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1. 发明申请

WO2011117105A3 MIKROELEKTROMECHANISCHE VORRICHTUNG UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2011117105A3
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2011/053840
申请日：2011-03-15
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , SILICON MICROSTRUCTURES, INC. , BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael , NINGNING, Zhou
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael , NINGNING, Zhou
IPC分类号： B81B3/00
摘要： Die mikroelektromechanische Vorrichtung weist ein für die Herstellung mikroelektronischer Bauelemente geeignetes Substrat (1), insbesondere Halbleitersubstrat, auf. In das Substrat (1) ist ein mikromechanisches Bauelement, das ein reversibel verbiegbares Biegeelement (4) aufweist, welches ein mit dem Substrat (1) verbundenes erstes Ende (34) aufweist und sich von diesem ersten Ende (34) aus über einen Freiraum (3) erstreckt, integriert. Das Biegeelement (4) weist mindestens einen Steg (8) mit zwei Seitenrändern auf, deren Verlauf (35) durch an die Seitenränder angrenzende, in das Biegeelement (4) eingebrachte Vertiefungen (6) definiert ist. Zur Bildung eines innerhalb des Steges (8) liegenden Homogenisierungsbereichs, in dem beim Verbiegen des Biegeelements (4) auftretende mechanische Spannungen im Wesentlichen gleich groß sind, nimmt der gegenseitige Abstand der Seitenränder des Steges (8) von dem ersten Ende (34) des Biegeelements (4) aus betrachtet ab. Ferner weist die Vorrichtung mindestens ein für mechanische Spannungen empfindliches mikroelektronisches Bauelement (36) auf, das innerhalb des Homogenisierungsbereichs des Steges (8) in diesem integriert ist.

2. 发明申请

WO2012101257A1 MIKROELEKTROMECHANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM TESTEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：微电机部件和检验方法微机电元件
公开(公告)号：WO2012101257A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/EP2012/051336
申请日：2012-01-27
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , SILICON MICROSTRUCTURES, INC. , BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael
IPC分类号： G01L27/00 , B81C99/00
CPC分类号： B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C99/0045 , G01L25/00 , G01L27/007
摘要： Das mikroelektromechanische Bauelement weist ein Halbleitersubstrat (1) mit in diesem ausgebildeter Kavität (2a) auf, die von einer reversibel verformbaren Membran (2) überdeckt ist. Innerhalb des Bereichs der Membran (2) ist ein Sensor (17) zur Erfassung einer Verformung der Membran (2) ausgebildet. Ebenfalls innerhalb des Bereichs der Membran (2) ist ein Testaktuator (28, 29, 30) zur zu Testzwecken erfolgenden Verformung der Membran (2) angeordnet. Schließlich weist das mikroelektromechanische Bauelement eine mit dem Sensor ( 17) und dem Testaktuator (28, 29, 30) verbundene Auswerte- und Ansteuereinheit (41) zur Ansteuerung des Testaktuators (28, 29, 30) zur testweisen Verformung der Membran (2) und zur Auswertung eines Messsignals des Sensors (17) als sensorische Erfassung einer Verformung der Membran (2) infolge der Ansteuerung des Testaktuators (28, 29, 30) auf.
摘要翻译：所述微机电装置包括由一个可逆变形的膜片（2）覆盖的半导体衬底（1），其具有形成在该空腔（2a）中。内的膜（2），用于检测所述膜（2）的变形的传感器（17）的范围形成。另外，膜（2）的范围内是一个Testaktuator（28，29，30）被布置为发生了膜的测试目的变形（2）。最后，微机电装置包括一个给连接到评估和控制单元（41），所述传感器（17）和所述Testaktuator（28，29，30），用于驱动所述Testaktuators（28，29，30）的膜片的描述试验变形（2）和用于传感器（17），为所述膜（2）的变形的传感检测的测量信号的评价由于Testaktuators（28，29，30）的驱动。

