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1. 发明申请

WO2005034252A3 HALBLEITERVORRICHTUNG ZUM EMITTIEREN VON LICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2005034252A3
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/EP2004/011360
申请日：2004-09-30
申请人： HUMBOLDT-UNIVERSITÄT ZU BERLIN , MASSELINK, William, Ted , HATAMI, Fariba
发明人： MASSELINK, William, Ted , HATAMI, Fariba
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Eine erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung zum Emittieren von Licht bei Anlegen einer Spannung umfasst einen ersten (3), einen zweiten (5) und einen dritten, aktiven Hableiterbereich (7A-7C). Während die Leitfähigkeit des ersten Halbleiterbereiches (3) auf Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps beruht, beruht die Leitfähigkeit der zweiten Halbleiterbereiches (5) auf Ladungsträgern eines zweiten Leitfähigkeitstyps, welche eine den Ladungsträgern des ersten Leitfähigkeitstyps entgegengesetzte Ladung aufweisen. Der aktive Halbleiterbereich (5 13) ist zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiterbereich (3, 5) angeordnet. In den aktiven Halbleiterbereich (5) sind Quantenstrukturen (13) eingebettet, die aus einem Halbleitermaterial hergestellt sind, das eine direkte Bandlücke aufweist. Unter Quantenstrukturen sind dabei Strukturen zu verstehen, die in mindestens einer Ausdehnungsrichtung eine Abmessung aufweisen, die derart gering ist, dass die Eigenschaften der Struktur von quantenmechanischen Vorgängen wesentlich mitbestimmt werden.

2. 发明申请

WO2005067065A1 LICHT EMITTIERENDE HALBLEITERVORRICHTUNGEN MIT VERÄNDERBARER EMISSIONSWELLENLÄNGE 审中-公开
标题翻译：具有可变发射波长发光半导体器件
公开(公告)号：WO2005067065A1
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：PCT/EP2004/014713
申请日：2004-12-24
申请人： HUMBOLDT-UNIVERSITÄT ZU BERLIN , HATAMI, Fariba , MASSELINK, William, Ted
发明人： HATAMI, Fariba , MASSELINK, William, Ted
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/30 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Eine erfindungsgemässe Halbleitervorrichtung zum Emittieren von Licht bei anlegen einer Spannung umfasst - einen ersten Hableiterbereich (3), dessen Leitfähigkeit auf Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps, also bspw. Elektronen beruht, - einen zweiten Halbleiterbereich (5), dessen Leitfähigkeit auf Ladungsträgern eines zweiten Leitfähigkeitstyps, welche eine den Ladungsträgern des ersten Leitfähigkeitstyps entgegengesetzte Ladung besitzen, also bspw. Löchern, beruht, und - einen zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) dem zweiten Halbleiterbereich (5) angeordneten aktiven Halbleiterbereich (7A - 7C), in welchem die Lichtemission stattfindet und in den Quantenstrukturen (13, 15) eines Halbleitermaterials mit direkter Bandlücke in mindestens zwei unterschiedlichen miteinander gekoppelten Konfigurationen eingebettet sind. Ausserdem ist der erfindungsgemässen Halbleitervorrichtung eine Schalteinrichtung (20) zum direkten oder indirekten Beeinflussen des durch den aktiven Halbleiterbereich (7A - 7C) fliessenden Stromes zugeordnet, die derart ausgestaltet ist, dass zumindest zwischen einem Stromfluss durch den aktiven Halbleiterbereich mit einer Stromstärke (H1) unterhalb einer bestimmten Schwellenstromstärke und einem Stromfluss durch den aktiven Halbleiterbereich mit einer Stromstärke (H2) oberhalb der Schwellenstromstärke hin und her zu schalten ist.
摘要翻译：在包括施加电压发光的本发明的半导体器件 - 第一Hableiterbereich（3）基于其导电率上的第一导电类型的载流子，即，例如，电子， - 一个第二半导体区域（5），第二导电类型的导电性的电荷载体，其具有一个相反于该第一导电型的电荷的载流子，因此，例如通孔是基于，和 - 一个第一半导体区域（3）至所述第二半导体区域（5）设置在有源半导体区之间（7A - 7C），在其中发生的光发射和与至少两种不同的相互耦合的配置的直接带隙的半导体材料的量子结构（13，15）被嵌入。此外，本发明的半导体器件是开关装置（20），用于直接或间接影响因素穿过有源半导体区域（7A - 7C）流动的电流分配，其被设计为使得至少低于电流流过有源半导体区与电流强度之间（H1）是某一阈值的电流，并且电流流过有源半导体区与所述阈值电流以上的电流强度（H2）到来回切换。

