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热词
    • 1. 发明申请
    • DISPOSITIF DE CHARGEMENT POUR LA DENSIFICATION PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR EN FLUX DIRIGE DE SUBSTRATS POREUX DE FORME TRIDIMENTIONNELLE
    • 通过三维多孔基板的方向流中的蒸汽相中的化学浸渗进行浓缩的装载装置
    • WO2013045788A1
    • 2013-04-04
    • PCT/FR2012/052066
    • 2012-09-14
    • HERAKLESBERTRAND, SébastienLAMOUROUX, FranckGOUJARD, Stéphane
    • BERTRAND, SébastienLAMOUROUX, FranckGOUJARD, Stéphane
    • C23C16/04
    • C23C16/045C23C16/455
    • Dispositif de chargement (10) pour la densification, par infiltration chimique en phase vapeur en flux dirigé, dans une chambre de réaction d'un four d'infiltration, de substrats poreux (20) de forme tridimensionnelle s'étendant principalement dans une direction longitudinale, le dispositif comprenant un étage de chargement annulaire (11) formé par des première et deuxième enceintes verticales annulaires (110, 111) disposées concentriquement l'une par rapport à l'autre et délimitant entre elles un espace de chargement annulaire (13) pour les substrats poreux à densifier. Des premier et deuxième plateaux (112, 113) couvrent respectivement la partie inférieure et la partie supérieure de l'espace de chargement annulaire (13). Les première et deuxième enceintes verticales annulaires (110, 111) comprennent chacune des éléments de support (1100, 1110) répartis dans l'espace de chargement annulaire (13) de manière à définir entre eux des cellules de chargement unitaire (14) destinées à recevoir chacune un substrat à densifier. Le dispositif comprend en outre des orifices d'alimentation en gaz (1102) et des orifices d'évacuation de gaz (1112) au voisinage de chaque cellule de chargement unitaire (14).
    • 装载装置(10)用于通过在蒸汽相中的化学渗透通过化学渗透在主要在纵向方向上延伸的三维多孔基材(20)的入渗炉的反应室中进行致密化,所述装置包括环状载荷水平 由第一和第二环形垂直单元(110,111)形成,第一和第二环形垂直单元(110,111)相对于彼此同心地分布并且在彼此之间限定用于多孔基底的致密化的环形加载区域(13)。 第一和第二板(112,113)分别覆盖下部元件和环形装载区域(13)的上部元件。 第一和第二环形垂直单元(110,111)各自包括分布在环形加载区域(13)中的支撑构件(1100,1110),以便在它们之间限定单元加载单元(14),每个单元加载单元 旨在用于接收待致密化的基底。 该装置还包括在每个单元装载单元(14)附近的气体供应孔(1102)和排气孔(1112)。
    • 3. 发明申请
    • INSTALLATION INDUSTRIELLE POUR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE DE SUBSTRATS POREUX AVEC CIRCUIT DE REFROIDISSEMENT ACCELERE
    • 具有加速冷却电路的多孔基材的化学气相渗透工业设备
    • WO2015044562A1
    • 2015-04-02
    • PCT/FR2014/052317
    • 2014-09-17
    • HERAKLES
    • LAMOUROUX, FranckBERTRAND, SébastienAGUILAR, BernardMANO, Joël
    • C23C16/04C23C16/44C23C16/455C23C16/46
    • C23C16/045C23C16/4412C23C16/45593C23C16/463
    • Une installation industrielle (500) pour l'infiltration chimique en phase gazeuse de substrats poreux comprenant une chambre de réaction étanche (110), un circuit d'alimentation (400), un circuit d'évacuation (200) reliés à la chambre de réaction (110) et un échangeur thermique (210). L'installation comprend en outre : - un circuit de refroidissement accéléré (300) comprenant au moins une entrée (301a) en communication sélective avec la sortie de l'échangeur thermique (210), et une sortie (301b) en communication sélective avec le circuit d'alimentation (400), - des premiers moyens de connexion (2110; 2030) pour relier le circuit d'évacuation (200) à l'entrée de l'échangeur thermique (210), - des deuxièmes moyens de connexion (3010) pour relier directement ou indirectement l'entrée (301a) du circuit de refroidissement accéléré (300) à la sortie de l'échangeur thermique (210) lorsque la chambre de réaction (110) est alimentée avec ledit au moins un gaz de refroidissement.
    • 一种用于多孔基材的化学气相渗透的工业设备(500),包括密封反应室(110),供应回路(400),连接到反应室(110)的排放回路(200)和热交换器(210) 。 该设备还包括: - 加速冷却回路(300),包括与热交换器(210)的出口选择性连通的至少一个入口(301a)和与供应回路(400)选择性连通的出口(301b) ), - 用于将放电电路(200)连接到热交换器(210)的入口的第一连接装置(2110; 2030), - 第二连接装置(3010),用于直接或间接地连接加速 当反应室(110)被供应有所述至少一个冷却气体时,冷却回路(300)到热交换器(210)的出口。