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1. 发明申请

WO2013029656A1 VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN DURCH EINE VERBINDUNGSSCHICHT MITTELS FESTKÖRPERDIFFUSION ODER PHASENUMWANDLUNG 审中-公开
标题翻译：方法永久性粘结WAFERS通过连接层通过固态扩散或相变
公开(公告)号：WO2013029656A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/EP2011/064874
申请日：2011-08-30
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , MARTINSCHITZ, Klaus , WIMPLINGER, Markus , REBHAN, Bernhard , HINGERL, Kurt
发明人： MARTINSCHITZ, Klaus , WIMPLINGER, Markus , REBHAN, Bernhard , HINGERL, Kurt
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L21/76251 , B23K20/021 , B23K20/023 , B23K35/001 , B23K35/0255 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2201/40 , H01L21/185 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/038 , H01L2224/0384 , H01L2224/04026 , H01L2224/05557 , H01L2224/05647 , H01L2224/0801 , H01L2224/08501 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/275 , H01L2224/27505 , H01L2224/278 , H01L2224/2784 , H01L2224/29019 , H01L2224/2908 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/3201 , H01L2224/325 , H01L2224/32501 , H01L2224/7565 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83345 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/1434 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/0105 , H01L2224/83
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein verfahren zum Bonden eines ersten Festkörpersubstrats (1 ) mit einem eine erstes Material enthaltenden zweiten Festkörpersubstrat (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung oder Aufbringung einer ein zweites Material enthaltenden Funktionsschicht (5) auf das zweite Festkörpersubstrat (2), - Kontaktieren des ersten Festkörpersubstrats (1 ) mit dem zweiten Festkörpersubstrat (2) an der Funktionsschicht (5), - Zusammenpressen der Festkörpersubstrate (1, 2) zur Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen dem ersten und dem zweiten Festkörpersubstrat (1, 2), zumindest teilweise verstärkt durch Festkörperdiffusion und/oder Phasenumwandlung des ersten Materials mit dem zweiten Material, wobei eine Volumenvergrößerung an der Funktionsschicht (5) bewirkt wird. Während des Bondens wird die Löslichkeitsgrenze des ersten Materials für das zweite Material nicht oder nur geringfügig überschritten, so dass Ausscheidung von intermetallischen Phasen möglichst weitgehend vermieden wird und dagegen Mischkristall ausgebildet wird. Das erste Material kann Kupfer und das zweite Material kann Zinn sein.
摘要翻译：本发明涉及一种用于接合具有含第二固体基底（2）包括以下步骤，特别是下列序列中的第一材料的第一固体基材（1）： - 第二固体基材上的含第二材料的功能层（5）的形成或沉积（2）， - 所述第一固态衬底（1）与第二固体基材（2）到所述功能层接触（5）， - 压缩所述固体底物（1,2），以形成所述第一和之间的永久键（第二固体基底1， 2）通过，由此增加在所述功能层的体积（5）被实现固态扩散和/或与所述第二材料的第一材料的相变，至少部分地加强。在接合时，第一材料的第二材料中的溶解度不或仅略微超过，从而使沉淀避免尽可能金属间相和在另一方面，形成混晶。所述第一材料可以是铜，并且第二材料可以是锡。

