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热词
    • 1. 发明专利
    • Dispositivos fotosensibles orgánicos con filtros portadores de carga de bloqueo de excitones
    • ES2791753T3
    • 2020-11-05
    • ES14795920
    • 2014-10-27
    • FORREST STEPHEN RXIAO XINBERGEMANN KEVINPANDA ANURAGZIMMERMAN JERAMY DLASSITER BRIAN ECHE XIAOZHOUUNIV SOUTHERN CALIFORNIA
    • FORREST STEPHEN RXIAO XINBERGEMANN KEVINPANDA ANURAGZIMMERMAN JERAMY DLASSITER BRIAN ETHOMPSON MARK EBARTYNSKI ANDREW NTRIHN CONGCHE XIAOZHOU
    • H01L27/30H01L51/42
    • Un dispositivo optoelectrónico fotosensible que comprende: una primera subcélula que comprende una primera región fotoactiva que comprende al menos un material donante y al menos un material aceptor, en donde el al menos un material aceptor tiene un nivel de energía de orbital molecular más bajo desocupado (LUMOAcc) y un nivel de energía de orbital molecular más alto ocupado (HOMOAcc); una segunda subcélula que comprende una segunda región fotoactiva; y un filtro de electrones de bloqueo de excitones dispuesto entre la primera subcélula y la segunda subcélula, en donde el filtro de electrones de bloqueo de excitones es una capa mixta que comprende una mezcla de: un material de brecha de energía grande; y un material conductor de electrones; en donde el material de brecha de energía grande tiene - un nivel de energía de orbital molecular más bajo desocupado (LUMOCS-WG) menor o igual que LUMOAcc; - un nivel de energía de orbital molecular más alto ocupado (HOMOCS-WG) mayor, igual o menor en el ámbito de 0,3 eV que HOMOAcc; y - una brecha de energía HOMOCS-WG-LUMOCS-WG más grande que la brecha de energía HOMOAcc-LUMOAcc; y en donde el al menos un material conductor de electrones tiene un nivel de energía de orbital molecular más bajo desocupado (LUMOCE) más grande que, igual o menor en el ámbito de 0,3 eV que el LUMOAcc; en donde un primer nivel de energía HOMO o LUMO es "menor que" un segundo nivel de energía HOMO o LUMO si el primer nivel de energía HOMO o LUMO está más cerca del nivel de vacío que el segundo nivel de energía HOMO o LUMO y un primer nivel de energía HOMO o LUMO es "mayor que" un segundo nivel de energía HOMO o LUMO si el primer nivel de energía HOMO o LUMO está más alejado del nivel de vacío que el segundo nivel de energía HOMO o LUMO; y en donde el dispositivo comprende, además, una capa de recombinación de carga dispuesta entre la primera subcélula y la segunda subcélula; y en donde la mezcla comprende el material de brecha de energía grande y el material conductor de electrones en una relación que varía de 10:1 a 1:10 en volumen.
    • 6. 发明申请
    • SACRIFICIAL ETCH PROTECTION LAYERS FOR REUSE OF WAFERS AFTER EPITAXIAL LIFT OFF
    • 外部提升关闭后的重复使用的防腐蚀层
    • WO2013095712A3
    • 2013-08-29
    • PCT/US2012044620
    • 2012-06-28
    • FORREST STEPHEN RZIMMERMAN JERAMY DLEE KYUSANG
    • FORREST STEPHEN RZIMMERMAN JERAMY DLEE KYUSANG
    • H01L21/78H01L31/18
    • H01L31/1896Y02E10/50Y10T428/31678
    • There is disclosed a growth structure comprising a growth substrate, a sacrificial layer, a buffer layer, at least three substrate protective layers, at least one epilayer, at least one contact, and a metal or alloy-coated host substrate. In one embodiment, the device further comprises at least three device structure protecting layers. The sacrificial layer may be positioned between the growth substrate and the at least one epilayer, wherein the at least three substrate protective layers are positioned between the growth substrate and the sacrificial layer, and the at least three device structure protecting layers are positioned between the sacrificial layer and the epilayer. There is also disclosed a method of preserving the integrity of a growth substrate by releasing the cell structure by etching the sacrificial layer and the protective layers.
    • 公开了一种生长结构,其包括生长衬底,牺牲层,缓冲层,至少三个衬底保护层,至少一个外延层,至少一个接触层,以及涂覆有金属或合金的主体衬底。 在一个实施例中,该装置还包括至少三个装置结构保护层。 牺牲层可以位于生长衬底和至少一个外延层之间,其中至少三个衬底保护层位于生长衬底和牺牲层之间,并且至少三个器件结构保护层位于牺牲层之间 层和外延层。 还公开了通过蚀刻牺牲层和保护层来释放细胞结构来保持生长基质的完整性的方法。