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1. 发明专利

DE112007002361B4 Verbundmaterial mit gechirpten Resonanzzellen 未知
公开(公告)号：DE112007002361B4
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：DE112007002361
申请日：2007-10-12
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO
发明人： WANG SHIH-YUAN , BRATKOVSKI ALEXANDRE
IPC分类号： H01Q15/00 , H01Q13/28 , H01Q15/08
摘要： Ein Verbundmaterial (102) mit: einem dielektrischen Material (104); und einer Mehrzahl von nicht-überlappenden lokalen Resonanzzellengruppen (106), die über das dielektrische Material (104) hinweg angeordnet sind, wobei jede lokale Resonanzzellengruppe (106) eine Mehrzahl von Resonanzzellen (108) umfasst, wobei jede der Resonanzzellen (108) eine Struktur von elektrischen Leitern aufweist und nicht größer ist als ein Fünftel einer ersten Wellenlänge (λC) einer auf das Verbundmaterial (102) auftreffenden elektromagnetischen Strahlung, wobei jede lokale Resonanzzellengruppe (106) eine Fläche aufweist, die nicht größer ist als ein Quadrat der ersten Wellenlänge (λC); wobei für jede der lokalen Resonanzzellengruppen (106) die Resonanzzellen (108) darin in Bezug auf zumindest ein geometrisches Merkmal derselben derart gechirpt werden, dass eine Mehrzahl verschiedener Teilmengen der Resonanzzellen für eine jeweilige Mehrzahl von Wellenlängen in einer spektralen Nachbarschaft (203) der ersten Wellenlänge (λC) in Resonanz befindlich ist, wobei das Verbundmaterial (102) für jede der Mehrzahl von Wellenlängen in der spektralen Nachbarschaft (203) zumindest entweder eine negative effektive Permeabilität und/oder eine negative effektive Permittivität aufweist.

2. 发明专利

DE112008002076T5 System und Verfahren zum Leiten optischer Signale 未知
公开(公告)号：DE112008002076T5
公开(公告)日：2010-09-09
申请号：DE112008002076
申请日：2008-07-30
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO
发明人： TAN MICHAEL , WANG SHIH-YUAN
IPC分类号： G02B6/26 , H04B10/2581

3. 发明专利

DE112008000514T5 未知
公开(公告)号：DE112008000514T5
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：DE112008000514
申请日：2008-02-28
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO
发明人： KOBAYASHI NOBUHIKO , WANG SHIH-YUAN
IPC分类号： H01L21/20 , B82B1/00 , B82B3/00
摘要： A hetero-crystalline semiconductor device and a method of making the same include a non-single crystalline semiconductor layer and a nanostructure layer that comprises a single crystalline semiconductor nanostructure integral to a crystallite of the non-single crystalline semiconductor layer.

4. 发明专利

AT438586T 未知
公开(公告)号：AT438586T
公开(公告)日：2009-08-15
申请号：AT05856851
申请日：2005-06-28
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO
发明人： ISLAM SAIFUL M , CHEN YONG , WANG SHIH-YUAN
IPC分类号： B81B7/00
摘要： A nano-scale device and method of fabrication provide a nanowire having (111) vertical sidewalls. The nano-scale device includes a semiconductor-on-insulator substrate polished in a [110] direction, the nanowire, and an electrical contact at opposite ends of the nanowire. The method includes wet etching a semiconductor layer of the semiconductor-on-insulator substrate to form the nanowire extending between a pair of islands in the semiconductor layer. The method further includes depositing an electrically conductive material on the pair of islands to form the electrical contacts. A nano-pn diode includes the nanowire as a first nano-electrode, a pn-junction vertically stacked on the nanowire, and a second nano-electrode on a (110) horizontal planar end of the pn-junction. The nano-pn diode may be fabricated in an array of the diodes on the semiconductor-on-insulator substrate.

5. 发明专利

DE112008000800B4 Dreidimensionale Kreuzschienenarray-Systeme und Verfahren zum Schreiben von Informationen zu dreidimensionalen Kreuzschienenarray-Übergängen und Lesen von in denselben gespeicherten Informationen 未知
公开(公告)号：DE112008000800B4
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：DE112008000800
申请日：2008-03-21
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO
发明人： WU WEI , WILLIAMS STANLEY R , ROBINETT WARREN , SNIDER GREGORY , YU ZHAONING , WANG SHIH-YUAN , STEWART DUNCAN
IPC分类号： G11C5/06 , B82Y10/00 , G11C13/00 , H01L27/10
摘要： Ein konfigurierbares dreidimensionales Kreuzschienenarraysystem (1000, 1100), das folgende Merkmale aufweist: eine Mehrzahl von Kreuzschienenarrays (1002–1004, 1102–1104), wobei jedes Kreuzschienenarray eine erste Schicht von Nanodrähten (702–704), eine zweite Schicht von Nanodrähten (706–708), die die erste Schicht von Nanodrähten überlagert, eine dritte Schicht von Nanodrähten (710–712), die die zweite Schicht von Nanodrähten überlagert, und einen Kreuzschienenübergang (810) umfasst, der an einem Schnittpunkt von drei sich überlagernden Nanodrähten positioniert ist; einen ersten Demultiplexer (1006, 1106), der konfiguriert ist, um zumindest einen Abschnitt der Nanodrähte in der ersten Schicht von Nanodrähten jedes Kreuzschienenarrays zu adressieren; einen zweiten Demultiplexer (1008, 1108), der konfiguriert ist, um zumindest einen Abschnitt der Nanodrähte in der zweiten Schicht von Nanodrähten jedes Kreuzschienenarrays zu adressieren; und einen dritten Demultiplexer (1010, 1110), der konfiguriert ist, um ein Signal an zumindest einen Abschnitt der Nanodrähte in der dritten Schicht von Nanodrähten jedes Kreuzschienenarrays zu liefern.

