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    • 2. 发明申请
    • VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BONDEN VON SUBSTRATEN
    • DEVICE AND METHOD FOR接合基板
    • WO2013178260A1
    • 2013-12-05
    • PCT/EP2012/060171
    • 2012-05-30
    • EV GROUP E. THALLNER GMBHREBHAN, Bernhard
    • REBHAN, Bernhard
    • H01L21/67
    • H01L24/75B23K20/14B23K20/24B23K20/26B23K31/02B23K37/00H01L21/67092H01L2224/751H01L2224/7525H01L2224/757H01L2224/758H01L2224/81065H01L2224/83065H01L2224/94H01L2924/1461H01L2224/81H01L2924/00
    • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bonden einer Bondseite eines ersten Substrats mit einer Bondseite eines zweiten Substrats mit folgenden Merkmalen: einer Modulgruppe (9) mit einem zur Umgebung, insbesondere gasdicht, schließbaren gemeinsamen Arbeitsraum, mindestens einem an den Arbeitsraum, insbesondere dichtend, angeschlossenen Bondmodul (5) der Modulgruppe (9), einer Bewegungseinrichtung zur Bewegung des ersten und zweiten Substrats im Arbeitsraum dadurch gekennzeichnet, dass die Modulgruppe (9) ein an den Arbeitsraum, insbesondere dichtend, angeschlossenes Reduktionsmodul (4) zur Reduzierung der Bondseiten aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein korrespondierendes Verfahren mit folgendem Ablauf: Reduzierung der Bondseiten in einem an den Arbeits räum angeschlossenen Reduktionsmodul der Modulgruppe (9), Bewegung des ersten und zweiten Substrats im Arbeitsraum von dem Reduktionsmodul in einen Bondraum eines Bondmoduls (5) der Modulgruppe (9) und Bonden des ersten Substrats mit dem zweiten Substrat an den Bondseiten.
    • 本发明涉及一种用于接合第一基片的粘合面具有第二衬底的键合端,包括:一组模块(9)的一个环境,特别是气密的,可闭合的共同的工作空间,所述工作空间的至少一个,并且特别是密封地连接邦德模块 (5)模块组(9),一移动装置,用于在工作腔室移动所述第一和第二基板,其特征在于所述模块组(9)具有一个特定的工作空间,尤其是密封地连接还原模块(4),以减少键合位点。 本发明还涉及到具有下列序列的相应的方法:减少的键合位点的(在连接到模块的基团(9)所示,在降低模块的在键合模块的结合区域工作空间中的第一和第二基板的移动的工作减少模块一个腔(5)的模块群的 9),并在键合位点在所述第一基板与第二基板接合。
    • 7. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN SOWIE SPANWERKZEUG
    • 方法和装置永久性粘结片和SPAN工具
    • WO2013110315A1
    • 2013-08-01
    • PCT/EP2012/050974
    • 2012-01-23
    • EV GROUP E. THALLNER GMBHMARTINSCHITZ, KlausWIMPLINGER, MarkusREBHAN, Bernhard
    • MARTINSCHITZ, KlausWIMPLINGER, MarkusREBHAN, Bernhard
    • B23K20/22
    • B29C65/74B23K20/023B23K20/22B23K20/24B23K2201/40B29C65/7412Y10T156/1062Y10T156/12
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Bondoberfläche (1o) eines ersten, aus einem ersten Material bestehenden Festkörpersubstrats (1) mit einer zweiten Bondoberfläche (2o) eines zweiten, aus einem zweiten Material bestehenden Festkörpersubstrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Bearbeitung der ersten und/oder zweiten Bondoberflächen (1o, 2o) mit einem Spanwerkzeug (5) bei einer Geschwindigkeit v s unterhalb einer kritischen Geschwindigkeit V k und bei einer Temperatur T s oberhalb einer kritischen Temperatur T k und bis zu einer Oberflächenrauigkeit 0 kleiner als Ι μm, - Kontaktieren des ersten Festkörpersubstrats (1) mit dem zweiten Festkörpersubstrat (2) an den Bondoberflächen (1o, 2o) und - Temperaturbeaufschlagung der kontaktierten Festkörpersubstrate (1, 2) zur Ausbildung eines zumindest überwiegend durch Rekristallisation bewirkten permanenten Bonds an den Bondoberflächen (1o, 2o) jeweils bis in eine Rekristallisationstiefe R größer als die Oberflächenrauigkeit O der Bondoberflächen (1o, 2o) mit einer Bondtemperatur T B oberhalb der Rekristallisationstemperatur. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung sowie ein Spanwerkzeug zur Bearbeitung der ersten und/oder zweiten Bondoberflächen bei einer Geschwindigkeit v s unterhalb einer kritischen Geschwindigkeit V k und bei einer Temperatur T s oberhalb einer kritischen Temperatur T k und bis zu einer Oberflächenrauigkeit O kleiner als 1 μm.
    • 本发明涉及一种接合第一的第一接合表面(1O),由与第二的第二接合面(20)的第一材料的固态衬底(1)的,由第二材料制成,所述固体基材(2),包括以下步骤的方法,特别是 顺序如下: - 处理所述第一和/或第二接合表面(1O,1-20),在一速的夹紧工具(5)对低于临界速度Vk和在温度Ts高于临界温度T k和高达0的表面粗糙度小于 IOTA妈妈, - 第一个固体衬底(1)接触与第二固体基材(2)的接合表面(1O,1-20),以及 - 所述接触的固体基质的温度暴露(1,2)在键合表面上形成一个至少主要进行通过重结晶永久粘结 (1O,1-20)在每种情况下在高达一个Rekr istallisationstiefe R比具有上述再结晶温度的接合温度TB接合面O(1O,1-20)的表面粗糙度越大。 此外,本发明提供了一种相应的装置和用于加工所述第一和/或第二切削工具涉及接合表面以一定速度VS低于临界速度Vk和在温度Ts高于临界温度T k和最多至O的表面粗糙度小于1个妈妈。