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1. 发明专利

JP2012104729A Imaging device 有权
标题翻译：成像装置
公开(公告)号：JP2012104729A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：JP2010253510
申请日：2010-11-12
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , Nhk Engineering Services Inc , Nippon Hoso Kyokai , 日本放送協会 , 浜松ホトニクス株式会社 , 財団法人エヌエイチケイエンジニアリングサービス
发明人： MATSUBARA TOMOKI , SEO HOKUTO , AIHARA SATOSHI , SUZUKI MICHINORI , KIKUCHI KENJI , OKAWA YUJI , SUZUKI SHIRO , KUBOTA SETSU , TANIOKA KENKICHI , MIYAKAWA KAZUNORI , HIRAI TADAAKI , SUZUKI HIDEYUKI , KOBAYASHI AKIRA
IPC分类号： H01L31/08 , H01J31/38 , H01L27/146 , H01L51/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imaging device in an avalanche multiplication system with which sensitivity is greatly improved without increasing thickness of a photoconduction film and apply voltage to the photoconduction film and which realizes high photoelectric conversion efficiency and stable avalanche multiplication at the same time.SOLUTION: An imaging device comprises: a first translucent electrode disposed in a light incident side; a first photoelectric conversion section, laminated on the first translucent electrode, for converting an incident light coming through the first translucent electrode into electricity; a first electroluminescent thin film, laminated on the first photoelectric conversion section, for emitting light because charge generated at the first photoelectric conversion section is injected therein; a second translucent electrode laminated on the first electroluminescent thin film; the second photoelectric conversion section, laminated on the second translucent electrode, at which light emitted at the first electroluminescent thin film and transmitted through the second translucent electrode is converted into electricity; and a signal readout section which readouts a signal charge generated at the second photoelectric conversion section as two-dimentional image signal. The first photoelectric conversion section or the second photoelectric conversion section conducts avalanche multiplication of the electric charge in the photoelectric conversion section.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种在雪崩倍增系统中的成像装置，其灵敏度大大提高，而不增加光导膜的厚度并向光电导膜施加电压，并且实现高光电转换效率和稳定的雪崩倍增同一时间。解决方案：成像装置包括：设置在光入射侧的第一透光电极; 第一光电转换部，层叠在第一透光性电极上，用于将通过第一透光性电极的入射光转换成电; 层叠在第一光电转换部上的第一电致发光薄膜，用于发射由于在第一光电转换部产生的电荷的光; 层叠在第一电致发光薄膜上的第二透光性电极; 层叠在第二透光性电极上的第二光电转换部，将通过第二透光性电极透射的第一电致发光薄膜发射的光转换成电; 以及信号读出部，其将在第二光电转换部生成的信号电荷读出为二维图像信号。第一光电转换部或第二光电转换部进行光电转换部中的电荷的雪崩乘法。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2012160564A Image pickup device and image pickup tube using the same 审中-公开
标题翻译：图像拾取装置和使用该图像的图像拾取管
公开(公告)号：JP2012160564A
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：JP2011018991
申请日：2011-01-31
申请人： Hamamatsu Photonics Kk , Nhk Engineering Services Inc , Nippon Hoso Kyokai , 日本放送協会 , 浜松ホトニクス株式会社 , 財団法人エヌエイチケイエンジニアリングサービス
发明人： KIKUCHI KENJI , OKAWA YUJI , KUBOTA SETSU , MIYAKAWA KAZUNORI , KOBAYASHI AKIRA
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image pickup device using a highly sensitive photoelectric conversion film which reduces an operating voltage, and to provide an image pickup tube using the image pickup device.SOLUTION: An image pickup device 40 comprises: a translucent substrate 10; a conductive film 11 formed on one surface of the translucent substrate; a photoelectric conversion layer 22 provided on the conductive film side; and charge reading means 30 for reading a signal charge generated by a photoelectric conversion action of the photoelectric conversion layer. The image pickup device 40 is characterized in that the photoelectric conversion layer contains chlorine.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用降低工作电压的高灵敏度光电转换膜的图像拾取装置，并提供使用该图像拾取装置的图像拾取管。解决方案：图像拾取装置40包括：半透明基板10; 形成在透光性基板的一个面上的导电膜11; 设置在导电膜侧的光电转换层22; 以及用于读取由光电转换层的光电转换动作产生的信号电荷的电荷读取装置30。图像拾取装置40的特征在于光电转换层含有氯。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2013033664A Photoconductive cell and imaging device 有权
