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1. 发明专利

DE112018006975T5 Optischer Dünnfilm, optisches Element und optisches System 未知
公开(公告)号：DE112018006975T5
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：DE112018006975
申请日：2018-11-29
申请人： FUJIFILM CORP
发明人： UMEDA KENICHI , NAKAMURA SEIGO , YOSHIHIRO TATSUYA , ITAI YUICHIRO
IPC分类号： G02B1/115 , G02B1/118
摘要： Vorgesehen sind: ein optischer Dünnfilm, der mit einer flachen ultradünnen silberhaltigen Metallschicht versehen ist; ein Verfahren zum Produzieren desselben; ein optisches Element, das mit einem optischen Dünnfilm versehen ist; und ein optisches System, das mit dem optischen Element versehen ist.Der optische Dünnfilm ist auf einem Substrat vorgesehen und enthält von der Seite des Substrats aus der Reihe nach eine Zwischenschicht, eine silberhaltige Metallschicht, die Silber beinhaltet, und eine dielektrische Schicht, bei der ein Verankerungsbereich einschließlich eines Oxids eines Ankermetalls in einem Grenzflächenbereich der silberhaltigen Metallschicht auf einer Seite nahe der Zwischenschicht vorgesehen ist, ein Kappenbereich einschließlich eines Oxids des Ankermetalls in einem Grenzflächenbereich der silberhaltigen Metallschicht auf einer Seite nahe der dielektrischen Schicht vorgesehen ist, eine Filmdicke der silberhaltigen Metallschicht einschließlich des Verankerungsbereichs und des Kappenbereichs 6 nm oder weniger beträgt, die silberhaltige Metallschicht ein Metall mit hohem Standardelektrodenpotential beinhaltet, das ein Metall mit einem höheren Standardelektrodenpotential als das von Silber ist, und eine Spitzenposition einer Konzentrationsverteilung des Metalls mit hohem Standardelektrodenpotential in einer Filmdickenrichtung der silberhaltigen Metallschicht ist näher an der Zwischenschicht als eine Spitzenposition einer Silberkonzentrationsverteilung positioniert.

2. 发明专利

DE112018006975B4 Optischer Dünnfilm, optisches Element und optisches System 未知
公开(公告)号：DE112018006975B4
公开(公告)日：2022-06-23
申请号：DE112018006975
申请日：2018-11-29
申请人： FUJIFILM CORP
发明人： UMEDA KENICHI , NAKAMURA SEIGO , YOSHIHIRO TATSUYA , ITAI YUICHIRO
IPC分类号： G02B1/118 , G02B1/115 , H01B5/14
摘要： Optischer Dünnfilm (1, 21, 31), der auf einem Substrat (2) vorgesehen ist, wobei der Film (1, 21, 31) von der Seite des Substrats aus der Reihe nach umfasst:eine Zwischenschicht (3);eine silberhaltige Metallschicht (4), die Silber beinhaltet; undeine dielektrische Schicht (5),wobei ein Verankerungsbereich (8) einschließlich eines Oxids eines Ankermetalls in einem Grenzflächenbereich der silberhaltigen Metallschicht (4) auf einer Seite nahe der Zwischenschicht (3) vorgesehen ist,ein Kappenbereich (9) einschließlich eines Oxids des Ankermetalls in einem Grenzflächenbereich der silberhaltigen Metallschicht (4) auf einer Seite nahe der dielektrischen Schicht (5) vorgesehen ist,eine Filmdicke der silberhaltigen Metallschicht (4) einschließlich des Verankerungsbereichs (8) und des Kappenbereichs (9) 6 nm oder weniger beträgt,die silberhaltige Metallschicht (4) ein Metall mit hohem Standardelektrodenpotential beinhaltet, das ein Metall mit einem höheren Standardelektrodenpotential als das von Silber ist, und eine Spitzenposition einer Konzentrationsverteilung des Metalls mit hohem Standardelektrodenpotential in einer Filmdickenrichtung der silberhaltigen Metallschicht (4) näher an der Zwischenschicht (3) als eine Spitzenposition einer Silberkonzentrationsverteilung positioniert ist.

