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1. 发明申请

WO2011083162A2 MIKROELEKTROMECHANISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：微机电半导体部件
公开(公告)号：WO2011083162A2
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/EP2011/050213
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , DOELLE, Michael
发明人： DOELLE, Michael
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
摘要： Das rnikroelektromechanische Halbleiterbauelement ist mit einem Halbleitersubstrat (4,5), einem reversible verformbaren Biegeelement (8a) aus Halbleitermaterial und mindestens einem für mechanische Spannungen sensitiven Transistor, der als integriertes Bauteil in dem Biegeelement (8a) ausgebildet ist, versehen. Der Transistor ist in einer in das Biegeelement (8a) eingebrachten implantierten Aktivgebietswanne (78a) aus einem Halbleitermaterial von einem ersten Leitungstyp angeordnet. In die Aktivgebietswanne (78a) sind zwei voneinander beabstandete, implantierte Drain- und Sourcegebiete (79,80) aus einem Halbleitermaterial von einem zweiten Leitungstyp ausgebildet, zwischen denen sich ein Kanalgebiet erstreckt. Zu den Drain- und Sourcegebieten (79,80) führen implantierte Zuleitungen aus einem Halbleitermaterial vom zweiten Leitungstyp. Die Oberseite der Aktivgebietswanne (78a) ist von einem Gate-Oxid (81a) überdeckt. Im Bereich des Kanalgebiets befindet sich auf dem Gate-Oxid (81a) eine Gate-Elektrode (81) aus Poly-Silizium, zu der eine Zuleitung aus ebenfalls Poly-Silizium führt.
摘要翻译：包括半导体衬底（4,5），半导体材料的可逆变形的弯曲元件（8a）和至少一个所述rnikroelektromechanische半导体器件是如在弯曲元件（8a）的一个集成组件对机械应力晶体管敏感形成，提供了一种。该晶体管是在由设置在第一导电类型的半导体材料的注入有源区沉（78A）的结合在弯曲元件（8A）。被两个间隔开的在有源区阱（78A），第二导电类型，在它们之间的沟道区延伸的半导体材料形成的植入漏极和源极区（79,80）。于漏极和源极区（79,80）引导所述第二导电类型的半导体材料的植入引线。有源区的顶部孔（78A）由栅极氧化物（81A）覆盖。在沟道区的面积是在栅氧化物（81A），多晶硅的栅极电极（81）中，向其中从还一个进料管线通向多晶硅。

2. 发明申请

WO2011117105A3 MIKROELEKTROMECHANISCHE VORRICHTUNG UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2011117105A3
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2011/053840
申请日：2011-03-15
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , SILICON MICROSTRUCTURES, INC. , BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael , NINGNING, Zhou
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael , NINGNING, Zhou
IPC分类号： B81B3/00
摘要： Die mikroelektromechanische Vorrichtung weist ein für die Herstellung mikroelektronischer Bauelemente geeignetes Substrat (1), insbesondere Halbleitersubstrat, auf. In das Substrat (1) ist ein mikromechanisches Bauelement, das ein reversibel verbiegbares Biegeelement (4) aufweist, welches ein mit dem Substrat (1) verbundenes erstes Ende (34) aufweist und sich von diesem ersten Ende (34) aus über einen Freiraum (3) erstreckt, integriert. Das Biegeelement (4) weist mindestens einen Steg (8) mit zwei Seitenrändern auf, deren Verlauf (35) durch an die Seitenränder angrenzende, in das Biegeelement (4) eingebrachte Vertiefungen (6) definiert ist. Zur Bildung eines innerhalb des Steges (8) liegenden Homogenisierungsbereichs, in dem beim Verbiegen des Biegeelements (4) auftretende mechanische Spannungen im Wesentlichen gleich groß sind, nimmt der gegenseitige Abstand der Seitenränder des Steges (8) von dem ersten Ende (34) des Biegeelements (4) aus betrachtet ab. Ferner weist die Vorrichtung mindestens ein für mechanische Spannungen empfindliches mikroelektronisches Bauelement (36) auf, das innerhalb des Homogenisierungsbereichs des Steges (8) in diesem integriert ist.

3. 发明申请

WO2012101257A1 MIKROELEKTROMECHANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM TESTEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：微电机部件和检验方法微机电元件
公开(公告)号：WO2012101257A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/EP2012/051336
申请日：2012-01-27
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , SILICON MICROSTRUCTURES, INC. , BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael
IPC分类号： G01L27/00 , B81C99/00
CPC分类号： B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C99/0045 , G01L25/00 , G01L27/007
摘要： Das mikroelektromechanische Bauelement weist ein Halbleitersubstrat (1) mit in diesem ausgebildeter Kavität (2a) auf, die von einer reversibel verformbaren Membran (2) überdeckt ist. Innerhalb des Bereichs der Membran (2) ist ein Sensor (17) zur Erfassung einer Verformung der Membran (2) ausgebildet. Ebenfalls innerhalb des Bereichs der Membran (2) ist ein Testaktuator (28, 29, 30) zur zu Testzwecken erfolgenden Verformung der Membran (2) angeordnet. Schließlich weist das mikroelektromechanische Bauelement eine mit dem Sensor ( 17) und dem Testaktuator (28, 29, 30) verbundene Auswerte- und Ansteuereinheit (41) zur Ansteuerung des Testaktuators (28, 29, 30) zur testweisen Verformung der Membran (2) und zur Auswertung eines Messsignals des Sensors (17) als sensorische Erfassung einer Verformung der Membran (2) infolge der Ansteuerung des Testaktuators (28, 29, 30) auf.
摘要翻译：所述微机电装置包括由一个可逆变形的膜片（2）覆盖的半导体衬底（1），其具有形成在该空腔（2a）中。内的膜（2），用于检测所述膜（2）的变形的传感器（17）的范围形成。另外，膜（2）的范围内是一个Testaktuator（28，29，30）被布置为发生了膜的测试目的变形（2）。最后，微机电装置包括一个给连接到评估和控制单元（41），所述传感器（17）和所述Testaktuator（28，29，30），用于驱动所述Testaktuators（28，29，30）的膜片的描述试验变形（2）和用于传感器（17），为所述膜（2）的变形的传感检测的测量信号的评价由于Testaktuators（28，29，30）的驱动。