3. 发明申请

WO2012152753A1 VORRICHTUNG ZUR ERFASSUNG DES SPEKTRUMS ELEKTROMAGNETISCHER STRAHLUNG INNERHALB EINES VORGEGEBENEN WELLENLÄNGENBEREICHS 审中-公开
标题翻译：用于测量电磁辐射的光谱内的给定的波长范围内
公开(公告)号：WO2012152753A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/EP2012/058367
申请日：2012-05-07
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , BURCHARD, Bernd , BUDDE, Wolfram
发明人： BURCHARD, Bernd , BUDDE, Wolfram
IPC分类号： H01L27/146 , G02B5/18 , H01L31/0216 , G01J3/28
CPC分类号： H01L27/14621 , G01J3/04 , G01J3/12 , G01J3/2803 , G01J5/0862 , G01J2003/1213 , G02B5/204 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L31/02162
摘要： Die Vorrichtung zur Erfassung des Spektrums elektromagnetischer Strahlung innerhalb eines vorgegebenen Wellenlängenbereichs ist versehen mit einem Substrat (12), einer oberhalb des Substrats (12) angeordneten ersten Lochmaske (20) aus einem für Strahlung innerhalb des vorgegebenen Wellenlängenbereichs undurchlässigen Material, wobei die erste Lochmaske (20) eine Vielzahl von ersten Fenstern (22) aufweist, einer Vielzahl von in dem Substrat (12) angeordneten und für Strahlung innerhalb bei jeweils einer verschiedenen Wellenlänge des vorgegebenen Wellenlängenbereichs empfindlichen Sensorelementen, und einer oberhalb der ersten Lochmaske (20) angeordneten, zweite Fenster (36) aufweisenden zweiten Lochmaske (32) aus einem für die Strahlung innerhalb des vorgegebenen Welienlängenbereichs undurchlässigen Material. Die zweiten Fenster (36) der zweiten Lochmaske (32) sind überlappend mit den Fenstern der ersten Lochmaske (20) angeordnet und gegenüberliegende Ränder der jeweils zwei sich überlappenden Fenster der beiden Lochmasken (20, 32) definieren die Größe eines jeweils einem Sensorelement zugeordneten Strahlungsdurchlasses (42) zum Durchlassen von Strahlung innerhalb des vorgegebenen Wellenlängenbereichs zu dem unterhalb des Strahlungsdurchlasses (42) angeordneten Sensorelement. Für die Erfassung der Intensität von elektromagnetischer Strahlung bei jeder der mehreren, interessierenden Wellenlängen innerhalb des vorgegebenen Welienlängenbereichs ist mindestens einer der Strahlungsdurchlässe (42) mit einer der jeweils interessierenden Wellenlänge zugeordneten Größe vorgesehen.
摘要翻译：预定波长范围的材料中，第一阴影掩模（内的材料制成不可渗透的对放射线的基片（12），所述第一阴影掩模（20）上方，用于检测给定波长范围内的电磁辐射谱的装置，设置有基板（12），布置在一个 20）包括多个第一窗口（22），布置在多个（在该基板12），并在一个不同的波长的预定波长范围敏感的传感器元件中的每个设置成用于辐射，和一个（上方的第一荫罩20），第二窗口（36），其具有不透预定Welienlängenbereichs材料内的辐射的材料的第二荫罩（32）。第二荫罩的第二窗口（36）（32）被布置成与所述第一荫罩的窗口（20）和所述两个穿孔掩模（20，32），其限定分别分配的传感器元件的辐射通道的尺寸的两个重叠的窗口的相对边缘重叠（42）布置成用于辐射通过所述预定波长区域内的通道（42）的传感器元件下方的辐射。在每个所述多个预定Welienlängenbereichs至少所述辐射孔（42），用提供的相关尺寸每个感兴趣的波长中的一个的一个内的感兴趣的波长的检测电磁辐射的强度的。

4. 发明申请

WO2012150341A2 VERFAHREN ZUR ERFASSUNG EINES VON EINER ERSTEN EINHEIT ZU EINER ZWEITEN EINHEIT TRANSFERIERBAREN, MENGENMÄSSIG BESTIMMBAREN MEDIUMS 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR A股从第一至第二单元转让的检测，定量确定MEDIUM
公开(公告)号：WO2012150341A2
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：PCT/EP2012/058265
申请日：2012-05-04
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , WOLLINGER, Thomas , KÜSTER, Matthias , MONTINO, Ralf , BURCHARD, Bernd
发明人： WOLLINGER, Thomas , KÜSTER, Matthias , MONTINO, Ralf , BURCHARD, Bernd
IPC分类号： B60L11/18
CPC分类号： B60L11/1846 , B60L11/1816 , B60L11/182 , B60L11/184 , B60L11/1842 , B60L11/1844 , B60L11/1848 , B60L2240/70 , B60L2250/10 , B60L2250/16 , Y02E60/721 , Y02T10/7005 , Y02T10/7072 , Y02T10/7291 , Y02T90/121 , Y02T90/122 , Y02T90/128 , Y02T90/14 , Y02T90/16 , Y02T90/163 , Y02T90/169 , Y04S10/126 , Y04S30/14
摘要： Verfahren zur Erfassung eines von einer ersten Einheit zu einer zweiten Einheit transferierbaren, mengenmäßig bestimmbaren Mediums, mit den folgenden Schritten: kontinuierliches Erfassen der von der ersten Einheit an die zweite Einheit transferierten Menge an Medium, kontinuierliches Erfassen der Menge an Medium, die zweite Einheit von der ersten Einheit empfangen hat, kontinuierliches Vergleichen beider erfasster Mengen, und Bewerten des aktuellen Ergebnisses des Vergleichs. Dieses Verfahren kann bidirektional arbeiten.
摘要翻译：一种用于检测转移从一个第一单元至一个第二单元，定量确定的介质，其包括以下步骤的方法：连续地感测所传送的从第一单元到介质的第二单位量，连续地检测介质的量，所述第二单元第一单元已经接收，连续地比较这两个检测量，并评估比较的当前结果。这个过程可以双向操作。