标题翻译：光电池和成像装置
公开(公告)号：JP2013033664A
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：JP2011169558
申请日：2011-08-02
申请人： Nippon Hoso Kyokai , 日本放送協会 , Nhk Engineering Services Inc , 財団法人エヌエイチケイエンジニアリングサービス
发明人： KIKUCHI KENJI , OKAWA YUJI , KUBOTA SETSU , MIYAKAWA KAZUNORI
IPC分类号： H01J29/45
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoconductive cell and imaging device including a hole injection inhibition layer capable of achieving a high S/N and high quality image with high sensitivity and high resolution by suppressing a dark current.SOLUTION: The photoconductive cell includes: a translucent substrate; a conductive film formed on the translucent substrate; a hole injection inhibition layer formed on the conductive film; and a photoconductive layer formed on the hole injection inhibition layer. The hole injection inhibition layer is formed from gallium oxide.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种光电导电池和成像装置，其包括通过抑制暗电流能够实现高灵敏度和高分辨率的高S / N和高质量图像的空穴注入抑制层。光电导元件包括：透光性基板; 形成在所述透光性基板上的导电膜; 形成在导电膜上的空穴注入阻挡层; 以及形成在空穴注入抑制层上的光电导层。空穴注入阻挡层由氧化镓形成。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2011228021A Photoconductive element and image pickup device 有权
标题翻译：光电元件和图像拾取器件
公开(公告)号：JP2011228021A
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：JP2010094258
申请日：2010-04-15
申请人： Nhk Engineering Services Inc , Nippon Hoso Kyokai , 日本放送協会 , 財団法人エヌエイチケイエンジニアリングサービス
发明人： KIKUCHI KENJI , MATSUBARA TOMOKI , OKAWA YUJI , KUBOTA SETSU , MIYAKAWA KAZUNORI
IPC分类号： H01J29/45 , H01J31/38
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoconductive element comprising a hole-ejection preventing reinforced layer allowing acquisition of a high-grade image having high sensitivity, high resolution and high S/N by suppressing dark current, and to provide an image pickup device.SOLUTION: The photoconductive element comprises a translucent substrate, a conductive film formed on the translucent substrate, a hole injection preventing layer formed on the conductive film, and a photoconductive layer formed on the hole injection preventing layer. The hole injection preventing layer is composed of zinc oxide.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种光电元件，其包括防止空穴喷射的增强层，其通过抑制暗电流获得具有高灵敏度，高分辨率和高S / N的高级图像，并提供图像拾取装置。解决方案：光电导元件包括透光性基板，形成在透光性基板上的导电膜，形成在导电膜上的空穴注入防止层，以及形成在空穴注入防止层上的光电导层。防止空穴注入层由氧化锌构成。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2014082008A Image pick-up device 审中-公开
标题翻译：图像拾取器件
公开(公告)号：JP2014082008A
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：JP2012227140
申请日：2012-10-12
申请人： Nippon Hoso Kyokai , 日本放送協会
发明人： MIYAKAWA KAZUNORI , OKAWA YUJI , KUBOTA SETSU , KIKUCHI KENJI , TAMEMURA SHIGEAKI
IPC分类号： H01J31/38
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoconductive image pick-up device producing a high quality image of high-sensitivity, high resolution and high S/N while suppressing the ghost image.SOLUTION: An image pick-up device includes a photoconductive element having a translucent substrate, a conductive film formed on the translucent substrate, and a photoconductive layer formed on the conductive film, an electron beam source emitting an electron beam for scanning toward the photoconductive element, a mesh electrode disposed between the photoconductive element and the electron beam source and on which a porous antimony trisulfide layer is formed, and a signal reading part connected electrically with the photoconductive element, and reading an image pick-up signal obtained by scanning of the electron beam.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在抑制重影图像的同时产生高灵敏度，高分辨率和高S / N的高质量图像的感光图像拾取装置。解决方案：图像拾取装置包括具有透光性基板，形成在透光性基板上的导电膜，形成在导电膜上的光电导层，发射用于向光电导元件扫描的电子束的电子束源，设置在光电导元件与电子束之间的网状电极源，并且其上形成多孔锑三硫化物层，以及与光电导元件电连接的信号读取部分，以及读取通过扫描电子束获得的图像拾取信号。