2. 发明申请

WO2013110315A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN SOWIE SPANWERKZEUG 审中-公开
标题翻译：方法和装置永久性粘结片和SPAN工具
公开(公告)号：WO2013110315A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/EP2012/050974
申请日：2012-01-23
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , MARTINSCHITZ, Klaus , WIMPLINGER, Markus , REBHAN, Bernhard
发明人： MARTINSCHITZ, Klaus , WIMPLINGER, Markus , REBHAN, Bernhard
IPC分类号： B23K20/22
CPC分类号： B29C65/74 , B23K20/023 , B23K20/22 , B23K20/24 , B23K2201/40 , B29C65/7412 , Y10T156/1062 , Y10T156/12
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Bondoberfläche (1o) eines ersten, aus einem ersten Material bestehenden Festkörpersubstrats (1) mit einer zweiten Bondoberfläche (2o) eines zweiten, aus einem zweiten Material bestehenden Festkörpersubstrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Bearbeitung der ersten und/oder zweiten Bondoberflächen (1o, 2o) mit einem Spanwerkzeug (5) bei einer Geschwindigkeit v s unterhalb einer kritischen Geschwindigkeit V k und bei einer Temperatur T s oberhalb einer kritischen Temperatur T k und bis zu einer Oberflächenrauigkeit 0 kleiner als Ι μm, - Kontaktieren des ersten Festkörpersubstrats (1) mit dem zweiten Festkörpersubstrat (2) an den Bondoberflächen (1o, 2o) und - Temperaturbeaufschlagung der kontaktierten Festkörpersubstrate (1, 2) zur Ausbildung eines zumindest überwiegend durch Rekristallisation bewirkten permanenten Bonds an den Bondoberflächen (1o, 2o) jeweils bis in eine Rekristallisationstiefe R größer als die Oberflächenrauigkeit O der Bondoberflächen (1o, 2o) mit einer Bondtemperatur T B oberhalb der Rekristallisationstemperatur. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung sowie ein Spanwerkzeug zur Bearbeitung der ersten und/oder zweiten Bondoberflächen bei einer Geschwindigkeit v s unterhalb einer kritischen Geschwindigkeit V k und bei einer Temperatur T s oberhalb einer kritischen Temperatur T k und bis zu einer Oberflächenrauigkeit O kleiner als 1 μm.
摘要翻译：本发明涉及一种接合第一的第一接合表面（1O），由与第二的第二接合面（20）的第一材料的固态衬底（1）的，由第二材料制成，所述固体基材（2），包括以下步骤的方法，特别是顺序如下： - 处理所述第一和/或第二接合表面（1O，1-20），在一速的夹紧工具（5）对低于临界速度Vk和在温度Ts高于临界温度T k和高达0的表面粗糙度小于 IOTA妈妈， - 第一个固体衬底（1）接触与第二固体基材（2）的接合表面（1O，1-20），以及 - 所述接触的固体基质的温度暴露（1，2）在键合表面上形成一个至少主要进行通过重结晶永久粘结（1O，1-20）在每种情况下在高达一个Rekr istallisationstiefe R比具有上述再结晶温度的接合温度TB接合面O（1O，1-20）的表面粗糙度越大。此外，本发明提供了一种相应的装置和用于加工所述第一和/或第二切削工具涉及接合表面以一定速度VS低于临界速度Vk和在温度Ts高于临界温度T k和最多至O的表面粗糙度小于1个妈妈。

3. 发明申请

WO2012167814A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ERMITTLUNG DER DRUCKVERTEILUNG ZUM BONDEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备用于确定压力分布粘结
公开(公告)号：WO2012167814A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/EP2011/059308
申请日：2011-06-06
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , REBHAN, Bernhard , WIMPLINGER, Markus , BURGGRAF, Jürgen
发明人： REBHAN, Bernhard , WIMPLINGER, Markus , BURGGRAF, Jürgen
IPC分类号： B30B15/06 , G01L5/00
CPC分类号： G01L1/24 , B30B15/062 , G01L5/008 , G01L5/0085 , H01L22/12
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Ermittlung der Druckverteilung zum Bonden eines ersten Substrats mit einem zweiten Substrat mit folgenden Schritten, insbesondere mit folgendem Ablauf: Einbringen einer Messschicht (7, 7', 7") zwischen ein erstes Werkzeug (1) zur Aufnahme des ersten Substratsund ein zu dem ersten Werkzeug (1) ausgerichtetes und gegenüberliegendes zweites Werkzeug (5) zum Bonden der Substrate; - Verformung der Messschicht (7, 7', 7") durch Annäherung der Werkzeuge (1, 5); Messung der Verformung der Messschicht (7, 7', 7") und Berechnung der Druckverteilung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于确定用于粘接第一基板与以下步骤的第二衬底上的压力分布，特别是具有下列序列的方法和设备，包括：第一工具之间引入的测量层（7,7”，7“）（1）对齐的一个到所述第一工具（1），用于接收所述第一基板和与相对的第二工具（5）用于粘合的基材， - 通过上述工具的方法测量层的变形（7,7”，7“）（1，5）; 测量层（7,7”，7“）和计算出的压力分布的变形的测量。

