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1. 发明申请

WO2012163783A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MOS-TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：用于生产MOS晶体管
公开(公告)号：WO2012163783A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/EP2012/059675
申请日：2012-05-24
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , KLEINSCHMIDT, Frank , TEN HAVE, Arnd
发明人： KLEINSCHMIDT, Frank , TEN HAVE, Arnd
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00 , H01L21/764
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2201/0192 , G01L9/0045
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit vergrabenem Hohlraum (64), bei dem ein erstes Halbleitersubstrat (10) mit einer Oberseite (22) bereitgestellt wird und in der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) eine Vertiefung ausgebildet wird. Ferner wird ein zweites Halbleitersubstrat (26) mit Kristallgitterebenen und einer Oberseite (28) bereitgestellt, die sich im Wesentlichen parallel zu den Kristallgitterebenen erstreckt, und eine der Kristallgitterebenen, die sich in einem gewünschten Abstand von der Oberseite (28) des zweiten Halbleitersubstrats (26) befindet, zur Erzeugung einer Sollbruchebene mittels Ionenimplantation geschwächt wird. Das zweite Halbleitersubstrat (26) wird mit seiner Oberseite (28) auf der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) unter Vakuumbedingungen verbondet, wobei das zweite Halbleitersubstrat (26) zur Bildung eines vergrabenen Hohlraums (60) die Vertiefung (20) in der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) überdeckt. Das zweite Halbleitersubstrat wird (26) entlang der Sollbruchebene zum Verbleib einer Membranschicht (34) auf der Oberseite (22) des ersten Halbieitersubstrats (10) gespalten.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于与掩埋空腔（64），其中提供了一种具有顶部（22），在第一半导体基板（10）一种制造半导体结构和在所述第一半导体基板的上侧（22）（10）的凹部形成。此外，设置有晶格平面的第二半导体基板（26）和上侧（28），其基本上平行于晶体晶格面，并相交于从所述第二半导体基板的所述顶部（28）的期望距离的晶格面（26 ）的，用于产生通过离子注入预定的断裂强度越弱。第二半导体基板（26）结合，其上表面（28）上的真空条件下的第一个半导体衬底（10）的顶部（22），所述第二半导体基板（26），以形成在掩埋空腔（60），凹部（20）在第一半导体衬底的所述顶侧（22）（10）覆盖。在第二半导体衬底被切割（26）沿着预定断裂面保留在第一Halbieitersubstrats（10）的顶部（22）上的薄膜层（34）。

2. 发明申请

WO2013167208A1 MIKROOPTISCHES FILTER UND DESSEN VERWENDUNG IN EINEM SPEKTROMETER 审中-公开
标题翻译：微光学滤镜和用法光谱仪
公开(公告)号：WO2013167208A1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：PCT/EP2012/071595
申请日：2012-10-31
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG
发明人： BURCHARD, Bernd , KLEINSCHMIDT, Frank , MÖLLER, Jesco
IPC分类号： G01J3/02 , G02B5/20 , G02B5/00 , H01L31/0216 , H01L27/146
CPC分类号： G01J3/0205 , G01J3/0229 , G01J3/0259 , G01J3/0262 , G01J3/04 , G02B5/008 , G02B5/201 , G02B5/204 , G02B5/208
摘要： Die Vorrichtung zur selektiven Transmission des Spektrums elektromagnetischer Strahlung innerhalb eines vorgegebenen Wellenlängenbereichs ist versehen mit einem Träger (115), einer oberhalb des Trägers (115) angeordneten Lochblende aus einem für die interessierende Strahlung im Wesentlichen undurchlässigen Material, wobei die Lochblende mindesten eine Strahlungsdurchlassöffnung mit einer Größe zum Hindurchlassen von Strahlung mit einer Wellenlänge aufweist, die kleiner oder gleich einer vorgebbaren oberen Grenzwellenlänge ist, und einer elektrisch isolierenden und optisch transparenten Dielektrizitätsschicht (103), die innerhalb der Strahlungsdurchlassöffnung auf dem Träger (115) ausgebildet ist und sich an die Strahlungsdurchlassöffnung angrenzend zwischen dem Träger (115) und zumindest einem Teilbereich unterhalb der Lochblende erstreckt. Die Dielektrizitätsschicht (103) weist eine Dicke auf, die kleiner als die oder gleich der Hälfte einer vorgebbaren unteren Grenzwellenlänge ist, welche kleiner als die obere Grenzwellenlänge ist.
摘要翻译：对于给定的波长范围内的电磁辐射光谱的选择性传输的装置上设置有支撑件（115），从不可透过感兴趣的辐射是基本上材料的材料，其针孔至少一个辐射通道开口的载体上布置成一个在（115）孔板具有波长小于或等于预定的上截止波长具有大小为辐射的通道，并在所述支承件（115）的辐射通道开口内形成并位于邻近所述辐射通道开口的电绝缘和光学透明电介质层（103）所述支撑件（115）和针孔隔膜下方的区域的至少一部分之间延伸。该介电层（103）的厚度小于或等于一半的预定下限截止波长比上限波长小。