3. 发明专利

DE112018004832T5 LAMINIERTER FILM UND VERFAHREN ZUM PRODUZIEREN VON LAMINIERTEM FILM 未知
公开(公告)号：DE112018004832T5
公开(公告)日：2020-06-10
申请号：DE112018004832
申请日：2018-08-08
申请人： FUJIFILM CORP
发明人： UMEDA KENICHI , ITAI YUICHIRO , NAKAMURA SEIGO
IPC分类号： B32B9/00 , B32B7/04 , B32B15/04
摘要： Vorgesehen sind ein laminierter Film mit hoher Haftfähigkeit, der eine flache und ultradünne Metallschicht beinhaltet, die auf einem Harzsubstrat vorgesehen ist, und ein Verfahren zum Produzieren derselben.In einem laminierten Film sind ein Harzsubstrat, eine organische/anorganische Mehrfachschicht, in der eine organische Schicht und eine anorganische Schicht abwechselnd laminiert sind, und eine silberhaltige Metallschicht mit einer Dicke von 20 nm oder weniger in dieser Reihenfolge laminiert, ist eine Schicht der organischen/anorganischen Mehrfachschicht auf einer Seite, die der silberhaltigen Metallschicht am nächsten liegt, eine anorganische Schicht, ist eine Ankermetall-Diffusionskontrollschicht mit einer Hamaker-Konstante von 7.3 × 10J oder mehr auf einer Oberfläche der anorganischen Schicht vorgesehen, ein Verankerungsbereich, der ein Oxid eines Ankermetalls mit einer Oberflächenenergie enthält, die einen geringeren Unterschied zu einer Oberflächenenergie der silberhaltigen Metallschicht als eine Oberflächenenergie der Ankermetall-Diffusionskontrollschicht aufweist, zwischen der Ankermetall-Diffusionskontrollschicht und der silberhaltigen Metallschicht vorgesehen, und ein Kappenbereich, der ein Oxid des Ankermetalls enthält, ist auf einer Oberfläche der silberhaltigen Metallschicht gegenüber von einer Oberfläche auf einer Seite näher an Ankermetall-Diffusionskontrollschicht vorgesehen.

4. 发明公开

EP2722874A4 METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS OXIDE THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：方法用于生产无定形的和氧化物薄膜的薄膜晶体管
公开(公告)号：EP2722874A4
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：EP12800779
申请日：2012-06-08
申请人： FUJIFILM CORP
发明人： UMEDA KENICHI , TANAKA ATSUSHI , SUZUKI MASAYUKI , SHIMODA TATSUYA
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC分类号： H01L21/02565 , H01L21/02554 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L22/10 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

JP2011181800A Method of manufacturing igzo-based amorphous oxide insulating film and method of manufacturing field effect transistor using the same 有权
标题翻译：制造基于IGZO的非晶氧化物绝缘膜的方法和使用其制造场效应晶体管的方法
公开(公告)号：JP2011181800A
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：JP2010046312
申请日：2010-03-03
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： MOCHIZUKI FUMIHIKO , UMEDA KENICHI , SUZUKI MASAYUKI , TANAKA ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture an IGZO-based amorphous oxide insulating film which has excellent stability against electrical stress and heat. SOLUTION: A film of an IGZO-based amorphous oxide layer is formed under a back pressure of higher than 5×10 -4 Pa in a sputtering method, and then subjected to annealing processing at an annealing temperature of 100 to 300°C. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：制造对电应力和热量具有优异稳定性的IGZO基非晶氧化物绝缘膜。解决方案：在溅射法中，在高于5×10 -4 Pa的背压下形成IGZO基非晶氧化物层的膜，然后在退火温度为100〜300℃。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2010199307A Top gate type field-effect transistor, manufacturing method therefor, and display including the same 有权
标题翻译：顶栅型场效应晶体管及其制造方法及包括其的显示
公开(公告)号：JP2010199307A
公开(公告)日：2010-09-09
申请号：JP2009042712
申请日：2009-02-25
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： UMEDA KENICHI , YAMADA TOMOKO , TANAKA ATSUSHI , SUZUKI MASAYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field-effect transistor high in mobility and easy to manufacture in which an In-Ga-Zn-O oxide semiconductor is used as an active layer, and a manufacturing method therefor, and a display including the transistor. SOLUTION: A top gate type field-effect transistor 22 includes an active layer 12 containing In 2-X Ga X ZnO 4 (0.6 COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供使用In-Ga-Zn-O氧化物半导体作为有源层的高移动性和易于制造的场效应晶体及其制造方法，以及显示器包括晶体管。解决方案：顶栅型场效应晶体管22包括含有In 2-X X ZnO 4 的有源层12（ 0.6