6. 发明专利

JP2014216502A 光電変換素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014216502A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013093027
申请日：2013-04-25
申请人：日本放送協会 , Nippon Hoso Kyokai
发明人： MIYAKAWA KAZUNORI , KIKUCHI KENJI , TAMEMURA SHIGEAKI , KUBOTA SETSU
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/10
摘要：【課題】極めて低い印加電圧でも量子効率100%を超える、高感度の光電変換素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板1上に、第1導電材料からなる正孔取り出し電極2及び非晶質セレン3?を順に成膜し、続いて非晶質セレン3?上に第2導電材料からなる電子取り出し電極4を成膜した後、正孔取り出し電極2、非晶質セレン3?及び電子取り出し電極4を、不活性ガス雰囲気中において、加熱温度を70℃〜250℃、加熱時間を1分〜5時間として加熱することにより、非晶質セレン3?を結晶化させて当該結晶セレンからなる光電変換層3を形成することを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供高灵敏度的光电转换元件，其量子效率即使在极低的施加电压下也超过100％，并提供其制造方法。解决方案：在基板1上，提取空穴随后沉积由第一导电材料和非晶硒3'组成的2，并且在随后在非晶硒3'上沉积由第二导电材料组成的电子引出电极4之后，空穴引出电极2，非晶硒3'和电子提取电极4在惰性气体气氛中，在70℃-250℃的加热温度下加热1分钟-5小时，从而使非晶硒3'结晶并形成由晶体硒组成的光电转换层3。

7. 发明专利

JP2014017440A Photoelectric conversion element and image sensor 审中-公开
标题翻译：光电转换元件和图像传感器
公开(公告)号：JP2014017440A
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：JP2012155401
申请日：2012-07-11
申请人： Nippon Hoso Kyokai , 日本放送協会
发明人： KIKUCHI KENJI , TAMEMURA SHIGEAKI , MIYAKAWA KAZUNORI , KUBOTA SETSU
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L27/146
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion element capable of obtaining a high S/N ratio by reducing a dark current, and an image sensor.SOLUTION: The photoelectric conversion element includes a first electrode layer, a photoelectric conversion layer laminated on the first electrode layer, a hole injection blocking layer constituted of gallium oxide and laminated on the photoelectric conversion layer, and a second electrode layer laminated on the hole injection blocking layer and constituted of a translucent electrode material.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过减小暗电流而获得高S / N比的光电转换元件和图像传感器。解决方案：光电转换元件包括第一电极层，层叠在其上的光电转换层第一电极层，由氧化镓构成的层叠在光电转换层上的空穴注入阻挡层和层叠在空穴注入阻挡层上并由透光性电极材料构成的第二电极层。

