Steffen
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/732 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/1004 , H01L29/66242 , H01L29/732 , H01L29/7378
摘要： Vertikaler Heterobipolartransistor, mit einem Substrat aus Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und einem darin ausgebildeten Isolationsgebiet, einer in einer Öffnung des Isolationsgebietes angeordneten ersten Halbleiterelektrode aus einkristallinem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die entweder als Kollektor oder als Emitter ausgebildet ist, und die einen ersten Höhenabschnitt und einen angrenzenden, in einer Höhenrichtung vom Substratinneren weiter entfernten zweiten Höhenabschnitt aufweist, wobei nur der erste Höhenabschnitt vom Isolationsgebiet in zur Höhenrichtung senkrecht stehenden lateralen Richtungen umschlossen ist, einer zweiten Halbleiterelektrode aus Halbleitermaterial des zweiten Leitfähigkeitstyps, die als der andere Typ Halbleiterelektrodeeiner Basis aus einkristallinem Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps, und einem Basisanschlussgebiet, das einen einkristallinen Abschnitt aufweist, der in lateraler Richtung den, von der Basis aus gesehen weiter zum Substratinneren liegenden, zweiten Höhenabschnitt der ersten Halbleiterelektrode lateral umgibt, und der mit seiner Unterseite unmittelbar auf dem Isolationsgebiet aufliegt.
摘要翻译：垂直杂，其包括第一传导类型的半导体材料的衬底和形成于其中的隔离区，布置在由其或者作为集电极或发射极，和一个第一水平部分和一个形成的第二导电型的单晶半导体材料的绝缘区域第一半导体电极的开口具有邻近，在从所述第二垂直部分，其特征在于，只有所述第一垂直部分被隔离区域在垂直的横向方向上的高度方向上包围内部的衬底的高度方向上位于远方时，第二导电类型的半导体材料的第二半导体电极的比单晶半导体材料构成的基材的其它类型的半导体电极第一导电类型，并且包括在横向方向上的单晶部分的基极连接区域，v 的周围进一步看出到衬底横向地位于所述第一半导体电极的，第二高度部分的内部中的基础，并且其上直接其下侧上的绝缘区域搁置。

3. 发明申请

WO2003049191A3 BICMOS-STRUKTUR, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND BIPOLARTRANSISTOR FÜR EINE BICMOS-STRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2003049191A3
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/EP2002/013858
申请日：2002-12-06
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
发明人： EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
IPC分类号： H01L29/73
摘要： Diese Erfindung betrifft einen Bipolartransistor mit epitaktisch gewachsener Basis und selbstpositioniertem Emitter, wodurch die Basis gebildet wird aus einem ersten, im Wesentlichen einkristallinen epitaktischen Bereich (1), welcher parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrates (2) angeordnet ist und aus einem zweiten, im Wesentlichen polykristallinen und hochdotierten Bereich (3) gleichen Leitungstyps, welcher senkrecht zur Substratoberfläche angeordnet ist und den ersten Bereich an allen Seiten umschliesst und dass dieser zweite Bereich mindestens an einer Seite, vorzugsweise aber an allen 4 Seiten, mit einer dritten, vorzugsweise hochdotierten oder metallisch leitenden, hochtemperaturbeständigen polykristallinen Schicht (4) leitend verbunden ist, welche parallel zur Oberfläche des halbleitersubstrates angeordnet ist und den äusseren Basiskontakt zu einem metallischen Leitbahnsystem bildet bzw. einschliesst. Eine weitere Aufgabe ist es, eine verbesserte BiCMos-Struktur zur verfügung zu stellen.