6. 发明专利

DE112008003958B4 Optische Nanodrahtblockgeräte zum Verstärken, Modulieren und Erfassen optischer Signale 未知
公开(公告)号：DE112008003958B4
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：DE112008003958
申请日：2008-07-31
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO
发明人： MATHAI SAGI VARGHESE , WANG SHIH-YUAN
IPC分类号： G02F1/01 , G02B6/032 , G02B6/122
摘要： Ein optisches Nanodrahtblockgerät (200, 300, 500, 700) zum Verstärken, Modulieren und/oder Erfassen eines optischen Signals (108) in einem einen großen Kern aufweisenden metallisierten Hohlwellenleiter (100), mit Folgendem: einem als Rahmen ausgebildeten Substrat (202); einer Mehrzahl von Nanodrähten (206), die mit dem Rahmen verbunden sind, um den optischen Nanodrahtblock zu bilden, wobei die Nanodrähte (206) eine p-dotierte Region, eine eigenleitende Region und eine n-dotierte Region aufweisen; und wobei der optische Nanodrahtblock dahin gehend wirksam ist, in den einen großen Kern aufweisenden metallisierten Hohlwellenleiter (100) eingefügt zu werden, um zumindest entweder ein Verstärken und/oder Modulieren und/oder Erfassen des optischen Signals (108) bereitzustellen.

7. 发明专利

DE112008002059B4 Mikroresonatorsysteme und Verfahren zum Herstellen derselben 未知
公开(公告)号：DE112008002059B4
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：DE112008002059
申请日：2008-07-30
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO
发明人： TAN MICHAEL , WANG SHIH-YUAN , STEWART DUNCAN , FATTAL DAVID
IPC分类号： H01S3/08 , H01S3/109
摘要： Ein Mikroresonatorsystem (200), das folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (206) mit einer oberen Oberflächenschicht (204); zumindest einen Wellenleiter (214, 216), der in das Substrat (206) eingebettet und benachbart zu der oberen Oberflächenschicht des Substrats positioniert ist; und einen Mikroresonator mit einer oberen Schicht (218), einer Zwischenschicht (222), einer unteren Schicht (220), einer Peripherieregion und einer Peripheriebeschichtung (224), wobei die untere Schicht des Mikroresonators an der oberen Oberflächenschicht des Substrats angebracht ist und in elektrischer Kommunikation mit derselben steht, wobei der Mikroresonator so positioniert ist, dass zumindest ein Abschnitt der Peripherieregion oberhalb des zumindest einen Wellenleiters angeordnet ist, und die Peripheriebeschichtung zumindest einen Abschnitt der Peripherieoberfläche bedeckt und einen relativ niedrigeren Brechungsindex aufweist als die obere, die Zwischen- und die untere Schicht des Mikroresonators.

8. 发明专利

DE112008003994T5 Abstimmbarer Nanodraht-Hohlraumresonator zur optischen Modulation 未知
公开(公告)号：DE112008003994T5
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：DE112008003994
申请日：2008-08-26
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO
发明人： MATHAI SAGI VARGHESE , BRATKOVSKI ALEXANDRE M , ZHANG WENHUA , WANG SHIH-YUAN
IPC分类号： G02B26/00 , G02B5/00 , G02B6/00 , H01S3/00 , H03F3/00
摘要： Hohlraumresonator mit einem abstimmbaren Nanodraht, Folgendes umfassend: ein Substrat (114, 116, 230, 330, 430, 530, 630, 640), wobei das Substrat mit einer optischen Resonatorstruktur (110, 210, 310, 410, 510, 610, 611) verbunden werden kann; und mehrere Nanodrähte (120, 220, 320, 420, 520, 620), die auf dem Substrat ausgebildet sind, wobei die mehreren Nanodrähte in Reaktion auf eine Anwendung von Energie bewegt (122, 222, 322, 422, 522, 623) werden.

9. 发明专利

DE112008003858T5 Optische Freiraumnahverbindung 未知
公开(公告)号：DE112008003858T5
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：DE112008003858
申请日：2008-05-09
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO
发明人： TAN MICHAEL R T , ROSENBERG PAUL K , MATHAI SAGI V , MCLAREN MORAY , WANG SHIH-YUAN
IPC分类号： G02B6/38 , G02B6/12 , G02B6/42

10. 发明专利

DE112008003839T5 Photodiode auf Nanodrahtbasis 未知
公开(公告)号：DE112008003839T5
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：DE112008003839
申请日：2008-05-05
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO
发明人： WANG SHIH-YUAN , TAN MICHAEL R
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/101

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