5. 发明申请

WO2011083161A2 MIKROELEKTROMECHANISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：微电子力学半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011083161A2
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/EP2011/050212
申请日：2011-01-10
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , BURCHARD, Bernd
发明人： BURCHARD, Bernd
IPC分类号： B81B1/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
摘要： Das mikroelektromechanische HalbSeiterbaueiement ist mit einem ersten Halbleitersubstrat (1), das eine Oberseite aufweist, und einem zweiten Halbleitersubstrat (5), das eine Oberseite aufweist, versehen. Beide Halbleitersubstrate (1, 5) sind auf ihren Oberseiten aufliegend gebondet. In die Oberseite mindestens eines der beiden Halbleitersubstrate (1, 5) ist eine Kavität (4) eingebracht. Die Kavität (4) ist durch Seitenwände (3) und gegenüberliegende Deck- sowie Bodenwände, die durch die beiden Haibleitersubstrate (1, 5) gebildet sind, definiert. Die Deckwand oder die Bodenwaπd wirkt als reversibel verformbare Membran und in der anderen dieser beiden Wände der Kavität (4) ist eine sich durch das betreffende Halbleitersubstrat (1, 5) erstreckende Öffnung (98) angeordnet.
摘要翻译：微机电半导体器件设置有具有上表面的第一半导体衬底（1）和具有上表面的第二半导体衬底（5）。两个半导体衬底（1,5）都粘合到它们的顶部。在两个半导体衬底（1,5）中的至少一个的上侧引入Kavitum（t）（4）。腔（4）由侧壁（3）和由两个半导体衬底（1,5）形成的相对的顶壁和底壁限定。顶壁或底壁用作可逆变形膜并且在空腔（4）的这两个壁中的另一个壁中设置延伸穿过相关半导体衬底（1,5）的开口（98） >

6. 发明授权

EP2552824B1 MIKROELEKTROMECHANISCHE VORRICHTUNG UND IHRE VERWENDUNG 有权转让
标题翻译：微机电装置及使用
公开(公告)号：EP2552824B1
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：EP11709909.3
申请日：2011-03-15
申请人： ELMOS Semiconductor AG , Silicon Microstructures, Inc.
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael , NINGNING, Zhou
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264

7. 发明授权

EP2668483B1 MIKROELEKTROMECHANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM TESTEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN BAUELEMENTS 有权转让
标题翻译：微电机部件和检验方法微机电元件
公开(公告)号：EP2668483B1
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：EP12708743.5
申请日：2012-01-27
申请人： ELMOS Semiconductor AG , Silicon Microstructures, Inc.
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael
IPC分类号： G01L27/00 , B81C99/00
CPC分类号： B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C99/0045 , G01L25/00 , G01L27/007

8. 发明公开

EP2668483A1 MIKROELEKTROMECHANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM TESTEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN BAUELEMENTS 有权转让
标题翻译：微电机部件和检验方法微机电元件
公开(公告)号：EP2668483A1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：EP12708743.5
申请日：2012-01-27
申请人： ELMOS Semiconductor AG , Silicon Microstructures, Inc.
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael
IPC分类号： G01L27/00 , B81C99/00
CPC分类号： B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C99/0045 , G01L25/00 , G01L27/007
摘要： The microelectromechanical component has a semiconductor substrate (1), which has a cavity (2a) formed in the semiconductor substrate. The cavity is covered by a reversibly deformable membrane (2). A sensor (17) for detecting a deformation of the membrane (2) is formed within the region of the membrane (2). A test actuator (28, 29, 30) for deforming the membrane (2) for testing purposes is also arranged within the region of the membrane (2). Finally, the microelectromechanical component has an evaluation and activation unit (41) connected to the sensor (17) and the test actuator (28, 29, 30) for activating the test actuator (28, 29, 30) in order to deform the membrane (2) as a test and for evaluating a measurement signal of the sensor (17) as a sensor detection of a deformation of the membrane (2) as a result of the activation of the test actuator (28, 29, 30).

