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1. 发明申请

WO9956324A3 METHOD FOR PRODUCING CONTACT STRUCTURES IN SOLAR CELLS 审中-公开
标题翻译：生产太阳能电池接触结构的工艺
公开(公告)号：WO9956324A3
公开(公告)日：1999-12-16
申请号：PCT/DE9901246
申请日：1999-04-27
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , LUEDEMANN RALF , SCHAEFER SEBASTIAN
发明人： LUEDEMANN RALF , SCHAEFER SEBASTIAN
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/768 , H01L21/76804 , H01L21/7688 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for producing contact structures in semiconductor components, especially solar cells, and semiconductor components having these contact structures. According to the invention, recesses which extend through the first layer to or into a second layer located under said first layer are etched after positioning an etching mask (3) over a first layer or a series of layers (2). The etching is carried out in such a way that the etching mask is etched underneath and/or at least one area of the first layer (2) is provided with negative flanks. Afterwards, an electrically conductive material (9) is inserted in the recesses, whereby the etching mask (3) or the first layer (2) forms a shadow mask for inserting the material. The conductive material is placed in the recesses only up to a height at which there is still no contact between the conductive material (9) and the first layer (2). The structures permit the emitter to contact the base without additional masking. As a result, the invention makes it possible to produce metal contacts on solar cells in an easier and economical manner.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体部件，特别是太阳能电池中的接触结构的方法以及具有这些接触结构的半导体部件。根据本发明的一个方面，在将蚀刻掩模（3）定位在第一层或层序列（2）上之后，将凹槽蚀刻穿过第一层到达或者进入下面的第二层（1）。蚀刻以蚀刻掩模（3）底切和/或第一层（2）的至少一个区域接收负侧面的方式进行。随后，将导电材料（9）引入到凹槽中，其中蚀刻掩模（3）或第一层（2）形成用于引入材料的阴影掩模。导电材料仅在凹部中被引入到导电材料（9）和第一层（2）之间不存在接触的高度。该结构首次允许发射器接触基座而无需额外的掩蔽。本发明因此能够实现太阳能电池上的金属触点的更简单和成本有效的生产。

2. 发明申请

WO0225742A2 METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR-METAL CONTACT THROUGH A DIELECTRIC LAYER 审中-公开
标题翻译：通过介电层制造半导体金属接触的方法
公开(公告)号：WO0225742A2
公开(公告)日：2002-03-28
申请号：PCT/EP0110029
申请日：2001-08-30
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , PREU RALF , SCHNEIDERLOECHNER ERIC , GLUNZ STEFAN , LUEDEMANN RALF
发明人： PREU RALF , SCHNEIDERLOECHNER ERIC , GLUNZ STEFAN , LUEDEMANN RALF
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/00 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/42 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/268 , H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a method for electrically contacting a semiconductor layer (13) which is coated with at least one dielectric layer (12). The invention is characterised in that a metal layer (11) is applied to the dielectric layer (12) and in that this metal layer (11) is temporarily locally heated linearly or at certain points with a radiation source (9), under control, in such a way that a local molten mixture consisting exclusively of the metal layer (11), the dielectric layer (12) and the semiconductor layer (13) located directly beneath the dielectric layer (12) is formed. After hardening, this mixture results in an electrical contact between the semiconductor layer (13) and the metal layer (11).
摘要翻译：描述了用于涂覆有至少一个电介质层（12）的半导体层（13）的电接触的方法。本发明的特征在于，一金属层（11）是由辐射源（9）（11）的装置施加到介电层（12）和该金属层短暂加热本地控制点或线状的以这样的方式，使得本地熔体位于专门共混物半导体层的所述金属层（11），介电层（12），并立即在电介质层下的（12）（13）形成，其中（凝固到半导体层（13）和所述金属层之间的电接触之后 11）领先。