4. 发明申请

WO2012136267A1 VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：方法永久性粘结WAFERS
公开(公告)号：WO2012136267A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/EP2011/055470
申请日：2011-04-08
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
发明人： PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/3105 , H01L21/76251 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/27444 , H01L2224/278 , H01L2224/29188 , H01L2224/32145 , H01L2224/8309 , H01L2224/83896 , H01L2924/01013 , H01L2924/10252 , H01L2924/1032 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10331 , H01L2924/10332 , H01L2924/10333 , H01L2924/10334 , H01L2924/10335 , H01L2924/10336 , H01L2924/10346 , H01L2924/1082 , H01L2924/10821 , H01L2924/10823 , H01L2924/20106
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Oberflächenschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), wobei die Oberflächenschicht (6) zumindest überwiegend aus einem nativen Oxidmaterial besteht, - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten. - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in einer Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats enthaltenen zweiten Edukt.
摘要翻译：本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面（4）的第二基板（2）包括以下步骤的方法，尤其是以下序列： - 形成的贮存器（5）在一个第一接触表面（3），其中，所述表面层（6）至少主要由天然氧化物材料，对表面层（6） - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组贮存器。 - 第一接触表面（3）与所述第二接触表面（4）接触，以形成键预连接， - 在形成第一和第二接触表面之间的永久粘结的（3，4），至少部分地由与第一反应物的反应增强第二反应物的第二基底的在反应层中的（7）中含有。

5. 发明申请

WO2012079786A1 EINRICHTUNG, VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR ERMITTLUNG VON AUSRICHTUNGSFEHLERN 审中-公开
标题翻译：设备，设备和方法用于确定定向误差
公开(公告)号：WO2012079786A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/EP2011/065492
申请日：2011-09-07
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBh , WIMPLINGER, Markus
发明人： WIMPLINGER, Markus
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/681 , H01L21/67092 , H01L21/67259
摘要： Die Erfindung betrifft eine Einrichtung, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ermittlung von durch Dehnung und/oder Verzerrung eines ersten Substrats (1) gegenüber einem zweiten Substrat (2) beim Verbinden des ersten Substrats (1) mit dem zweiten Substrat (2) aufgetretenen lokalen Ausrichtungsfehlern und zum Ausrichten zwei er Wafer mittels Positionskarten, Dehnungskarten und/oder Spannungskarten der Wafer, die während und/oder nach der Ausrichtung der Wafer aufgenommen werden, insbesondere durch mindestens einen transparenten Bereich mindestens eines der Wafer hindurch, wobei gegebenenfalls die relative Position der beiden Wafer zueinander, insbesondere in-situ, korrigiert wird.
摘要翻译：本发明涉及一种装置，一种设备和用于通过在第一基板的伸长和/或失真确定的方法（1）相对于第二基板（2）将所述第一衬底（1）与第二基板（2）时所遇到的本地对准误差和用于对齐两个他通过的位置卡，扩展卡和/或晶片的电压映射装置晶片，同时通过至少一个透明部分晶片的取向之后拍摄，特别是晶片穿过其中，中的至少一个在适当情况下，的相对位置的两个和/或晶片彼此，特别是在原位，校正。