3. 发明申请

WO2005022651A1 QUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：量子阱结构
公开(公告)号：WO2005022651A1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：PCT/EP2004/006314
申请日：2004-06-11
申请人： HUMBOLDT-UNIVERSITÄT ZU BERLIN , MASSELINK, William, Ted , SEMTSIV, Mykhaylo, Petrovych
发明人： MASSELINK, William, Ted , SEMTSIV, Mykhaylo, Petrovych
IPC分类号： H01L31/0352
CPC分类号： B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L29/125 , H01L29/205 , H01L31/0352 , H01L31/035236
摘要： Eine erfindungsgemässe Quantentopfstruktur umfasst eine zwischen zwei Barrierenschichten (109, 112) angeordnete, Quantentopfschicht (107). Sie zeichnet sich dadurch aus, dass mindestens eine der Barrierenschichten (109) Nanostrukturen (110) umfasst, die eine ohne die Nanostrukturen (110) vorhandene laterale Homogenität der Barrierenschicht (109), d.h. eine Homogenität in den Richtungen, die Senkrecht zur Stapelrichtung der Schichten in der Quantentopfstruktur verlaufen, aufheben oder modulieren.
摘要翻译：根据本发明的量子阱结构包括：（109，112），其设置量子阱层（107）的两之间的阻挡层。它的特点是在阻挡层中的至少一个（109）的纳米结构（110），所述现有的不具有纳米结构（110），阻挡层（109），即横向的均匀性在垂直于量子阱结构的层的层叠方向上的方向均匀性取消，或调节。

4. 发明申请

WO2013044913A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LASERS 审中-公开
标题翻译：制造激光器的方法
公开(公告)号：WO2013044913A2
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/DE2012/200062
申请日：2012-09-12
申请人： HUMBOLDT-UNIVERSITÄT ZU BERLIN , MASSELINK, William, Ted , SEMTSIV, Mykhaylo, Petrovych , CHASHNIKOVA, Mikaela
发明人： MASSELINK, William, Ted , SEMTSIV, Mykhaylo, Petrovych , CHASHNIKOVA, Mikaela
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/02461 , H01S5/2072 , H01S5/2214 , H01S5/2224 , H01S5/2275
摘要： Die Erfindung bezieht sich u. a. auf ein Verfahren zum Herstellen eines Lasers. Erfindungsgemäß ist bei dem Verfahren vorgesehen, dass auf oder über einem auf einem Träger (10) befindlichen Halbleiterkörper (40), der einen wellenführenden und zur Erzeugung von Photonen geeigneten aktiven Laserabschnitt (41) und einen darüber befindlichen, eine niedrigere Brechzahl als der Laserabschnitt aufweisenden Mantelabschnitt (42) umfasst, eine Materialschicht (50, 120) ganzflächig unselektiv aufgebracht wird, deren Brechzahl kleiner als die Brechzahl des aktiven Laserabschnitts ist, die elektrische Leitfähigkeit der Materialschicht (50, 120) derart lokal verändert wird, dass der über dem aktiven Laserabschnitt befindliche Schichtabschnitt (51, 122) eine größere elektrische Leitfähigkeit als der oder die seitlich neben dem aktiven Laserabschnitt befindlichen Schichtabschnitte (52, 121) aufweist, und zumindest auf dem über dem aktiven Laserabschnitt (41) befindlichen Schichtabschnitt (51, 122) der Materialschicht (50, 120) eine Kontaktschicht (70) zum elektrischen Kontaktieren des Halbleiterkörpers (40) aufgetragen wird.
摘要翻译：
本发明涉及u。一。涉及制造激光的方法。发明＆AUML;大街体（40），其具有的光子的波导航用途hrenden和产生合适的活性激光部（41）和一个表示OVER;在此，上或上方一个上的支撑BEAR位于GER（10）Halbleiterk＆OUML该方法提供，位于低的折射率比具有激光器部鞘部（42）包括材料层（50，120）ganzfl BEAR被chig非选择性施加其折射率比所述激光器激活部分的折射率小，所述材料层的导电性的承受能力（50， 120），使得在本地一个版本BEAR被改变时，该导航使用位于有源激光部层部（51，122）上方的GR＆ouml;道路ERE电导率BEAR能力大于或位于横向相邻的活性激光部分的层区段（52，121）并且至少在有源激光器部分（41）上的材料层（50,120）上，用于电接触半导体本体（40）的接触层（70）被应用