4. 发明申请

WO2003049191A2 BICMOS-STRUKTUR, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND BIPOLARTRANSISTOR FÜR EINE BICMOS-STRUKTUR 审中-公开
标题翻译： BICMOS结构，生产以及为双极晶体管的BiCMOS结构方法
公开(公告)号：WO2003049191A2
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/EP2002/013858
申请日：2002-12-06
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
发明人： EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378
摘要： Diese Erfindung betrifft einen Bipolartransistor mit epitaktisch gewachsener Basis und selbstpositioniertem Emitter, wodurch die Basis gebildet wird aus einem ersten, im Wesentlichen einkristallinen epitaktischen Bereich (1), welcher parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrates (2) angeordnet ist und aus einem zweiten, im Wesentlichen polykristallinen und hochdotierten Bereich (3) gleichen Leitungstyps, welcher senkrecht zur Substratoberfläche angeordnet ist und den ersten Bereich an allen Seiten umschliesst und dass dieser zweite Bereich mindestens an einer Seite, vorzugsweise aber an allen 4 Seiten, mit einer dritten, vorzugsweise hochdotierten oder metallisch leitenden, hochtemperaturbeständigen polykristallinen Schicht (4) leitend verbunden ist, welche parallel zur Oberfläche des halbleitersubstrates angeordnet ist und den äusseren Basiskontakt zu einem metallischen Leitbahnsystem bildet bzw. einschliesst.
摘要翻译：本发明涉及一种具有外延生长的基极和selbstpositioniertem发射极的双极晶体管，其中所述基座由第一基本单晶的外延区域1形成，其设置成平行于所述半导体基板2和第二多晶的表面基本上和高掺杂区3 相同的导电类型，其被布置成垂直于衬底表面，并围绕在所有侧面上的第一区域，并且该第二部分连接的至少在一侧上，但优选在所有4个侧面，导电地连接到第三，优选高掺杂或金属导电，耐高温多晶层4 设置成平行于所述半导体基板的表面与形成外基极接触到金属导体轨道，并包括。

5. 发明公开

EP1692720A2 KOMPLEMENT RE BIPOLAR-HALBLEITERVORRICHTUNG 有权
标题翻译：康普蒙RE双极型半导体装置
公开(公告)号：EP1692720A2
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：EP04803557.0
申请日：2004-12-01
申请人： IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik
发明人： HEINEMAN, Bernd , DREWS, Jürgen , MARSCHMAYER, Steffen , RÜCKER, Holger
IPC分类号： H01L21/8228 , H01L27/082
CPC分类号： H01L21/82285 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0826
摘要： The invention relates to a BiCMOS device comprising a substrate having a first type of conductivity and a number of active regions that are provided therein and are delimited in a lateral direction by flat field-insulating regions. Vertical npn bipolar epitaxial base transistors are disposed in a first partial number of the active regions while vertical pnp bipolar epitaxial base transistors are arranged in a second partial number of the active regions of the BiCMOS device. One transistor type or both transistor types are provided with both a collector region and a collector contact region in one and the same respective active region. In order to improve the high frequency characteristics, an insulation doping region that is configured so as to electrically insulate the collector and the substrate is provided between the collector region and the substrate exclusively in a first transistor type in which the type of conductivity of the substrate corresponds to that of the collector region. In addition, the collector region of the first transistor type or both transistor types is laterally delimited by the flat field-insulating regions.

6. 发明公开

EP1825504A1 VERTIKALER BIPOLARTRANSISTOR 有权转让
标题翻译：垂直双极型晶体管
公开(公告)号：EP1825504A1
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：EP05825275.0
申请日：2005-12-12
申请人： IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik
发明人： MARSCHMAYER, Steffen , DREWS, Jürgen , RÜCKER, Holger , HEINEMANN, Bernd
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/732 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/1004 , H01L29/66242 , H01L29/732 , H01L29/7378
摘要： The invention relates to a vertical heterobipolar transistor, comprising a substrate made from a semiconductor material of a first conductance type and an insulation region embodied therein, a first semiconductor electrode, arranged in an opening in the insulation layer, made from a single-crystal semiconductor material of a second conductance type, embodied either as collector or emitter, which has a first vertical section and a second adjacent vertical section further away from the substrate interior in a vertical direction, whereby only the first vertical section is enclosed by the insulation region in lateral directions perpendicular to the vertical direction, a second semiconductor electrode, made from semiconductor material of the second conductance type, which, when the other type of semiconductor electrode is embodied as emitter, is alternatively embodied as collector and vice versa, a base made from a single crystal semiconductor material of the first conductance type between the collector and the emitter and a base connector region, comprising a single crystal section which laterally surrounds the second vertical section of the first semiconductor electrode, lying further towards the substrate interior as viewed in the lateral direction from the base and resting with the underside thereof directly on the insulation layer.

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