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1. 发明专利

TW201614366A 光罩基底、光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、光罩基底之制造方法及转印用光罩之制造方法
公开(公告)号：TW201614366A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104131500
申请日：2015-09-23
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣松孝浩 , HIROMATSU, TAKAHIRO , 橋本雅広 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/80 , G03F7/11
CPC分类号： G03F1/50 , C08F220/16 , C08F220/28 , C08F2220/281 , G03F1/24 , G03F1/30 , G03F1/80 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/322 , H01L21/027 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/31116 , C08F220/20 , C08F2220/283 , C08F2220/185
摘要：本發明提供一種顯影時不易殘留來自抗蝕劑膜之異物且異物缺陷較少之光罩基底、及圖案精度優異之轉印用光罩。本發明係一種光罩基底，其於基板上具備：薄膜，其用以形成轉印圖案；抗蝕劑基底膜，其設置於薄膜上，且由含有包含具有內酯環之單元結構及具有羥基之單元結構之聚合物之抗蝕劑基底組合物形成；抗蝕劑膜，其設置於抗蝕劑基底膜上，且由抗蝕劑組合物形成；及混合膜，其以介置於抗蝕劑基底膜與抗蝕劑膜之間之方式設置，且由含有抗蝕劑基底組合物與抗蝕劑組合物之混合成分形成。
简体摘要：本发明提供一种显影时不易残留来自抗蚀剂膜之异物且异物缺陷较少之光罩基底、及图案精度优异之转印用光罩。本发明系一种光罩基底，其于基板上具备：薄膜，其用以形成转印图案；抗蚀剂基底膜，其设置于薄膜上，且由含有包含具有内酯环之单元结构及具有羟基之单元结构之聚合物之抗蚀剂基底组合物形成；抗蚀剂膜，其设置于抗蚀剂基底膜上，且由抗蚀剂组合物形成；及混合膜，其以介置于抗蚀剂基底膜与抗蚀剂膜之间之方式设置，且由含有抗蚀剂基底组合物与抗蚀剂组合物之混合成分形成。

2. 发明专利

TWI682235B 光罩基底、光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法有权
简体标题：光罩基底、光罩基底之制造方法及转印用光罩之制造方法
公开(公告)号：TWI682235B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104131500
申请日：2015-09-23
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日商日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣松孝浩 , HIROMATSU, TAKAHIRO , 橋本雅広 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/80 , G03F7/11

3. 发明专利

TWI608290B 光罩基底及轉印用光罩有权
简体标题：光罩基底及转印用光罩
公开(公告)号：TWI608290B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103134463
申请日：2014-10-02
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣松孝浩 , HIROMATSU, TAKAHIRO , 橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/68 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/82 , G03F7/11

4. 发明专利

TW201518857A 光罩基底及轉印用光罩审中-公开
简体标题：光罩基底及转印用光罩
公开(公告)号：TW201518857A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103134463
申请日：2014-10-02
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣松孝浩 , HIROMATSU, TAKAHIRO , 橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/68 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/82 , G03F7/11
摘要：本發明提供一種光罩基底，其具有與抗蝕膜之高密接性，並且於顯影時源自抗蝕膜之異物不易殘留於間隔部分，異物缺陷較少。本發明之光罩基底於基板上，具備用以形成轉印圖案之薄膜；由抗蝕劑基底組合物形成，設置於薄膜上之抗蝕劑基底膜；由化學增幅型抗蝕劑形成，設置於抗蝕劑基底膜上之抗蝕膜；及以介置於抗蝕劑基底膜與抗蝕膜之間之方式設置之混合膜；抗蝕劑基底膜以自薄膜側朝向抗蝕膜側，分子量於厚度方向減少之方式構成，於抗蝕膜側之表面具有分子量較低之低分子量區域；混合膜係藉由混合低分子量區域之成分與化學增幅型抗蝕劑之成分而形成。
简体摘要：本发明提供一种光罩基底，其具有与抗蚀膜之高密接性，并且于显影时源自抗蚀膜之异物不易残留于间隔部分，异物缺陷较少。本发明之光罩基底于基板上，具备用以形成转印图案之薄膜；由抗蚀剂基底组合物形成，设置于薄膜上之抗蚀剂基底膜；由化学增幅型抗蚀剂形成，设置于抗蚀剂基底膜上之抗蚀膜；及以介置于抗蚀剂基底膜与抗蚀膜之间之方式设置之混合膜；抗蚀剂基底膜以自薄膜侧朝向抗蚀膜侧，分子量于厚度方向减少之方式构成，于抗蚀膜侧之表面具有分子量较低之低分子量区域；混合膜系借由混合低分子量区域之成分与化学增幅型抗蚀剂之成分而形成。