6. 发明申请

WO2011032647A1 VERFAHREN ZUM BONDEN VON CHIPS AUF WAFER 审中-公开
标题翻译：方法粘结筹码晶圆
公开(公告)号：WO2011032647A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/EP2010/005422
申请日：2010-09-03
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , WIMPLINGER, Markus
发明人： WIMPLINGER, Markus
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/08225 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/74 , H01L2224/7598 , H01L2224/80006 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80205 , H01L2224/80805 , H01L2224/80815 , H01L2224/8082 , H01L2224/80907 , H01L2224/81 , H01L2224/81005 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81205 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/81907 , H01L2224/83005 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83205 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2224/83907 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15738 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： Verfahren zum Bonden einer Vielzahl von Chips (3) auf einen vorderseitig Chips (3') enthaltenden Basiswafer (1), wobei die Chips (3) in mindestens einer Lage rückseitig des Basiswafers (1) gestapelt werden und zwischen den vertikal benachbarten Chips (3, 3') elektrisch leitfähige Verbindungen (7) hergestellt werden, mit folgenden Schritten: a) Fixieren einer Vorderseite (2) des Basiswafers (1) auf einem Träger (5), b) Platzieren mindestens einer Lage von Chips (3) in definierten Positionen auf einer Rückseite (6) des Basiswafers (1) und c) Wärmebehandlung der Chips (3, 3') auf dem mit dem Träger (5) fixierten Basiswafer (1), dadurch gekennzeichnet, dass vor Schritt c) eine zumindest teilweise Vereinzelung der Chips (3') des Basiswafers (1) in getrennte Chipstapelabschnitte (1 c) des Basiswafers (1) erfolgt.
摘要翻译：一种用于容纳基底晶片的前侧芯片（3“）上接合多个芯片（3）方法（1），所述芯片（3）在所述基底晶片的背面的至少一个位置（1）被堆叠和垂直相邻的芯片之间（3 ，3“）的导电连接（7）的制备，它具有下列步骤：a）固定前侧（2）上的支撑件（5）的基体晶片（1）的，b）将所定义的芯片（3）的至少一个层在后侧的位置（6）的基体晶片（1）和c）热固定在（与载体5）基底晶片（1），其特征在于步骤c之前处理的芯片（3，3“））的至少部分地分割的基底晶片（1）插入所述基底晶片（1）的单独的奇普·斯塔克部分（图1c）的芯片（3“）。

7. 发明申请

WO2013135302A1 DRUCKÜBERTRAGUNGSEINRICHTUNG ZUM BONDEN VON CHIPS AUF EIN SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：压力传递装置用于CHIPS对于基板贴合
公开(公告)号：WO2013135302A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/EP2012/054650
申请日：2012-03-16
申请人： EV GROUP E. THALLNER GmbH , WIMPLINGER, Markus , SIGL, Alfred
发明人： WIMPLINGER, Markus , SIGL, Alfred
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67144 , H01L21/68771 , H01L21/68778 , H01L24/75 , H01L24/89 , H01L24/97 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75316 , H01L2224/75317 , H01L2224/75318 , H01L2224/7532 , H01L2224/757 , H01L2224/75704 , H01L2224/75724 , H01L2224/75744 , H01L2224/75822 , H01L2224/75823 , H01L2224/75824 , H01L2224/7598 , H01L2224/9205 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Druckübertragungseinrichtung zum Bonden einer Vielzahl von Chips (13) auf ein Substrat (12) mit: - einem Druckkörper (2) zur Beaufschlagung der Chips (13) mit einer in Bondrichtung (B) wirkenden Bondkraft, wobei der Druckkörper (2) eine erste Druckseite (2o) und eine gegenüberliegende zweite Druckseite (2f) aufweist, die quer zur Bondrichtung (B) verlaufen, - am Umfang der Druckübertragungseinrichtung (1) anbringbaren Fixiermitteln (8, 8', 8") zur Fixierung der Druckübertragungseinrichtung (1) an einem Haltekörper (9) in der Bondrichtung (B), und - einer Gleitschicht (3) zur gleitenden Bewegung des Druckkörpers (2) quer zur Bondrichtung (B).
摘要翻译：本发明涉及一种压力传递装置用于在基板上接合多个芯片（13）（12）包括： - 压力体（2）用于装载具有芯片（13）的在接合方向（B）作用的粘接力，其中，所述压力体（ 2）具有第一压力侧（20）和相对的第二压力面（2F），它横向延伸（向接合方向B）， - 在压力传递装置的外周（1）可附接固定装置（8,8”，8“），用于固定所述真空传递装置（1）在接合方向（B）的保持体（9），以及 - 用于滑动压力体（2）的移动横向于接合方向（B）的滑动层（3）。

