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    • 7. 发明申请
      WO2006037526A3 LATERAL DMOS-TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
    • LATERAL DMOS-TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
    • 横向DMOS晶体管及其制造方法
    • WO2006037526A3
    • 2006-09-28
    • PCT/EP2005010455
    • 2005-09-28
    • ATMEL GERMANY GMBH , DIETZ FRANZ , DUDEK VOLKER , HOFFMANN THOMAS , GRAF MICHAEL , SCHWANTES STEFAN
    • DIETZ FRANZ , DUDEK VOLKER , HOFFMANN THOMAS , GRAF MICHAEL , SCHWANTES STEFAN
    • H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
    • H01L29/66659 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/7816 , H01L29/7835
    • The invention relates to a lateral DMOS-transistor (10) comprising a MOS-diode made of a semi-conductor material of a first type of conductivity, a source-area (16) of a second type of conductivity and a drain-area (18) of a second type of conductivity which is separated from the MOS-diode by a drift region made of a semi-conductor material of a second type of conductivity which is at least partially covered by a dielectric gate layer (28) which also covers the semi-conductor material of the MOS-diode. The dielectric gate-layer (28) comprises a first region (38) of a first thickness (40) and a second region (42) of a second thickness (44).The first region (38) covers the semi-conductor material of the MOS-diode and the second region (42) is arranged on the drift region. The DMOS-transistor (10) is characterised in that a transition takes place from the first thickness (40) to the second thickness (44) such that an edge area of the drift region which is oriented towards the MOS-diode is arranged below the second area (42) of the gate layer (28). The invention also relates to a method for the production of said types of DMOS-transistors (10).
    • 呈现为具有由第二导电型的第二导电类型的由MOS二极管形成的第一导电类型，源极区（16）和漏区（18）的半导体材料制成的MOS二极管的横向DMOS晶体管（10） 第二导电类型的半导体材料的漂移区至少部分地被也覆盖MOS二极管的半导体材料的栅极电介质层（28）覆盖，栅极电介质层（28）具有第一区域（38） 第一厚度（40）和。 具有第二厚度（44）的第二区域（42），其中第一区域（38）覆盖MOS二极管的半导体材料并且第二区域（42）位于漂移区域上。 所述DMOS晶体管（10）的特征在于，从所述第一厚度（40）上的第二厚度（44）的过渡是这样的，所述漂移区的MOS二极管的边缘区域的已经在第二区域中的对向（42） 栅极层（28）被定位。 此外，呈现了用于制造这种DMOS晶体管（10）的方法。
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