7. 发明专利

JP2010177431A Thin film transistor, method for manufacturing polycrystalline oxide semiconductor thin film, and method for manufacturing thin film transistor 有权
标题翻译：薄膜晶体管，制造多晶氧化物半导体薄膜的方法和制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：JP2010177431A
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：JP2009018128
申请日：2009-01-29
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： NARA HIROKI , UMEDA KENICHI , MOCHIZUKI FUMIHIKO
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film transistor wherein a thin film comprising an oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn can have a high TFT characteristic, and also to provide a method for manufacturing a polycrystalline oxide semiconductor thin film, and a method for manufacturing a thin film transistor.
SOLUTION: In a first step, a vapor deposition method with a polycrystalline sintered body having an IGZO-based composition as a target is used to form, on a substrate 12, a thin film 10A comprising an amorphous oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn. In a second step, the thin film 10A comprising the amorphous oxide semiconductor is put into an electric furnace and is sintered at such a temperature range of 660 to 840°C that the thin film is polycrystallized while maintaining a surface roughness Ra of ≤1.5 nm.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种薄膜晶体管，其中包含含有In，Ga和Zn中的至少一种元素的氧化物半导体的薄膜可以具有高TFT特性，并且还提供一种方法用于制造多晶氧化物半导体薄膜，以及制造薄膜晶体管的方法。解决方案：在第一步骤中，使用具有IGZO基组合物作为靶的多晶烧结体的气相沉积方法在基板12上形成包括至少包含至少一种非晶氧化物半导体的非晶氧化物半导体的薄膜10A 包含In，Ga和Zn的一个元素。在第二步骤中，将包含非晶氧化物半导体的薄膜10A放入电炉中，在660〜840℃的温度范围内烧结，使薄膜多晶化，同时保持表面粗糙度Ra≤1.5nm 。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2010021333A Metal oxide film and method of manufacturing the same, and semiconductor device 有权
标题翻译：金属氧化物膜及其制造方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2010021333A
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：JP2008180043
申请日：2008-07-10
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： UMEDA KENICHI , TANAKA ATSUSHI , AZUMA KOHEI , NANGU MAKI
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a metal oxide film which is manufactured by a relatively-low-temperature liquid phase method and has excellent characteristics as a semiconductor active layer of a TFT etc.
SOLUTION: The metal oxide film 40 is an amorphous structure film in which a hydroxyl group is present in the film and which has a composition distribution satisfying the following conditions. In the composition of a film surface on a substrate side, principal component metal elements are In and Zn. C
Zn (B)/C
In (B)=0.5 to 2.0 and C
Ga+Al (B)/C
In+Zn (B)=0.0 to 0.125. In the composition of a film surface on the opposite side from the substrate side, principal component metal elements are at least one of In and Zn, and Ga and Al. C
Zn (T)/C
In (T)=0.5 to 2.0 and C
Ga+Al (T)/C
In+Zn (T)≥0.375. Here, C
Zn /C
In represents a Zn/In mol ratio and C
Ga+Al /C
In+Zn represents a Ga+Al/In+Zn mol ratio. Further, (B) represents the film surface on the substrate side and (T) represents the film surface on the opposite side from the substrate side.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供通过相对低温液相法制造并具有作为TFT等的半导体有源层的优异特性的金属氧化物膜。解决方案：金属氧化物膜 40是其中羟基存在于膜中并具有满足以下条件的组成分布的非晶结构膜。在基板侧的膜表面的组成中，主成分金属元素为In和Zn。（B）/ C （B）= 0.5〜2.0，C Ga + Al （B）/ C + Zn（B）= 0.0〜0.125。在与基板侧相反一侧的膜表面的组成中，主成分金属元素为In和Zn中的至少一种，Ga和Al中的至少一种。（T）/ C （T）= 0.5-2.0和C Ga + Al （T）/ C +锌（T）≥0.375。这里，C / C In 表示Zn / In摩尔比，C Ga + Al SB>表示Ga + Al / In + Zn摩尔比。此外，（B）表示基板侧的膜表面，（T）表示与基板侧相反一侧的膜表面。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2009267399A Semiconductor device, manufacturing method therefor, display device, and manufacturing method therefor 审中-公开
标题翻译：半导体器件，其制造方法，显示器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2009267399A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：JP2009091567
申请日：2009-04-03
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： TANAKA ATSUSHI , UMEDA KENICHI , AZUMA KOHEI , NANGU MAKI
IPC分类号： H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which suppresses generation of a dark current and is suitable for a current driving element of an organic EL device or the like, to provide a manufacturing method of the semiconductor device, and to provide a display device provided with the semiconductor device. SOLUTION: The semiconductor device includes a substrate 11 and a semiconductor layer 18 having a channel region, which consists of an oxide semiconductor which satisfies Vc/Va>4, wherein Vc is a volume ratio of a crystalline component and Va is a volume ratio of a non-crystalline component. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