4. 发明公开

EP2524390A2 MIKROELEKTROMECHANISCHES HALBLEITERBAUELEMENT SENSOR 有权转让
标题翻译：微机电半导体传感器元
公开(公告)号：EP2524390A2
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：EP11700636.1
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS Semiconductor AG
发明人： DOELLE, Michael
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
摘要： The micro-electromechanical semiconductor component is provided with a semiconductor substrate (4, 5), a reversibly deformable bending element (8a) made of semiconductor material, and at least one transistor that is sensitive to mechanical stresses, said transistor being designed as an integrated component in the bending element (8a). The transistor is arranged in an implanted active region pan (78a) that is made of a semiconductor material of a first conducting type and is introduced in the bending element (8a). Two mutually spaced, implanted drain and source regions (79, 80) made of a semiconductor material of a second conducting type are designed in the active region pan (78a), a channel region extending between said two regions. Implanted feed lines made of a semiconductor material of the second conducting type lead to the drain and source regions (79, 80). The upper face of the active region pan (78a) is covered by a gate oxide (81a). In the area of the channel region, a gate electrode (81) made of polysilicon is located on the gate oxide (81a), a feed line likewise made of polysilicon leading to said gate electrode.

5. 发明授权

EP2668483B1 MIKROELEKTROMECHANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM TESTEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN BAUELEMENTS 有权转让
标题翻译：微电机部件和检验方法微机电元件
公开(公告)号：EP2668483B1
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：EP12708743.5
申请日：2012-01-27
申请人： ELMOS Semiconductor AG , Silicon Microstructures, Inc.
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael
IPC分类号： G01L27/00 , B81C99/00
CPC分类号： B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C99/0045 , G01L25/00 , G01L27/007

6. 发明公开

EP2668483A1 MIKROELEKTROMECHANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM TESTEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN BAUELEMENTS 有权转让
标题翻译：微电机部件和检验方法微机电元件
公开(公告)号：EP2668483A1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：EP12708743.5
申请日：2012-01-27
申请人： ELMOS Semiconductor AG , Silicon Microstructures, Inc.
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael
IPC分类号： G01L27/00 , B81C99/00
CPC分类号： B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C99/0045 , G01L25/00 , G01L27/007
摘要： The microelectromechanical component has a semiconductor substrate (1), which has a cavity (2a) formed in the semiconductor substrate. The cavity is covered by a reversibly deformable membrane (2). A sensor (17) for detecting a deformation of the membrane (2) is formed within the region of the membrane (2). A test actuator (28, 29, 30) for deforming the membrane (2) for testing purposes is also arranged within the region of the membrane (2). Finally, the microelectromechanical component has an evaluation and activation unit (41) connected to the sensor (17) and the test actuator (28, 29, 30) for activating the test actuator (28, 29, 30) in order to deform the membrane (2) as a test and for evaluating a measurement signal of the sensor (17) as a sensor detection of a deformation of the membrane (2) as a result of the activation of the test actuator (28, 29, 30).

7. 发明公开

EP2552824A2 MIKROELEKTROMECHANISCHE VORRICHTUNG UND IHRE VERWENDUNG 有权转让
标题翻译：微机电装置及使用
公开(公告)号：EP2552824A2
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：EP11709909.3
申请日：2011-03-15
申请人： ELMOS Semiconductor AG , Silicon Microstructures, Inc.
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael , NINGNING, Zhou
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264
摘要： The micro-electromechanical device has a substrate (1) suitable for the production of microelectronic components, in particular a semiconductor substrate. Integrated into the substrate (1) is a micromechanical component that has a bending element (4) which can be bent reversibly and which has a first end (34) connected to the substrate (1) and extends from said first end (34) over a free space (3). The bending element (4) has at least one web (8) having two side edges, the course (35) of which is defined by depressions (6) introduced into the bending element (4) and adjacent to the side edges. In order to form a homogenization region located within the web (8), in which mechanical stresses occurring during bending of the bending element (4) are substantially equal, the mutual spacing of the side edges of the web (8) decreases, as viewed from the first end (34) of the bending element (4). The device further comprises at least one microelectronic component (36) that is sensitive to mechanical stresses and embedded in the web (8) in the homogenization region of the latter.

8. 发明授权

EP2524390B1 MIKROELEKTROMECHANISCHES HALBLEITERSENSORBAUELEMENT 有权转让
标题翻译：微机电半导体传感器元
公开(公告)号：EP2524390B1
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：EP11700636.1
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS Semiconductor AG
发明人： DOELLE, Michael
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84

9. 发明授权

EP2552824B1 MIKROELEKTROMECHANISCHE VORRICHTUNG UND IHRE VERWENDUNG 有权转让
标题翻译：微机电装置及使用
公开(公告)号：EP2552824B1
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：EP11709909.3
申请日：2011-03-15
申请人： ELMOS Semiconductor AG , Silicon Microstructures, Inc.
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael , NINGNING, Zhou
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264

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