3. 发明专利

DD208224A1 未知
公开(公告)号：DD208224A1
公开(公告)日：1984-03-28
申请号：DD23605181
申请日：1981-12-21
申请人： KUKA GEORG , LUEDEMANN RALF , LEIN PETER , MANTHE KARL HEINZ , MUELLER KLAUS
发明人： KUKA GEORG , LUEDEMANN RALF , LEIN PETER , MANTHE KARL-HEINZ , MUELLER KLAUS
IPC分类号： G01N19/00

4. 发明专利

DD155352A1 未知
公开(公告)号：DD155352A1
公开(公告)日：1982-06-02
申请号：DD22614680
申请日：1980-12-16
申请人： KUKA GEORG , LUEDEMANN RALF , MUELLER KLAUS , MANTHE KARL HEINZ , LEIN PETER
发明人： KUKA GEORG , LUEDEMANN RALF , MUELLER KLAUS , MANTHE KARL-HEINZ , LEIN PETER
IPC分类号： G01B7/04

5. 发明专利

DD148400A1 未知
公开(公告)号：DD148400A1
公开(公告)日：1981-05-20
申请号：DD21838280
申请日：1980-01-10
申请人： KUKA GEORG , MUELLER KLAUS , MANTHE KARL HEINZ , LEIN PETER , LUEDEMANN RALF
发明人： KUKA GEORG , MUELLER KLAUS , MANTHE KARL-HEINZ , LEIN PETER , LUEDEMANN RALF
IPC分类号： H01B7/02

6. 发明专利

DD205242A1 未知
公开(公告)号：DD205242A1
公开(公告)日：1983-12-21
申请号：DD23997582
申请日：1982-05-19
申请人： LEIN PETER , LUEDEMANN RALF , STRUEMKE MANFRED , SCHMIDT JUERGEN
发明人： LEIN PETER , LUEDEMANN RALF , STRUEMKE MANFRED , SCHMIDT JUERGEN
IPC分类号： F28C3/10 , B29F3/08

7. 发明专利

DD155353A1 未知
公开(公告)号：DD155353A1
公开(公告)日：1982-06-02
申请号：DD22614580
申请日：1980-12-16
申请人： KUKA GEORG , LUEDEMANN RALF , LEIN PETER , MANTHE KARL HEINZ , MUELLER KLAUS
发明人： KUKA GEORG , LUEDEMANN RALF , LEIN PETER , MANTHE KARL-HEINZ , MUELLER KLAUS
IPC分类号： G01B11/10

8. 发明专利

DD129500A1 未知
公开(公告)号：DD129500A1
公开(公告)日：1978-01-18
申请号：DD19702677
申请日：1977-01-20
申请人： GERLACH HORST , LEIN PETER , MUELLER KLAUS , LUEDEMANN RALF , SCHIDA HERBERT , SCHROTH DIETER , THIEDE FRANZ
发明人： GERLACH HORST , LEIN PETER , MUELLER KLAUS , LUEDEMANN RALF , SCHIDA HERBERT , SCHROTH DIETER , THIEDE FRANZ
IPC分类号： H01B12/00 , H02H3/08

9. 发明专利

DD151679A1 未知
公开(公告)号：DD151679A1
公开(公告)日：1981-10-28
申请号：DD22206880
申请日：1980-06-23
申请人： LEIN PETER , MUELLER KLAUS , KUKA GEORG , LUEDEMANN RALF , MANTHE KARL HEINZ
发明人： LEIN PETER , MUELLER KLAUS , KUKA GEORG , LUEDEMANN RALF , MANTHE KARL-HEINZ
IPC分类号： H02G15/22

10. 发明专利

DD144835A1 未知
公开(公告)号：DD144835A1
公开(公告)日：1980-11-05
申请号：DD21410279
申请日：1979-07-04
申请人： MANTHE KARL HEINZ , FLUEGGE DIETRICH , KUKA GEORG , LEIN PETER , MUELLER KLAUS , LUEDEMANN RALF
发明人： MANTHE KARL-HEINZ , FLUEGGE DIETRICH , KUKA GEORG , LEIN PETER , MUELLER KLAUS , LUEDEMANN RALF
IPC分类号： H01B7/02

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