5. 发明专利

TWI640834B 含有具內酯構造之聚合物的電子線阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具内酯构造之聚合物的电子线阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI640834B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103143889
申请日：2014-12-16
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08L33/08 , C08K5/13 , H01L21/027

6. 发明专利

TW201630235A 鋰蓄電池用電極形成材料及電極之製造方法审中-公开
简体标题：锂蓄电池用电极形成材料及电极之制造方法
公开(公告)号：TW201630235A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104129663
申请日：2015-09-08
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/1391 , H01M4/1393
CPC分类号： H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/139 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/62
摘要：本發明之課題係提供用來將電極活性物質與導電助劑藉由黏合劑被覆於集電體時，被覆於集電體的電極中的活性物質為高密度、且與集電體之密著性為優異之黏合劑，及提供包含該黏合劑的電極形成材料、使用該電極形成材料的電極之形成方法。解決課題之手段為一種電極形成材料，其係被覆於集電體上之電極形成材料，該電極形成材料係包含電極活性物質、及黏合劑，該黏合劑係包含含羧基之多糖類、含羧基之多糖類與環氧化合物之反應生成物、或該等之組合，又，於該黏合劑的3質量%水性溶液中，在25℃下具有20~1500mPa‧s的範圍之黏度。含羧基之多糖類係較佳為羧甲基纖維素、海藻酸、或其鹽。作為電極活性物質可使用鋰鈷複合氧化物、或石墨。作為導電助劑可使用碳原料。
简体摘要：本发明之课题系提供用来将电极活性物质与导电助剂借由黏合剂被覆于集电体时，被覆于集电体的电极中的活性物质为高密度、且与集电体之密着性为优异之黏合剂，及提供包含该黏合剂的电极形成材料、使用该电极形成材料的电极之形成方法。解决课题之手段为一种电极形成材料，其系被覆于集电体上之电极形成材料，该电极形成材料系包含电极活性物质、及黏合剂，该黏合剂系包含含羧基之多糖类、含羧基之多糖类与环氧化合物之反应生成物、或该等之组合，又，于该黏合剂的3质量%水性溶液中，在25℃下具有20~1500mPa‧s的范围之黏度。含羧基之多糖类系较佳为羧甲基纤维素、海藻酸、或其盐。作为电极活性物质可使用锂钴复合氧化物、或石墨。作为导电助剂可使用碳原料。

7. 发明专利

TW201539141A 含有具內酯構造之聚合物的電子線阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有具内酯构造之聚合物的电子线阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201539141A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103143889
申请日：2014-12-16
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08L33/08 , C08K5/13 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D133/06 , C09D133/066 , C09D133/14 , G03F7/2059 , H01L21/0271 , H01L21/0273 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/3088
摘要：本發明之課題在於提供一種電子線微影用阻劑下層膜，其係可減低受底層基板或電子線所導致之不良影響，而形成直線形狀之良好的阻劑圖型。本發明之解決方法乃是一種電子線阻劑下層膜形成組成物，其係含有包含具有內酯環之單位構造與具有羥基之單位構造的聚合物者。聚合物乃是將含有內酯(甲基)丙烯酸酯、羥基烷基(甲基)丙烯酸酯、及苯基(甲基)丙烯酸酯或苄基(甲基)丙烯酸酯之單體混合物予以共聚所得之聚合物。一種半導體裝置之製造方法，其係將電子線阻劑下層膜形成組成物塗佈於基板上並予以加熱，形成電子線阻劑下層膜，且於其上被覆電子線阻劑，對此被覆了電子線阻劑下層膜與電子線阻劑之基板照射電子線、顯像、乾式蝕刻，而於基板上轉印影像而形成積體電路元件。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种电子线微影用阻剂下层膜，其系可减低受底层基板或电子线所导致之不良影响，而形成直线形状之良好的阻剂图型。本发明之解决方法乃是一种电子线阻剂下层膜形成组成物，其系含有包含具有内酯环之单位构造与具有羟基之单位构造的聚合物者。聚合物乃是将含有内酯(甲基)丙烯酸酯、羟基烷基(甲基)丙烯酸酯、及苯基(甲基)丙烯酸酯或苄基(甲基)丙烯酸酯之单体混合物予以共聚所得之聚合物。一种半导体设备之制造方法，其系将电子线阻剂下层膜形成组成物涂布于基板上并予以加热，形成电子线阻剂下层膜，且于其上被复电子线阻剂，对此被覆了电子线阻剂下层膜与电子线阻剂之基板照射电子线、显像、干式蚀刻，而于基板上转印影像而形成集成电路组件。

