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1. 发明专利

JP2005108472A Film formation method using charged particle beam, selective etching method, and charged particle beam device 有权
标题翻译：使用充电粒子束的薄膜形成方法，选择性蚀刻方法和充电粒子束装置
公开(公告)号：JP2005108472A
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：JP2003336691
申请日：2003-09-29
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , Hitachi Ltd , 株式会社日立ハイテクノロジーズ , 株式会社日立製作所
发明人： FUKUDA MUNEYUKI , SHICHI HIROYASU
IPC分类号： C23C14/32 , C23C16/00 , C23C16/04 , C23C16/52 , H01J37/30 , H01J37/302 , H01J37/305 , H01J37/317 , H01L21/302
CPC分类号： C23C16/047 , C23C16/52 , H01J37/3023 , H01J2237/30472 , H01J2237/31732 , H01J2237/31745
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charged particle beam device capable of forming a film in an intended scanning area more effectively than before, with a film formation technology of scanning a converged charged particle beam, and capable of applying a selective etching on an intended scanning area more effectively than before, with a selective etching technology of scanning a converged charged particle beam.
SOLUTION: A setting of an optical system as an optimum way of scanning charged particle beam, a beam staying period, and a scanning distance are found against an intended irradiation area for film formation and selective etching, depending on a deposition rate stored in advance or a scanning cycle dependent etching rate, and the result of judgment is displayed.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种能够以比以前更有效地在预期的扫描区域中形成膜的带电粒子束装置，通过扫描收敛的带电粒子束的成膜技术，并且能够施加选择性蚀刻使用扫描收敛的带电粒子束的选择性蚀刻技术，在预期的扫描区域上比以前更有效。解决方案：根据存储的沉积速率，针对用于成膜和选择性蚀刻的目的照射区域，找到作为扫描带电粒子束的最佳方式，光束停留时间和扫描距离的光学系统的设置提前或扫描周期相应的蚀刻速率，并且显示判断结果。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

2. 发明专利

JP2013214521A Ion beam processing device and processing method 有权
标题翻译：离子束处理装置和处理方法
公开(公告)号：JP2013214521A
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：JP2013126260
申请日：2013-06-17
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： SHICHI HIROYASU , FUKUDA MUNEYUKI , NAKAYAMA YOSHINORI , HASEGAWA MASAKI , TOMIMATSU SATOSHI
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/04 , H01J37/305
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing method which shortens cross section formation time by an ion beam, a processing method which shortens processing time for separating a minute sample from a wafer, and an ion beam processing device.SOLUTION: An ion beam processing device includes a vacuum vessel 41. In the vacuum vessel, an ion beam irradiation system composed of a duoplasmatron 51, a non-symmetrical ion beam lens 52, a stencil mask 57, etc. is disposed. A minute sample 139 is extracted from a sample 11 by an argon ion beam having beam profile steep in a vertical direction on a cross section. A cross section observation result for device manufacturing wafer inspection and failure analysis is obtained in a short time. Therefore, new inspection and analysis methods which prevent failure even if a wafer from which the sample has been extracted is returned to a process, and a method of manufacturing an electronic component with high yields are provided.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过离子束缩短截面形成时间的处理方法，缩短用于从晶片分离微小样品的处理时间的处理方法和离子束处理装置。解决方案：离子束处理装置包括真空容器41.在真空容器中，设置由二重质量子体51，非对称离子束透镜52，模板掩模57等构成的离子束照射系统。通过在横截面上具有垂直方向陡峭的具有波束形状的氩离子束，从样品11中提取微小样品139。在短时间内获得了用于器件制造晶片检查和故障分析的横截面观察结果。因此，即使提取样品的晶片返回到处理，也能够提供防止故障的新的检查和分析方法，并且提供以高产率制造电子部件的方法。