8. 发明专利

JP2017084946A 光電変換素子およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017084946A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2015211033
申请日：2015-10-27
申请人：日本放送協会 , Nippon Hoso Kyokai
发明人： KIKUCHI KENJI , TAMEMURA SHIGEAKI , MIYAKAWA KAZUNORI , WATABE TOSHIHISA , HAGIWARA HIROSHI , NANBA MASAKAZU , OTAKE HIROSHI , KUBOTA SETSU
IPC分类号： H01L31/10 , C23C14/08 , H01L27/146
摘要：【課題】光電変換素子のn型半導体層に酸化ガリウムを用いた場合に、低電圧印加時でも良好な可視光感度を得ることができる光電変換素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】この光電変換素子10は、上面に負極性の下部電極層1aを備えた基板1の上方に、CIGS層からなるp型半導体層2(CIGS層2)、酸化ガリウムからなるn型半導体層3(酸化ガリウム層3)および透明な電極層4を、この順に積層形成してなり、印加する逆バイアス電圧が0Vのとき、CIGS層2と酸化ガリウム層3の境界付近のCIGS層2側の領域において、この境界の全面に沿った、完全空乏層が形成されている。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2015022790A 駆動装置及び駆動方法並びに駆動装置を備えた撮像装置及び表示装置审中-公开
标题翻译：驱动装置，驱动方法和成像装置以及具有驱动装置的显示装置
公开(公告)号：JP2015022790A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013147199
申请日：2013-07-16
申请人：日本放送協会 , Nippon Hoso Kyokai , 一般財団法人Nhkエンジニアリングシステム , Nhk Engineering System Inc
发明人： NANBA MASAKAZU , HONDA YUKI , MIYAKAWA KAZUNORI , KUBOTA SETSU
IPC分类号： H01J31/12 , G09G3/20 , G09G3/22 , H01J1/304 , H01J31/38 , H04N5/30
摘要：【課題】引出電極と集束電極との間で絶縁破壊が生じる可能性を従来のものよりも低減することができる駆動装置及び駆動方法並びに駆動装置を備えた撮像装置及び表示装置を提供する。【解決手段】撮像装置10は、電子放出源アレイ20、光入射基板30、駆動装置40を備え、電子放出源アレイ20は、エミッタ21aから電子を引き出す引出電極23、電子を集束する集束電極25を備え、駆動装置40は、垂直走査回路42、水平走査回路43、電圧印加装置50を備え、電圧印加装置50は、垂直帰線期間において、引出電極23と集束電極25との間の電位差を放電が持続する放電持続電位差よりも小さくする構成を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：与传统技术相比，提供一种驱动装置和驱动方法，其能够降低在引出电极和聚焦电极之间发生电介质击穿的可能性，并提供具有驱动器的成像装置和显示装置装置。解决方案：成像装置10包括电子发射源阵列20，光入射基板30和驱动装置40.电子发射源阵列20包括用于从发射极21a提取电子的引出电极23和聚焦用于聚焦电子的电极25。驱动装置40包括垂直扫描电路42，水平扫描电路43和电压施加装置50.电压施加装置50被配置为使得提取电极23和聚焦电极25之间的电位差设定为低于在垂直回扫期间保持放电的放电持续时间电位差。

10. 发明专利

JP2015060980A 積層型撮像素子の製造方法および積層型撮像素子审中-公开
标题翻译：堆叠图像传感器和堆叠图像传感器的制造方法
公开(公告)号：JP2015060980A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2013194328
申请日：2013-09-19
申请人：日本放送協会 , Nippon Hoso Kyokai
发明人： HAYASHIDA TETSUYA , MIYAKAWA KAZUNORI
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
摘要：【課題】単結晶材料からなる光電変換膜を形成する場合であっても、信号読み出し回路部に影響を与えることなく効率よく形成でき、しかも適切な厚み、かつ均一な膜厚の光電変換膜を形成できる積層型撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】光電変換材料8の表面から水素イオンまたはヘリウムイオンを注入して、イオンリッチ層を形成する注入工程と、イオンリッチ層を形成した光電変換材料8を、表面を信号読み出し回路部1に向けて信号読み出し回路部1上に配置し、信号読み出し回路部1と光電変換材料8とを接合する接合工程と、光電変換材料8をイオンリッチ層において分離して、信号読み出し回路部1上に光電変換材料8の表層からなる光電変換膜5を形成する分離工程とを有する積層型撮像素子の製造方法とする。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种制造具有适当厚度和均匀膜厚度的层叠图像传感器的方法，其使得即使由单晶材料构成的光电转换膜也能有效地形成，而不影响信号读取电路部分解决方案：制造叠层图像传感器的方法包括通过从光电转换材料8的表面注入氢离子或氦离子形成离子富集层的注入步骤，用于将信号读取电路1和光电转换材料8通过将形成有离子富集层的光电转换材料8放置在信号读取电路1上，同时将表面朝信号读取电路1引导，以及用于形成光电转换膜 5由光电转换材料8的表面层组成，在信号读取电路1上由sepa构成评价离子富集层中的光电转换材料8。

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