专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2016150878A1 PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2016150878A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/EP2016/056044
申请日：2016-03-18
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.
发明人： KRAUSS, Karin , FERTIG, Fabian , PREU, Ralf , JÄGER, Ulrich , WERNER, Sabrina , REIN, Stefan
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022433 , H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Solarzelle, mit mindestens einer Halbleiterschicht, mindestens einer elektrisch isolierenden Isolierungsschicht und mindestens einer metallischen Kontaktierungsstruktur, wobei die Isolierungsschicht zwischen Halbleiterschicht und Kontaktierungsstruktur angeordnet ist und die Isolierungsschicht eine Mehrzahl von Kontaktierungsausnehmungen aufweist, an welchen die Kontaktierungsstruktur mit der Halbleiterschicht in einem Kontaktierungsbereich einen elektrischen Kontakt ausbildet und wobei in der Halbleiterschicht zumindest an den Kontaktierungsbereichen jeweils ein Dotierbereich durch Dotieren der Halbleitschicht mit einem Metall ausgebildet ist, aus welchem Metall die Kontaktierungsstruktur zumindest teilweise ausgebildet ist. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktierungsstruktur eine Mehrzahl von Kontaktfingern aufweist, welche Kontaktfinger sich jeweils über mehrere Kontaktierungsbereiche und/oder entlang mehrerer Kontaktierungsbereiche erstrecken, wobei die Kontaktfinger an den Kontaktierungsbereichen eine lokale Querschnittsflächenerhöhung aufweisen.
摘要翻译：本发明涉及一种光伏太阳能电池，具有至少一个半导体层，至少一个电绝缘的隔离层和至少一个金属接触结构，其中所述半导体层和接触结构之间的绝缘层被布置和绝缘层具有多个接触凹进中，向其中接触形成在一个半导体层接触形成电接触，并且其中在每一种情况下的掺杂区域由至少在从该金属接触结构是至少部分地形成在接触区域与所述半导体层中的金属掺杂Halbleitschicht形成。本发明的特征在于，所述接触结构具有多个接触指其中接触指在多个接触区域和/或沿着多个接触区域延伸的，接触指有，在接触的局部横截面面积的增加。

2. 发明申请

WO2012000612A2 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER SELEKTIVEN DOTIERSTRUKTUR IN EINEM HALBLEITERSUBSTRAT ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：方法产生选择性DOTIERSTRUKTUR在半导体衬底用于生产光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2012000612A2
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/EP2011/002965
申请日：2011-06-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG , JÄGER, Ulrich , BIRO, Daniel , VOLK, Anne-Kristin , SEIFFE, Johannes , MACK, Sebastian , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
发明人： JÄGER, Ulrich , BIRO, Daniel , VOLK, Anne-Kristin , SEIFFE, Johannes , MACK, Sebastian , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/2254 , H01L21/268 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer selektiven Dotierstruktur in einem Halbleitersubstrat zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, wobei die selektive Dotierstruktur mindestens an einer Dotierseite des Halbleitersubstrates ausgebildet wird, indem an der Dotierseite mindestens ein flächiger Niedrigdotierbereich (4) eines ersten Dotierprofils in dem Halbleitersubstrat erzeugt und innerhalb des ersten Niedrigdotierbereiches mindestens ein lokaler Hochdotierbereich (3) eines zweiten Dotierprofils erzeugt wird, wobei der Niedrigdotierbereich (4) und der Hochdotierbereich (3) mit demselben Dotierungstyp ausgebildet werden und der Hochdotierbereich (3) einen niedrigeren Querleitungswiderstand aufweist als der Niedrigdotierbereich (4). Wesentlich ist, dass das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: A) Aufbringen einer Dotierstoffes haltenden Dotierschicht (2) auf die Emitterseite des Halbleitersubstrates, B) lokales Erhitzen eines Schmelzbereiches der Dotierschicht (2) und eines unterhalb der Dotierschicht (2) liegenden Schmelzbereiches des Halbleitersubstrates, derart, dass sich in einem lokalen Bereich kurzzeitig eine Schmelzmischung aus zumindest dem Schmelzbereich der Dotierschicht (2) und dem Schmelzbereich des Halbleitersubstrates bildet, wobei mittels flüssig-flüssig Diffusion Dotierstoff aus der Dotierschicht (2) in das aufgeschmolzene Halbleitersubstrat diffundiert, so dass nach Erstarren der Schmelzmischung der Hochdotierbereich (3) erzeugt ist, C) Erzeugen des flächigen Niedrigdotierbereiches, indem das Halbleitersubstrat global erwärmt wird, derart, dass Dotierstoff aus der Dotierschicht (2) in das Halbleitersubstrat diffundiert, D) Entfernen der Dotierschicht (2), E) Entfernen und/oder Umwandeln einer Schicht des Halbleitersubstrates an der Dotierseite, derart, dass in einem Verfahrensschritt (E1) ein oberflächennaher Teil des Niedrigdotierungsbereiches und des Hochdotierungsbereiches entfernt wird und/oder Umwandeln einer Schicht des Halbleitersubstrates an der Dotierseite in eine elektrisch nicht leitende Schicht in einem Verfahrensschritt (E2), wobei die Verfahrensschritte in der Abfolge (A, B, C, D, E) oder (A, C, B, D, E) ausgeführt werden, jeweils gegebenenfalls unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschritte.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于在半导体衬底中产生的选择性Dotierstruktur用于制造光伏太阳能电池，其中通过在Dotierseite至少产生一个平面形成在半导体衬底中的至少一个Dotierseite选择性Dotierstruktur Niedrigdotierbereich（4）在该半导体衬底中的第一掺杂分布的和至少一个本地Hochdotierbereich（3）在第一Niedrigdotierbereiches内的第二掺杂分布，形成其中所述Niedrigdotierbereich（4）和所述Hochdotierbereich（3）与相同的掺杂类型和形成在Hochdotierbereich（3）具有比Niedrigdotierbereich下横向线电阻（4- ）。至关重要的是，该方法包括以下步骤：A）在半导体基板的发射极侧施加的掺杂剂保持掺杂层（2），B）的掺杂层（2）的熔融区域和（2）位于该半导体衬底的熔化范围内的下面的掺杂层的局部加热，使得形成至少在很短的时间的局部区域，所述掺杂层（2）和半导体基板的熔化区的熔化范围的熔体共混物中，从掺杂层通过液 - 液扩散的掺杂剂的装置（2）扩散到熔化的半导体衬底，使得固化后 C）生成到Hochdotierbereich（3）的熔融混合物中，通过对半导体衬底产生规模Niedrigdotierbereiches加热全球使得从掺杂层（2）的掺杂剂扩散到半导体衬底中，D）去除所述掺杂层（2）中，e）删除和/或加密 ELN上Dotierseite所述半导体衬底，使得在一个处理步骤（E1），低杂质区域和高杂质区域的表面附近部分被去除，和/或在处理步骤转换的Dotierseite所述半导体衬底的一个层中的非导电层（E2层），其中所述序列（A在方法步骤，被执行B C，D，E）或（A，C，B，D，E），其各自任选地进一步中间步骤的插入。