5. 发明授权

EP1649521B1 QUANTENTOPFSTRUKTUR 有权
标题翻译：量子阱结构
公开(公告)号：EP1649521B1
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：EP04739806.0
申请日：2004-06-11
申请人： Humboldt-Universität zu Berlin
发明人： MASSELINK, William, Ted , SEMTSIV, Mykhaylo, Petrovych
IPC分类号： H01L31/0352 , H01S5/34 , H01L29/12
CPC分类号： B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L29/125 , H01L29/205 , H01L31/0352 , H01L31/035236

6. 发明公开

EP1671377A2 HALBLEITERVORRICHTUNG ZUM EMITTIEREN VON LICHT 审中-公开
标题翻译：半导体器件发射光
公开(公告)号：EP1671377A2
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：EP04787080.3
申请日：2004-09-30
申请人： Humboldt-Universität zu Berlin
发明人： MASSELINK, William, Ted , HATAMI, Fariba
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/30 , H01L2924/0002 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01L2924/00
摘要： The inventive semiconductor device for emitting light when a voltage is applied comprises a first (3), second (5) and third active semiconductor area (7A-7C). The conductivity of the first semiconductor area (3) is based on charge carriers of a first type of conductivity. The conductivity of the second semiconductor area (5) is based on charge carriers of a second type of conductivity whereby the charge thereof is opposite to that of the charge carriers of the first type of conductivity. The active semiconductor area (5 13) is arranged between the first and second semiconductor area (3, 5). Quantum structures (13) are embedded in the active semiconductor area (5) and are made of a semiconductor material which has a direct band gap. The quantum structures are structures whose dimension in at least one direction of expansion is small enough such that the properties of the structure can be substantially influenced by quantum mechanical processes.

7. 发明公开

EP1649521A1 QUANTENTOPFSTRUKTUR 有权
标题翻译：量子阱结构
公开(公告)号：EP1649521A1
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：EP04739806.0
申请日：2004-06-11
申请人： Humboldt-Universität zu Berlin
发明人： MASSELINK, William, Ted , SEMTSIV, Mykhaylo, Petrovych
IPC分类号： H01L31/0352 , H01S5/34 , H01L29/12
CPC分类号： B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L29/125 , H01L29/205 , H01L31/0352 , H01L31/035236
摘要： The invention relates to a quantum well structure comprising a quantum well layer (107) arranged between two barrier layers (109, 112). Said quantum well structure is characterised in that at least one of the barrier layers (109) has nanostructures (110) that compensate or modulate a lateral homogeneity of the barrier layer (109), that exists without the nanostructures (110), i.e. a homogeneity in the directions extending perpendicularly to the stack direction of the layers in the quantum well structure.

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