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1. 发明专利

DE60138002D1 未知
公开(公告)号：DE60138002D1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：DE60138002
申请日：2001-01-19
申请人： FEI CO
发明人： GERLACH ROBERT L , UTLAUT MARK W , TESCH PAUL P , YOUNG RICHARD J , CHANDLER CLIVE D , VAN DER MAST KARL D
IPC分类号： C23C14/32 , H01J37/30 , G01Q70/14 , H01J37/305 , H01J37/317

2. 发明专利

JP2014232876A 集束イオン・ビームを使用した半導体デバイスの平面デプロセッシング用の前駆体有权
标题翻译：用聚焦离子束平面去除半导体器件的前驱体
公开(公告)号：JP2014232876A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：JP2014107733
申请日：2014-05-26
申请人：エフ・イ−・アイ・カンパニー , Fei Co
发明人： RUE CHAD , CHANDLER CLIVE D
IPC分类号： H01L21/302 , H01J37/317 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/3056 , H01J37/3233 , H01J37/3244 , H01J2237/3151 , H01J2237/31744 , H01J2237/31749 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/32131 , H01L21/32136 , H01L21/76892
摘要：【課題】集束イオン・ビーム・システムを使用した半導体デバイスの平面デプロセッシング方法およびシステムを提供する。【解決手段】除去するターゲット・エリアを画定するステップであり、ターゲット・エリアが、半導体デバイスの銅と誘電体の混合層の少なくとも一部分を含むステップと、ターゲット・エリアに向かって前駆体ガスを導くステップ404と、前駆体ガスの存在下で、ターゲット・エリアに向かって集束イオン・ビームを導き406、それによって銅と誘電体の第1の混合層の少なくとも一部分を除去し、ミリングされたターゲット・エリア内に均一に平滑な底部を形成するステップ408とを含む。この前駆体ガスによって、集束イオン・ビームは、誘電体と実質的に同じ速度で銅をミリングする。好ましくは、前駆体ガスがニトロ酢酸メチルを含む。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用聚焦离子束系统的半导体器件的平面去除处理方法和系统。方法：该方法包括：定义要去除的目标区域，目标区域至少包括一部分混合铜和介电层; 将前体气体引向目标区域404; 并且在存在前体气体406的情况下将聚焦离子束引导到目标区域，从而去除第一混合铜和电介质层的至少一部分并在研磨的目标区域408中产生均匀光滑的底层。前体气体导致聚焦离子束以与电介质基本相同的速率研磨铜。优选地，前体气体包括硝基乙酸甲酯。

3. 发明申请

WO0154163A9 SHAPED AND LOW DENSITY FOCUSED ION BEAMS 审中-公开
标题翻译：形状和低密度聚焦离子束
公开(公告)号：WO0154163A9
公开(公告)日：2002-10-17
申请号：PCT/EP0100621
申请日：2001-01-19
申请人： KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV , FEI CO
发明人： GERLACH ROBERT L , UTLAUT MARK W , TESCH PAUL P , YOUNG RICHARD J , CHANDLER CLIVE D , VAN DER MAST KARL D
IPC分类号： C23C14/32 , G01Q70/14 , H01J37/30 , H01J37/305 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3178 , H01J37/3007 , H01J37/3056 , H01J2237/31744
摘要： A method and apparatus for providing a shaped ion beam having low current density and sharp edges for inducing a reaction between a working material supplied to a target and the target to deposit or remove material. The low current density and sharp edges eliminate the problem of overmilling, while permitting rapid ion beam processing. One method of producing the shaped beam is by using a two lens system, the first lens imaging the source onto the plane of the second lens and the second lens forming an image of the aperture onto the target plane. Another method is to greatly underfocus a chromatic aberration limited beam. Large beams having uniform current density and sharp edges can be produced. A knife edge beam, having a sharp edge can also be produced.
摘要翻译：一种用于提供具有低电流密度和锋利边缘的成形离子束的方法和装置，用于引起供应到目标的工作材料与靶材沉积或去除材料之间的反应。低电流密度和尖锐的边缘消除了超磨的问题，同时允许快速的离子束处理。产生成形光束的一种方法是通过使用双透镜系统，第一透镜将光源成像到第二透镜的平面上，并且第二透镜将孔的图像形成到目标平面上。另一种方法是使色差受限束非常不足。可以产生具有均匀电流密度和锋利边缘的大光束。也可以生产具有锋利边缘的刀刃梁。