8. 发明申请

WO2012136266A1 VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：方法永久性粘结WAFERS
公开(公告)号：WO2012136266A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/EP2011/055469
申请日：2011-04-08
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
发明人： PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/2007 , H01L21/3105 , H01L21/76251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2), wobei das zweite Substrat (2) zumindest eine Reaktionsschicht (7) aufweist, mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Reservoirbildungsschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Dünnen des zweiten Substrats (2) und - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in der Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats (2) enthaltenen zweiten Edukt.
摘要翻译：本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面的方法（4）的第二基板（2），其特征在于，具有至少一个反应层（7）的第二基板（2），具有步骤，特别是以下序列： - 形成的贮存器（5）在所述第一接触表面（3）上的贮存器形成层（6）， - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组贮存器， - 联系第一接触表面（3）与所述第二接触表面（4），以形成一个键预连接， - 在形成第一和第二接触表面之间的永久粘结的（3，4），至少部分地 - （2），并且减薄所述第二基板通过与在第二基板（2）的反应层（7）的第一反应物的反应增强包含在所述第二反应物。

9. 发明申请

WO2012083978A1 AUFNAHMEEINRICHTUNG ZUR HALTERUNG VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：记录设备，用于支持晶片
公开(公告)号：WO2012083978A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/EP2010/007793
申请日：2010-12-20
申请人： EV GROUP E. THALLNER GmbH , WIMPLINGER, Markus , WAGENLEITNER, Thomas , FILBERT, Alexander
发明人： WIMPLINGER, Markus , WAGENLEITNER, Thomas , FILBERT, Alexander
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/68 , H01L21/67092 , H01L21/67288 , H01L21/683 , H01L22/12
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme und Halterung von Wafern mit folgenden Merkmalen: - eine Halterungsfläche (1o), - Haltemitteln zur Halterung des Wafers an der Halterungsfläche (1o) und - Kompensationsmittel (3, 4, 5, 6) zur aktiven, insbesondere lokal steuerbaren, zumindest teilweisen Kompensation von lokalen und/oder globalen Verzerrungen des Wafers. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Ausrichten eines ersten Wafers mit einem zweiten Wafer unter Verwendung einer vorgenannten Aufnahmeeinrichtung.
摘要翻译：本发明涉及一种接收装置，用于接收和具有下列特征保持晶片： - 支承表面（1O）， - 保持装置，用于保持晶片的支撑表面（1O），以及 - 补偿装置（3，4，5，6）的活性，特定局部可控，至少部分补偿晶片的本地和/或全球失真。此外，本发明提供了一种装置和用于使用一个以上提到的涉及记录装置的第一晶片对准到第二晶片的方法。

10. 发明申请

WO2012079597A1 AUFNAHMEEINRICHTUNG ZUR AUFNAHME UND HALTERUNG EINES WAFERS 审中-公开
标题翻译：录音设备记录和支持晶片
公开(公告)号：WO2012079597A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/EP2010/007610
申请日：2010-12-14
申请人： EV GROUP E. THALLNER GmbH , WIMPLINGER, Markus , WAGENLEITNER, Thomas , FILBERT, Alexander
发明人： WIMPLINGER, Markus , WAGENLEITNER, Thomas , FILBERT, Alexander
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6838
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme und Halterung eines Wafers zur Bearbeitung des Wafers mit einer Halterungsfläche zur Aufnahme des Wafers an einer Auflagefläche des Wafers und Haltemitteln zur Halterung des Wafers, wobei durch die Haltemittel eine Halterung von extrem dünnen Wafern an der Halterungsfläche des Wafers möglichst geringe lokale Verzerrungen des Wafers erreicht werden.
摘要翻译：本发明涉及一种接收设备，用于在晶片的安装面上接收和保持一个晶片处理与一个支撑表面的晶片，用于接收晶片到晶片的支撑表面和保持装置，用于保持晶片，由保持装置是非常薄的晶片的托架小晶片的可能的局部变形，可以实现。

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