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1. 发明专利

JP2014017490A Inorganic film manufacturing method 审中-公开
标题翻译：无机薄膜制造方法
公开(公告)号：JP2014017490A
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：JP2013149144
申请日：2013-07-18
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： NOMOTO MAKI , UMEDA KENICHI , TANAKA ATSUSHI , AZUMA KOHEI
IPC分类号： H01L21/368 , C01G23/00 , C01G39/00 , C01G41/00 , H01L21/336 , H01L29/26 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a good-quality inorganic film having specific resistance appropriate for transistor drive.SOLUTION: An inorganic film represented by a general formula NMQO(where N represents Zn or Mg, M represents Ti, W or Mo, Q represents In or Fe, and a, b, c, d are positive real numbers) is deposited by coating of a raw material liquid containing at least one of oxide, alkoxide and organic metallic compound of N, at least one of oxide, alkoxide and organic metallic compound of M, oxide, alkoxide and organic metallic compound of Q and an organic solvent, and a semiconductor film 4 is formed by a heat treatment. A heat source of the heat treatment is an excimer laser which is a pulse laser having a pulse width of 100 ns and under.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有适合于晶体管驱动的电阻率的优质无机膜。溶液：由通式NMQO表示的无机膜（其中N表示Zn或Mg，M表示Ti，W或Mo，Q表示 In或Fe，以及a，b，c，d为正实数）通过涂覆含有氧化物，醇盐和有机金属化合物N，至少一种氧化物，醇盐和有机物的原料液体而沉积 M，氧化物，醇盐和有机金属化合物的金属化合物和有机溶剂，并且通过热处理形成半导体膜4。热处理的热源是作为脉冲宽度为100ns以下的脉冲激光的准分子激光器。

2. 发明专利

JP2014225680A 半導体装置，半導体装置の製造方法，表示装置及び表示装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件，制造半导体器件的方法，显示器件以及制造显示器件的方法
公开(公告)号：JP2014225680A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：JP2014139855
申请日：2014-07-07
申请人：富士フイルム株式会社 , Fujifilm Corp
发明人： TANAKA ATSUSHI , UMEDA KENICHI , AZUMA KOHEI , NOMOTO MAKI
IPC分类号： H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/08
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225
摘要：【課題】暗電流の発生を抑制することができ、有機ELなどの電流駆動素子に好適な半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、その半導体装置を備えた表示装置を提供する。【解決手段】基板11と、チャネル領域を有する半導体層18とを備え、チャネル領域が、結晶成分の体積率をVcとし、非結晶成分の体積率をVaとしたときVc/Va>4を満たす酸化物半導体で構成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供能够抑制暗电流的产生并且适合作为有机EL等的电流驱动元件的半导体器件，制造半导体器件的方法以及包括半导体器件。解决方案：半导体器件包括衬底11和具有沟道区的半导体层18。沟道区域由结晶成分的体积比为Vc，非晶质成分的体积比为Va，Vc / Va> 4的氧化物半导体构成。

3. 发明专利

JP2012114414A Solar cell submodule, method for manufacturing the same, and substrate with electrode 有权
标题翻译：太阳能电池组件及其制造方法和电极用基板
公开(公告)号：JP2012114414A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：JP2011217609
申请日：2011-09-30
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： KOBAYASHI HIROYUKI , NOMOTO MAKI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate with an electrode, which has high adhesion and is difficult to peel in a compound semiconductor-based photoelectric conversion element comprising a photoelectric conversion layer formed on a conductive layer made of a transition metal by a vapor deposition method, and to provide a solar cell submodule comprising the substrate with an electrode.SOLUTION: A substrate 1 with an electrode, which is to be used in a chalcogen-containing compound semiconductor-based photoelectric conversion element 2, comprises a conductive layer 20 consisting essentially of a single transition metal on a substrate 10. At least a surface layer 22 of the conductive layer 20 on the side opposite to the substrate 10 is a layer containing a nitride of the transition metal.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种具有电极的基板，该电极具有高的粘附性并且难以在基于化合物半导体的光电转换元件中剥离，该化合物半导体的光电转换元件包括由在过渡金属制成的导电层上形成的光电转换层，气相沉积方法，并提供包括具有电极的基板的太阳能电池子模块。解决方案：具有用于含硫属化合物半导体的光电转换元件2中的具有电极的基板1包括基本上由基底10上的单个过渡金属组成的导电层20。至少导电层20的与基板10相反的一侧的表面层22是含有过渡金属的氮化物的层。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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