3. 发明公开

EP2714582A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MOS-TRANSISTORS 有权转让
标题翻译：用于生产MOS晶体管
公开(公告)号：EP2714582A1
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：EP12723196.7
申请日：2012-05-24
申请人： ELMOS Semiconductor AG
发明人： KLEINSCHMIDT, Frank , TEN HAVE, Arnd
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00 , H01L21/764
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2201/0192 , G01L9/0045
摘要： The invention relates to a method for producing a semiconductor structure comprising a buried cavity (64), wherein a first semiconductor substrate (10) having an upper face (22) is provided and a depression is formed in the upper face (22) of the first semiconductor substrate (10). In addition, a second semiconductor substrate (26) having crystal lattice planes and an upper face (28) is provided, said upper face extending substantially parallel to the crystal lattice planes, and one of the crystal lattice planes, which is located at a desired distance from the upper face (28) of the second semiconductor substrate (26), is weakened by means of ion implantation such as to generate a predetermined breaking plane. The upper face (28) of the second semiconductor substrate (26) is bonded to the upper face (22) of the first semiconductor substrate (10) under vacuum conditions, wherein the second semiconductor substrate (26) covers the depression (20) in the upper face (22) of the first semiconductor substrate (10) in order to form a buried cavity (60). The second semiconductor substrate (26) is split along the predetermined breaking plane, which leaves a membrane layer (34) of the upper face (22) of the first semiconductor substrate (10).

4. 发明授权

EP2714582B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MOS-TRANSISTORS 有权转让
标题翻译：用于生产MOS晶体管
公开(公告)号：EP2714582B1
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：EP12723196.7
申请日：2012-05-24
申请人： ELMOS Semiconductor AG
发明人： KLEINSCHMIDT, Frank , TEN HAVE, Arnd
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00 , H01L21/764
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2201/0192 , G01L9/0045

5. 发明公开

EP2847557A1 MIKROOPTISCHES FILTER UND DESSEN VERWENDUNG IN EINEM SPEKTROMETER 有权转让
标题翻译： MIKROOPTISCHES过滤器在EINEM SPEKTROMETER DESSEN VERWENDUNG
公开(公告)号：EP2847557A1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：EP12778758.8
申请日：2012-10-31
申请人： ELMOS Semiconductor AG
发明人： BURCHARD, Bernd , KLEINSCHMIDT, Frank , MÖLLER, Jesco
IPC分类号： G01J3/02 , G02B5/20 , G02B5/00 , H01L31/0216 , H01L27/146
CPC分类号： G01J3/0205 , G01J3/0229 , G01J3/0259 , G01J3/0262 , G01J3/04 , G02B5/008 , G02B5/201 , G02B5/204 , G02B5/208
摘要： The apparatus for selectively transmitting the spectrum of electromagnetic radiation within a predefined wavelength range is provided with a carrier (115), a pinhole diaphragm which is arranged above the carrier (115) and is made of a material that is substantially impermeable to the radiation of interest, wherein the pinhole diaphragm has at least one radiation passage opening with a size for allowing through radiation at a wavelength which is less than or equal to a predefinable upper limit wavelength, and an electrically insulating and optically transparent dielectric layer (103) which is formed on the carrier (115) inside the radiation passage opening and extends, in a manner adjoining the radiation passage opening, between the carrier (115) and at least one section below the pinhole diaphragm. The dielectric layer (103) has a thickness which is less than or equal to half a predefinable lower limit wavelength which is less than the upper limit wavelength.
摘要翻译：用于选择性地将预定波长范围内的电磁辐射光谱传输的装置设置有载体（115），其布置在载体（115）上方并由基本上不可渗透的材料制成的针孔隔膜感兴趣的是，其中针孔隔膜具有至少一个辐射通道开口，其具有允许通过小于或等于预定上限波长的波长的辐射的尺寸，以及电绝缘和光学透明的介电层（103）形成在辐射通道开口内部的载体（115）上并且以邻接辐射通道开口的方式在载体（115）和针孔隔膜下方的至少一个部分之间延伸。电介质层（103）的厚度小于或等于小于上限波长的预定下限波长的一半。

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