3. 发明专利

JP2014135291A Ion beam device 有权
标题翻译：离子束装置
公开(公告)号：JP2014135291A
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：JP2014053186
申请日：2014-03-17
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： SHICHI HIROYASU , MATSUBARA SHINICHI , SAHO NORIHIDE , ARAI NORIAKI , ISHITANI TORU
IPC分类号： H01J27/26 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/26 , H01J37/15 , H01J2237/0216 , H01J2237/0807 , H01J2237/28
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion beam device including a gas electric field ionization ion source which can prevent an emitter tip from vibrating in a non-contact manner.SOLUTION: An ion beam device includes: a gas electric field ionization ion source comprising a vacuum container, a vacuum evacuation mechanism, an emitter tip serving as a needle-like anode in the vacuum container, an extraction electrode serving as a cathode, a cooling mechanism of the emitter tip, and the like, and supplying gas molecules to the vicinity of the end of the emitter tip to ionize the gas molecules with an electric field; an ion irradiation light system for introducing ion beams on a sample; a vacuum container for housing the gas electric field ionization ion source and the ion irradiation light system; and a sample chamber housing a sample stage holding the sample. The cooling mechanism cools a body to be cooled by cold generating means, which makes first high-pressure gas generated by a first compressor unit expand to generate cold, and second moving refrigerant gas cooled by the cold of the cold generating means and circulated by a second compressor unit.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括气体电场离子源的离子束装置，该离子束装置可以防止发射极尖端以非接触方式振动。离子束装置包括：气体电场电离离子源，包括真空容器，真空排气机构，在真空容器中用作针状阳极的发射极尖端，用作阴极的提取电极，发射极尖端的冷却机构等，并将气体分子供应到靠近发射极尖端的端部，以电场离子化气体分子; 用于将样品上的离子束引入的离子照射光系统; 用于容纳气体电场离子源和离子照射光系统的真空容器; 以及容纳保持样品的样品台的样品室。冷却机构通过冷发生装置冷却要冷却的物体，这使得由第一压缩机单元产生的第一高压气体膨胀以产生冷，并且由冷发生装置的冷气冷却的第二运动制冷剂气体循环第二压缩机单元。