4. 发明申请

WO2008094297A3 A MULTI-SOURCE PLASMA FOCUSED ION BEAM SYSTEM 审中-公开
标题翻译：多源等离子体聚焦离子束系统
公开(公告)号：WO2008094297A3
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/US2007073618
申请日：2007-07-16
申请人： FEI CO , SMITH NOEL , CHANDLER CLIVE D , UTLAUT MARK W , TESCH PAUL P , TUGGLE DAVE
发明人： SMITH NOEL , CHANDLER CLIVE D , UTLAUT MARK W , TESCH PAUL P , TUGGLE DAVE
IPC分类号： G21G5/00
CPC分类号： H01J37/3007 , C23C14/0031 , C23C14/221 , H01J27/16 , H01J37/08 , H01J37/305 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J37/32082 , H01J37/3211 , H01J2237/006 , H01J2237/0817 , H01J2237/0827 , H01J2237/31 , H01J2237/31749
摘要： The present invention provides a plasma ion beam system that includes multiple gas sources and that can be used for performing multiple operations using different ion species to create or alter submicron features of a work piece. The system preferably uses an inductively coupled, magnetically enhanced ion beam source, suitable in conjunction with probe-forming optics sources to produce ion beams of a wide variety of ions without substantial kinetic energy oscillations induced by the source, thereby permitting formation of a high resolution beam.
摘要翻译：本发明提供了一种等离子体离子束系统，其包括多个气体源并且可以用于使用不同的离子种类来执行多个操作以创建或改变工件的亚微米特征。该系统优选地使用电感耦合的磁增强离子束源，其适合与探针形成光学器件源结合以产生多种离子的离子束而没有由源引起的实质的动能振荡，从而允许形成高分辨率光束。

5. 发明申请

WO2011060444A3 GAS DELIVERY FOR BEAM PROCESSING SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：用于波束加工系统的气体输送
公开(公告)号：WO2011060444A3
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/US2010056895
申请日：2010-11-16
申请人： FEI CO , CHANDLER CLIVE D , RANDOLPH STEVEN , HARTIGAN GAVIN
发明人： CHANDLER CLIVE D , RANDOLPH STEVEN , HARTIGAN GAVIN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23F4/04 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/047 , C23C16/4485 , C23C16/45523 , C23C16/45561 , H01J2237/006
摘要： Gas flow from multiple gas sources into a sample chamber of a beam system is controlled by a cycling valve for each gas source, with the gas pressure in the sample chamber being determined by the relative time that the valve is opened and the upstream pressure at the valve. A gas valve positioned inside the vacuum chamber allows rapid response in shutting off a gas. In some preferred embodiments, a precursor gas is supplied from a solid or liquid material in a container that remains outside the vacuum system while in use and which is readily connected or disconnected to the gas injection system without significant leakage.
摘要翻译：来自多个气源的气体流入射束系统的样品室由每个气源的循环阀控制，样品室中的气体压力由阀打开的相对时间和阀。位于真空室内的气阀可快速切断气体。在一些优选的实施方案中，前体气体由容器中的固体或液体材料供应，该容器在使用时保持在真空系统外部，并且容易连接或断开气体注入系统而没有显着的泄漏。

6. 发明专利

DE69938583T2 未知
公开(公告)号：DE69938583T2
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：DE69938583
申请日：1999-10-08
申请人： FEI CO
发明人： CHANDLER CLIVE D
IPC分类号： H01J37/305 , H01L21/768 , H01J37/317 , H01L21/302 , H01L21/311 , H01L23/522

7. 发明专利

AT532203T 未知
公开(公告)号：AT532203T
公开(公告)日：2011-11-15
申请号：AT05076917
申请日：2005-08-22
申请人： FEI CO
发明人： CHANDLER CLIVE D , SMITH NOEL
IPC分类号： H01J37/32
摘要： A method of localized plasma processing improves processing speed and reduces work piece damage compared to charged particle beam deposition and etching. In one embodiment, a plasma jet exits a plasma generating chamber and activates a reactive gas. A jet of plasma and reactive gas impacts and processes the work piece. Because the plasma and the ions in the reactive gas can have low kinetic energy, there can be little or no surface damage. This is particularly useful for deposition processes. When it is desired to etch material, the reactive ions can be more energetic to enhance etching.