9. 发明公开

EP2552824A2 MIKROELEKTROMECHANISCHE VORRICHTUNG UND IHRE VERWENDUNG 有权转让
标题翻译：微机电装置及使用
公开(公告)号：EP2552824A2
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：EP11709909.3
申请日：2011-03-15
申请人： ELMOS Semiconductor AG , Silicon Microstructures, Inc.
发明人： BURCHARD, Bernd , DOELLE, Michael , NINGNING, Zhou
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264
摘要： The micro-electromechanical device has a substrate (1) suitable for the production of microelectronic components, in particular a semiconductor substrate. Integrated into the substrate (1) is a micromechanical component that has a bending element (4) which can be bent reversibly and which has a first end (34) connected to the substrate (1) and extends from said first end (34) over a free space (3). The bending element (4) has at least one web (8) having two side edges, the course (35) of which is defined by depressions (6) introduced into the bending element (4) and adjacent to the side edges. In order to form a homogenization region located within the web (8), in which mechanical stresses occurring during bending of the bending element (4) are substantially equal, the mutual spacing of the side edges of the web (8) decreases, as viewed from the first end (34) of the bending element (4). The device further comprises at least one microelectronic component (36) that is sensitive to mechanical stresses and embedded in the web (8) in the homogenization region of the latter.

10. 发明申请

WO2015044442A2 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER SEQUENZ VON BINÄREN CODEWÖRTERN EINES MEHRBIT-CODES FÜR EIN ANSTEUERSIGNAL FÜR EINEN VERBRAUCHER 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR GENERATING二进制代码字序列的多比特码的激活信号用于消费者
公开(公告)号：WO2015044442A2
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/EP2014/070885
申请日：2014-09-30
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG
发明人： BURCHARD, Bernd , SCHMITZ, Christian
CPC分类号： H05B33/0818 , H05B33/0842 , Y02B20/346
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer Sequenz von binären Codewörtern eines Mehrbit-Codes für ein Ansteuersignal, wobei beidem Verfahren -ein Mehrbit-Code mit einer Vielzahl von binären Codewörtern mit jeweils gleicher Anzahlvon n-Bits, mit n > 1 bereitgestellt wird, die sich in mindestens zwei Code-Klassen von Codewörtern unterteilen lassen, wobei mindestens eine Code-Klasse mehrere Codewörter mit der gleichen Anzahl von Eins-Bits aufweist und die Anzahl von Eins-Bits der Codewörter der Code-Klassen von Code-Klasse zu Code-Klasse verschieden ist, und -das Ansteuersignal als Sequenz der Codewörter einer Code-Klasse erzeugt wird, indem die Codewörter dieser Code-Klasse in dem Ansteuersignal zufalls- oder quasi zufallsgesteuert oder in beliebig variierender oder deterministisch variierender Reihenfolge aufeinanderfolgen, -wobei aus der Anzahl von Codewörtern einer Code-Klasse eine mindestens zwei Codewörter umfassende Untermenge an Codewörtern ausgewählt wird, und wobei die Codewörter dieser Untermenge zur Bildung des Ansteuersignals verwendet werden.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法，用于产生的AM＆AUML序列;仁Codew＆OUML;出现的多比特的代码导航使用R A驱动信号，字，其中，在-a具有多个仓＆AUML的多比特代码的方法;任Codew＆OUML 每个具有相等数量的n个比特，其中n> 提供如图1所示，其中在Codew＆ouml的至少两个代码类;出现分裂空白即，至少一个码类中的多个Codew＆OUML;具有与相同数目的一个比特和Codew＆OUML之一的比特数[叔;的[叔代码类代码的类代码的类是不同的，并且作为Codew＆oUML序列-the控制信号[叔由Codew＆oUML的码类中产生; [叔在驱动信号的代码类随机或准随机地或以连续任意改变或确定性改变的顺序，从Codew＆oUML的数目 - 其中;出现的码类的至少两个Codew＆oUML字; Codew＆oUML的[叔广泛子集;显示所选BEAR词语是HLT，并且其中所述Codew＆oUML; [叔该子集以形成驱动信号被使用。

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