4. 发明专利

JP2013118188A Ion beam device 审中-公开
标题翻译：离子束装置
公开(公告)号：JP2013118188A
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：JP2013019114
申请日：2013-02-04
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： SHICHI HIROYASU , MATSUBARA SHINICHI , SAHO NORIHIDE , ARAI NORIAKI , ISHITANI TORU
IPC分类号： H01J37/28 , H01J27/26 , H01J37/09
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/26 , H01J37/15 , H01J2237/0216 , H01J2237/0807 , H01J2237/28
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion beam device, having a gas field ionization ion source, that can prevent an ion beam from becoming unstable as gas produced when a beam limiting aperture is irradiated with an ion beam sticks on an emitter tip.SOLUTION: In the ion beam device (for example, an ion microscope) comprising a gas field ionization ion source 1, an objective 8, an ion beam irradiation system column 2 having a beam limiting aperture 500 limiting an angle of divergence of an ion beam to the objective, and a sample chamber 3 housing a sample 9, the beam limiting aperture 500 has its perpendicular 502 inclined at a predetermined tilt angle to an irradiation direction 501 of the ion beam, and consequently desorbed molecules 503 do not fly toward an emitter tip 21 so that molecules sticking on the emitter tip can be greatly reduced.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有气体离子源的离子束装置，其可以防止当用离子束照射光束限制孔时产生的气体作为发生不稳定的离子束粘附在发射极小费。解决方案：在包括气体离子源1，物镜8的离子束装置（例如，离子显微镜）中，具有限制发光角度的光束限制孔径500的离子束照射系统柱2 到物体的离子束，以及容纳样品9的样品室3，光束限制孔500具有其垂直于与离子束的照射方向501成预定倾斜角倾斜的角度，因此解吸的分子503不飞朝向发射极尖端21，使得可以大大减少粘附在发射极尖端上的分子。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2012164674A Ion beam machining and observation apparatus 有权
标题翻译：离子束加工和观察装置
公开(公告)号：JP2012164674A
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：JP2012092786
申请日：2012-04-16
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： SHICHI HIROYASU , TOMIMATSU SATOSHI , UMEMURA KAORU , KANEOKA NORIYUKI , ISHIGURO KOJI
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/28
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion beam apparatus which allows sample machining and observation by use of plural ion beams derived from a common ion source.SOLUTION: The ion beam machining and observation apparatus comprises: at least two gas introduction systems respectively having gas cylinders 53 and 54, gas pipes, gas volume control valves 59 and 60, and stop valves 57 and 58; an ion source; and a vacuum container. The ion source is arranged so that gas pressure conditions in the vacuum container can be set by the gas volume control valve in each gas system, and the gas to be introduced into the vacuum container can be switched by operating the stop valve of each gas system. The ion source is used to produce at least two kinds of gas ions having different mass numbers. Gas ion beam species can thereby be switched between the time of sample machining and the time of observation.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种离子束装置，其允许使用从普通离子源衍生的多个离子束进行样品加工和观察。解决方案：离子束加工和观察装置包括：至少两个气体引入系统，分别具有气瓶53和54，气体管道，气体体积控制阀59和60以及截止阀57和58; 离子源; 和真空容器。离子源被配置成能够通过各气体系统中的气体量控制阀来设定真空容器内的气体压力状态，并且可以通过操作每个气体系统的截止阀来切换要被引入到真空容器中的气体。离子源用于产生质量不同的至少两种气体离子。因此，可以在样品加工时间和观察时间之间切换气体离子束种类。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2012129212A Ion beam processing device and processing method 有权
标题翻译：离子束处理装置和处理方法
公开(公告)号：JP2012129212A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：JP2012061397
申请日：2012-03-19
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： SHICHI HIROYASU , FUKUDA MUNEYUKI , NAKAYAMA YOSHINORI , HASEGAWA MASAKI , TOMIMATSU SATOSHI
IPC分类号： H01J37/317 , G01N1/28
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing method which shortens the time required for forming a cross section by an ion beam, a processing method which shortens the time required for separating a minute sample from a wafer, and an ion beam processing device.SOLUTION: The ion beam processing device has a vacuum container 41 in which an ion beam irradiation system consisting of a duoplasmatron 51, a nonaxisymmetry ion beam lens 52, a stencil mask 57, and the like, is disposed. A minute sample 139 is extracted from the sample 11 by an argon ion beam having a steep beam profile in the direction perpendicular to the cross section. Cross section observation results for wafer inspection and failure analysis in device manufacturing are obtained in a short time. Furthermore, a novel inspection/analysis method in which failure does not occur even if a sample is taken out or a wafer is returned back to the process, and a method of manufacturing electronic components with high yield are provided.
摘要翻译：解决的问题：提供一种缩短用离子束形成截面所需的时间的处理方法，缩短从晶片分离微小样品所需的时间和离子束处理的处理方法设备。解决方案：离子束处理装置具有真空容器41，在该真空容器41中设置由二质子比计51，非轴对称离子束透镜52，模板掩模57等构成的离子束照射系统。通过具有与横截面垂直的方向具有陡峭波束轮廓的氩离子束从样品11中提取分钟样品139。在短时间内获得器件制造中的晶片检查和故障分析的截面观察结果。此外，即使取出样品或将晶片返回到工艺中也不会发生故障的新颖的检查/分析方法，并且提供了以高产率制造电子部件的方法。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2009004126A Charged particle beam processing device 有权
标题翻译：充电颗粒光束处理装置
公开(公告)号：JP2009004126A
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：JP2007161691
申请日：2007-06-19
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： ISHIGURO KOJI , UMEMURA KAORU , KANEOKA NORIYUKI , SHICHI HIROYASU , TOMIMATSU SATOSHI
IPC分类号： H01J37/317
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charged particle beam processing device capable of securing high flatness of an embedding mark while reducing a time required for embedding a processing hole. SOLUTION: This charged particle beam processing device includes: gas cylinders 22A and 22B respectively filled with different kinds of charged particle beam material gases; an ion beam column 3 including a charged particle beam optical system focusing and emitting an ion beam 2 on/to a sample 13; a holder 4 holding the sample 13; and a gas gun 11. In the charged particle beam processing device, the type of a generation source of the ion beam 2 used for extracting and processing a micro-sample 81 is made to be different from that of the ion beam 2 used for film deposition including an embedding process after extracting the micro-sample 81. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够确保嵌入标记的高平坦度同时减少嵌入处理孔所需的时间的带电粒子束处理装置。解决方案：该带电粒子束处理装置包括：分别填充有不同种类的带电粒子束材料气体的气瓶22A和22B; 离子束柱3，其包括将离子束2聚焦并发射到样品13上的带电粒子束光学系统; 保持样品13的保持器4; 在带电粒子束处理装置中，将用于提取和处理微量样品81的离子束2的发生源的类型与用于膜的离子束2的类型不同沉积包括在提取微样品81之后的嵌入过程。版权所有：（C）2009，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2008130390A Charged beam device and its cleaning method 有权
标题翻译：充电光束装置及其清洁方法
公开(公告)号：JP2008130390A
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：JP2006314681
申请日：2006-11-21
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： ISHIGURO KOJI , UMEMURA KAORU , KANEOKA NORIYUKI , SHICHI HIROYASU , TOMIMATSU SATOSHI
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/317
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charged beam device, and its cleaning method, capable of efficiently removing stains by reactive gas. SOLUTION: On a sample holder 3 with a sample 4 loaded and appropriately movable, a gas supply part insertion hole 17 for inserting a gas gun 11 supplying reactive gas 18 to a charged beam irradiated part on the sample 4, and a cleaning room 8 having a charged beam guide port 16 for guiding in charged beams 6 are provided to remove extraneous matters 14 affixed to a gas nozzle 12. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过反应性气体有效去除污渍的带电束装置及其清洁方法。解决方案：在具有加载并适当移动的样品4的样品架3上，用于将供应反应性气体18的气枪11插入样品4上的带电束照射部分的气体供给部插入孔17和清洁具有用于引导带电梁6的带电梁引导口16的房间8被设置成去除固定在气体喷嘴12上的外来物质14.（C）2008，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2015057801A イオンビーム装置有权
标题翻译：离子束装置
公开(公告)号：JP2015057801A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2014263843
申请日：2014-12-26
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ , Hitachi High-Technologies Corp
发明人： SHICHI HIROYASU , MATSUBARA SHINICHI , ARAI NORIAKI , ISHITANI TORU , OSE YOICHI , KAWANAMI YOSHIMI
IPC分类号： H01J37/28 , H01J27/26 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/16
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/26 , H01J37/09 , H01J37/28 , H01J2237/062 , H01J2237/0807
摘要：【課題】イオン照射系をコンパクトにして、イオン光学長を短くして、かつエミッタティップ(21)からのイオンの放出方向を精度よく試料の方向に調整する機構を実現する。【解決手段】ガス電界電離イオン源(1)、該イオン源から放出されたイオンを加速・集束する集束レンズ(5)、該集束レンズを通過したイオンビームを制限する可動な第1アパーチャ(6)、該第1アパーチャを通過したイオンビームを走査あるいはアラインメントする第1偏向器(35)、該第1アパーチャを通過したイオンビームを偏向する第2偏向器(7)、該第1アパーチャを通過したイオンビームを制限する第2アパーチャ(36)、該第1アパーチャを通過したイオンビームを試料上に集束する対物レンズ(8)、および該第2アパーチャを通過した該イオンビーム電流に略比例した信号量を計測する手段から構成される荷電粒子線顕微鏡とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过制造紧凑的离子照射系统来实现用于将发射极尖端（21）的离子的发射方向精确地调整到样品的方向，缩短离子光学长度的机构。解决方案：带电粒子束显微镜配置为：气场电离离子源（1）; 用于加速/聚焦离子源发射的离子的聚焦透镜（5）; 用于限制通过聚焦透镜的离子束的可移动的第一孔（6）; 用于扫描或对准穿过第一孔的离子束的第一偏转器（35）用于偏转通过第一孔的离子束的第二偏转器（7）用于限制通过第一孔的离子束的第二孔（36）; 用于将通过第一孔的离子束聚焦在样品上的物镜（8）以及用于测量与通过第二孔的离子束电流大致成比例的信号量的装置。