8. 发明专利

TW201518867A 含有具含氮環化合物之聚合物的光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有具含氮环化合物之聚合物的光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201518867A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103127254
申请日：2014-08-08
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/24 , H01L21/027
CPC分类号： C09D167/06 , C08G59/1438 , C08G59/26 , C08G63/58 , C08G63/6858 , C09D5/006 , G03F7/091 , H01L21/0276
摘要：提供可得到良好的阻劑形狀之焦點位置具有廣範圍之阻劑下層膜。含有由含二環氧基化合物(A)與含二羧基化合物(B)之反應而得到的直鏈狀聚合物之微影術用阻劑下層膜形成組成物。該直鏈狀聚合物為具有來自該含二環氧基化合物(A)或該含二羧基化合物(B)之下述(1)、(2)、及(3)：所表示之構造者。以含有分別具有式(1)及式(2)之構造的2種的含二環氧基化合物(A)與具有式(3)之構造的含二羧基化合物(B)之反應所得到的聚合物、或具有式(1)之構造的含二環氧基化合物(A)與各自具有式(2)及式(3)之構造的2種的含二羧基化合物(B)之反應所得到的聚合物者為佳。
简体摘要：提供可得到良好的阻剂形状之焦点位置具有广范围之阻剂下层膜。含有由含二环氧基化合物(A)与含二羧基化合物(B)之反应而得到的直链状聚合物之微影术用阻剂下层膜形成组成物。该直链状聚合物为具有来自该含二环氧基化合物(A)或该含二羧基化合物(B)之下述(1)、(2)、及(3)：所表示之构造者。以含有分别具有式(1)及式(2)之构造的2种的含二环氧基化合物(A)与具有式(3)之构造的含二羧基化合物(B)之反应所得到的聚合物、或具有式(1)之构造的含二环氧基化合物(A)与各自具有式(2)及式(3)之构造的2种的含二羧基化合物(B)之反应所得到的聚合物者为佳。

9. 发明专利

TWI628515B 含有具含氮環化合物之聚合物的光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具含氮环化合物之聚合物的光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI628515B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW103127254
申请日：2014-08-08
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/24 , H01L21/027

10. 发明专利

TW201335115A 防靜電膜形成組成物及低聚物化合物审中-公开
简体标题：防静电膜形成组成物及低聚物化合物
公开(公告)号：TW201335115A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101143752
申请日：2012-11-22
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 山田智久 , YAMADA, TOMOHISA , 中家直樹 , NAKAIE, NAOKI , 高山祐樹 , TAKAYAMA, YUKI
IPC分类号： C07C211/54 , G03F7/11
CPC分类号： C07C211/54 , C08G73/0266 , C08L79/02 , C09D179/02 , G03F1/00 , G03F7/093 , G03F7/11 , H01B1/128
摘要：本發明之課題係提供一種對抗蝕表面之塗佈性優異、可防止抗蝕膜帶電之用以形成防靜電膜的組成物。解決課題的手段係提供一種含有下述式(1A)所示之低聚物化合物及水之防靜電膜形成組成物： (式中，R1表示氫原子或下述式(2)所示之基，R2及R3各自獨立表示氫原子或下述式(3)或式(4)所示之基，複數之R當中至少一個表示磺基，a及b表示滿足2≦(a+b)≦6之正整數，複數之x各自獨立表示0至4之整數) (式中，n表示滿足1≦n＜(a+b+4)之整數，a、b、R及x與前述式(1A)同義，複數之y各自獨立表示0至5之整數)。
简体摘要：本发明之课题系提供一种对抗蚀表面之涂布性优异、可防止抗蚀膜带电之用以形成防静电膜的组成物。解决课题的手段系提供一种含有下述式(1A)所示之低聚物化合物及水之防静电膜形成组成物： (式中，R1表示氢原子或下述式(2)所示之基，R2及R3各自独立表示氢原子或下述式(3)或式(4)所示之基，复数之R当中至少一个表示磺基，a及b表示满足2≦(a+b)≦6之正整数，复数之x各自独立表示0至4之整数) (式中，n表示满足1≦n＜(a+b+4)之整数，a、b、R及x与前述式(1A)同义，复数之y各自独立表示0至5之整数)。

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