8. 发明专利

DE69938583D1 未知
公开(公告)号：DE69938583D1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：DE69938583
申请日：1999-10-08
申请人： FEI CO
发明人： CHANDLER CLIVE D
IPC分类号： H01J37/305 , H01L21/768 , H01J37/317 , H01L21/302 , H01L21/311 , H01L23/522

9. 发明专利

JP2010192893A High selectivity, low damage electron-beam delineation etch 有权
标题翻译：高选择性，低损耗电子束分离蚀刻
公开(公告)号：JP2010192893A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：JP2010018014
申请日：2010-01-29
申请人： Fei Co , エフ・イ−・アイ・カンパニー
发明人： RANDOLPH STEVEN , CHANDLER CLIVE D
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32137
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for selectively etching a substrate using a focused beam.
SOLUTION: At step 102, the substrate having at least two types of materials is prepared. The substrate is a silicon wafer on which an integrated circuit is manufactured thereon, and the substrate further includes a trench cut by a focused ion beam, in order to expose a partial section of the integrated circuit. In step 104, flux of etching agent precursor gas is supplied to a partial portion of a substrate surface to be etched. In step 106, flux of etching suppression precursor gas is supplied to the substrate surface. In step 108, a focused beam, such as an electron beam, is guided toward the substrate on a region including at least two types of materials. A combination of the etching precursor gas, etching suppression gas, and focused beam selectively etches a first material, as compared to a second material.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用聚焦光束来选择性地蚀刻衬底的方法和装置。解决方案：在步骤102中，制备具有至少两种类型材料的基材。衬底是在其上制造集成电路的硅晶片，并且衬底还包括被聚焦离子束切割的沟槽，以便露出集成电路的部分部分。在步骤104中，将蚀刻剂前体气体的通量供给到待蚀刻的基板表面的部分部分。在步骤106中，蚀刻抑制前体气体的通量被供给到基板表面。在步骤108中，诸如电子束的聚焦光束在包括至少两种类型的材料的区域上被引向衬底。与第二材料相比，蚀刻前体气体，蚀刻抑制气体和聚焦光束的组合选择性地蚀刻第一材料。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2006066398A Local plasma treatment 有权
标题翻译：本地等离子体处理
公开(公告)号：JP2006066398A
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：JP2005246402
申请日：2005-08-26
申请人： Fei Co , エフ・イ−・アイ・カンパニー
发明人： CHANDLER CLIVE D , SMITH NOEL
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/48 , H01J37/32 , H01L21/302 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32366 , B81C1/00531 , C23C16/047 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23F4/00 , H01J37/32357
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a local treatment method which has a relatively high treatment speed and minimizes unintended damage of a substrate. SOLUTION: The method improves the treatment speed and reduces damage of a workpiece in comparison with charged particle vapor deposition and etching. A plasma jet outputs from a plasma generation chamber to activate a reaction gas. Jets of the plasma and the reaction gas impact the workpiece to treat them. Since the plasma and ions in the reaction gas enables having low kinetic energy, surface damage hardly occurs. This is useful for a vapor deposition process. When a material is desired to be etched, the etching can be increased by increasing the energy of the reaction gas. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供具有相对较高处理速度并最小化衬底的意外损坏的局部处理方法。解决方案：与带电粒子气相沉积和蚀刻相比，该方法提高了处理速度并减少了工件的损伤。等离子体射流从等离子体发生室输出以激活反应气体。等离子体和反应气体的喷射冲击工件以对待它们。由于反应气体中的等离子体和离子能够具有低的动能，所以几乎不发生表面损伤。这对于气相沉积工艺是有用的。当需要蚀刻材料时，可以通过增加反应气体的能量来增加蚀刻。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

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