10. 发明专利

JP2015028892A ガス電界電離イオン源を備えたイオンビーム装置、および当該イオンビーム装置を備えた複合荷電粒子線装置审中-公开
标题翻译：具有气体离子源的离子束装置和具有离子束装置的复合充电颗粒束机
公开(公告)号：JP2015028892A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2013158435
申请日：2013-07-31
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ , Hitachi High-Technologies Corp
发明人： MUTO HIROYUKI , KAWANAMI YOSHIMI , SHICHI HIROYASU
IPC分类号： H01J27/26 , H01J37/08 , H01J37/18
摘要：【課題】本発明の目的は、排気している気体が排気系を逆流してガス電界電離イオン源のガスイオン化室に侵入することを防止することに関する。【解決手段】本発明は、例えば、ガス電界電離イオン源から発生するイオンビームを試料に照射して試料を観察または加工するイオンビーム装置や、当該イオンビーム装置を含む複合荷電粒子線装置において、荷電粒子線装置や試料が配置される試料室などの他の真空容器を排気する排気系とは独立したイオン化ガスを排気するイオン化ガス排気系を備えることに関する。本発明によれば、排気している気体が排気系を逆流してガス電界電離イオン源のガスイオン化室に侵入することを防止でき、イオンビームのエミッション不良やエミッタティップの破壊を回避することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有气田电离离子源的离子束装置，该离子束装置被布置成使得可以防止抽空气体在排气系统中反向流动并进入气体电离离子源的气体离子化室。解决方案：本发明涉及：离子束装置，其被布置成向样品施加由气体电离离子源产生的离子束以观察或处理样品; 以及具有这种离子束装置的复合带电粒子束机器，其包括用于排出电离气体的电离气体排气系统，条件是电离气体排气系统独立于用于排出带电粒子束装置的排气系统和真空容器如样品室以设置样品。根据本发明，可以实现以下目的：为了防止排出气体在排气系统中反向流动，并因此进入气体电离室的气体离子化室离子源并避免离子束发射故障和发射极尖端的断裂。

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