3. 发明申请

WO2011157422A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2011157422A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/002968
申请日：2011-06-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , MACK, Sebastian , JÄGER, Ulrich , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , PREU, Ralf , KÄSTNER, Gero
发明人： MACK, Sebastian , JÄGER, Ulrich , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , PREU, Ralf , KÄSTNER, Gero
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: A. Texturieren einer Vorderseite (2) eines Halbleitersubstrates, welches dotiert ist mit einem Basisdotierungstyp, B. Erzeugen mindestens einer selektiven Dotierstruktur an der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates ausgebildet wird, indem an der Vorderseite (2) mindestens ein flächiger Niedrigdotierbereich (4) mit einem ersten Dotierprofils in dem Halbleitersubstrat erzeugt und innerhalb des ersten Niedrigdotierbereiches mindestens ein lokaler Hochdotierbereich eines zweiten Dotierprofils erzeugt wird, wobei der Niedrigdotierbereich (4) und der Hochdotierbereich jeweils mit einem Emitterdotierungstyps, welcher entgegengesetzt zu dem Basisdotierungstyp ist, ausgebildet werden und der Hochdotierbereich mit einem niedrigeren Querleitungswiderstand ausgebildet wird als der Niedrigdotierungsbereich und C. Aufbringen mindestens einer metallischen Emitterkontaktstruktur auf der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, zumindest in den Bereichen lokaler Hochdotierung, wobei die Emitterkontaktstruktur elektrisch leitend mit dem Hochdotierbereich verbunden wird und Aufbringen mindestens einer metallischen Basiskontaktstruktur auf der Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, wobei die Basiskontaktstruktur mit einem Bereich des Halbleitersubstrates der Basisdotierung elektrisch leitend verbunden wird. Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten B. und C., gegebenenfalls unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschritte, in einem Verfahrensschritt B1 auf Vorder- und Rückseite des Halbleitersubstrates gleichzeitig jeweils eine Siliziumoxidschicht (5a, 5b) mittels thermischer Oxidation erzeugt wird, wobei zumindest die Vorderseitensiliziumoxidschicht mit einer Dicke kleiner 150 nm erzeugt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造光伏太阳能电池，包括以下步骤：A.纹理掺杂有一个基本的掺杂类型的半导体衬底的前侧（2），B。产生至少一个选择性Dotierstruktur的前侧（2）形成在半导体衬底的由至少一个平坦Niedrigdotierbereich（4），其具有在所述前侧（2）在所述半导体衬底和至少一个本地Hochdotierbereich的第二掺杂分布在第一Niedrigdotierbereiches内产生产生的第一掺杂分布，其中，所述Niedrigdotierbereich（4）和所述Hochdotierbereich每一个发射极掺杂类型，这是相反的基本掺杂类型，被形成和Hochdotierbereich以比低杂质区和C的下部横向线阻力施加至少一个金属Emitterkontaktst形成 STRU CTU再在前面（2）的半导体衬底，任选在其他中间层，至少在局部高掺杂的区域，与所述发射极接触结构的导电连接到Hochdotierbereich和施加在所述半导体基板的背面的至少一个金属基体接触结构，任选地在其他中间层，其中与所述基区掺杂的半导体衬底的区域中的基极接触结构导电连接。至关重要的是，之间的方法步骤B和C，任选地与进一步的中间步骤的方法中的步骤B1在同一时间上的前部和所述半导体基板各自具有氧化硅层的背面的插入（5A，5B）通过热氧化，由此至少所述Vorderseitensiliziumoxidschicht与产生的厚度产生小于150nm。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式