10. 发明专利

JP2009123533A Conductive inorganic film and method of manufacturing the same, wiring board, and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：导电无机膜及其制造方法，接线板和半导体器件
公开(公告)号：JP2009123533A
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：JP2007296457
申请日：2007-11-15
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： AZUMA KOHEI , TANAKA ATSUSHI , UMEDA KENICHI , KODA KATSUHIRO , SUNAKAWA HIROSHI
IPC分类号： H01B13/00 , H01L21/288 , H01L29/786 , H05K3/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of stably manufacturing a low-resistance conductive inorganic film by a liquid phase process using a dispersion liquid of a conductive inorganic particle on a substrate in a low-temperature process.
SOLUTION: The conductive inorganic film 1 is manufactured by performing in turn a step (A) of depositing a thin film precursor 12 containing a number of conductive inorganic particle 20 on the substrate 11 by the liquid phase process using a raw material liquid containing the a number of conductive inorganic particles 20 each having the surface coated by a dispersion liquid 30 bonded by a chemical bond that is cut by oxidation treatment and an organic solvent, a step (B) of cutting the chemical bond on the surface of the conductive inorganic particle 20 contained in the thin film precursor 12 to desorb the dispersion liquid 30 and also decompose an organic component by applying oxidation treatment to the thin film precursor 12 on the condition of not more than the decomposition temperature of at least one kind of organic components contained in the thin film precursor 12 and also not more than the heat resistant temperature of the substrate 11, and a step (C) of firing the thin film precursor 12p on the condition that the substrate 11 falls below the heat resistant temperature of the substrate 11.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在低温工艺中使用基板上的导电性无机粒子的分散液的液相法稳定地制造低电阻导电性无机膜的方法。解决方案：通过使用原料液体通过液相法在基板11上沉积包含多个导电无机颗粒20的薄膜前体12的步骤（A）来制造导电无机膜1 含有多个导电性无机粒子20，每个导电性无机粒子20具有被通过氧化处理切断的化学键和有机溶剂键合的分散液30所涂覆的表面，在该表面上切割化学键的工序（B）包含在薄膜前体12中的导电性无机粒子20，以解吸分散液30，并且在不超过至少一种有机物的分解温度的条件下，通过对薄膜前体12进行氧化处理来分解有机成分包含在薄膜前体12中的组分以及不超过衬底11的耐热温度的步骤（C），以及烧制薄膜前驱体12p在基材11的耐热温度低于基板11的耐热温度的条件下。（C）2009，JPO＆INPIT

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