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    • 2. 发明公开
    • Monolithisch integrierter Puffer-Inverter
    • Monolithisch integrierter河豚逆变器。
    • EP0053798A2
    • 1982-06-16
    • EP81110096.5
    • 1981-12-03
    • Deutsche ITT Industries GmbHITT INDUSTRIES INC.
    • Pernyeszi, JosephGollinger, Wolfgang, Dipl.Ing
    • H03K19/094H02K5/02H03F3/30
    • H03K19/09445H03K19/018507H03K19/09446
    • Zur möglichst idealen Ansteuerung einer aus zwei Depletion-Endtransistoren (Q10, Q11) bestehenden Gegentaktausgangsstufe (ES) sind zwei Vorstufen (V1, V2) vorgesehen, die den zwischen dem Potential des Schaltungsnullpunkts und dem der Betriebsspannung (V D ) liegenden Swing des Eingangssignals so verschieben bzw. erweitern, daß die Depletion-End-transistoren (010, Q11) abwechselnd sicher gesperrt werden. Die Vorstufen (V1, V2) enthalten jeweils einen Enhancement-Load-Inverter (EI1, EI2) und einen Depletion-Load-Inverter (DI1, DI2), die kreuzgekoppelt sind.
    • 1.使用增强型和耗尽型绝缘栅场效应晶体管(E,D)的单片集成逆变器缓冲器,其包括由两个晶体管(Q10,Q11)组成的输出级(ES),它们的受控电流路径连接在 串联在接地和电源电压(VD)之间,连接到电源电压(VD)的晶体管(Q10)是耗尽型输出晶体管,其特征在于具有以下特征: - 第一预置电压(V1)由第一增强 模式负载变换器(EI1)和第一耗尽型负载变换器(DI1)构成,第二预调节(V2)由第二增强型负载变换器(EI2)和第二耗尽型负载变换器(DI2)构成, 其中负载变换器连接在电源电压(VD)和相反极性的辅助电压(VB)之间,其中第一和第二增强型负载变换器(EI1,EI2)中的第一耗尽型晶体管(Q6,Q6') )的源极和栅极连接到辅助设备 电压(VB),其中第一和第二耗尽型负载反相器(DI1,DI2)中的耗尽型晶体管(Q8,Q8')连接到电源电压(VD),其中第一耗尽型晶体管 Q6,Q6')分别与第一和第二增强型负载逆变器(EI1,EI2)中的增强型晶体管(Q7,Q7')并联连接,并且其中增强型晶体管 Q7,Q7'),其源极耦合到辅助电压(VB),连接到第一耗尽型负载的增强型晶体管(Q9,Q9')的漏极及其漏极到漏极 逆变器(DI1)和第二耗尽型负载变换器(DI2); - 输出级(ES)由连接到电源电压(VD)的耗尽型输出晶体管(Q10)和接地耗尽型输出晶体管(Q11)的串联组合组成,其栅极 分别连接到第一耗尽型负载变换器(DI1)和第二耗尽型负载变换器(DI2)的输出,以及 - 输入(1)直接连接到增强型晶体管 第一增强型负载变换器(E11)的第(Q5)和第二耗尽型负载变换器(DI2)的耗尽型晶体管(Q8')的电压(Q5),并且通过逆变器 第二增强型负载逆变器(EI2)的增强型晶体管(Q5')和第一耗尽型负载变换器(DI1)(图1)的耗尽型晶体管(Q8)的增强型晶体管(Q5'), 直接连接到第一增强型负载逆变器(EI1)的增强型晶体管(Q5)的栅极并通过逆变器 2)到第一增强型负载变换器(EI2)的增强型晶体管(Q5')的栅极,第一耗尽型负载变换器(DI1)的耗尽型晶体管(Q8)的栅极, 以及连接到各个耗尽型负载变换器的输出端的第二耗尽型负载变换器(DI2)的耗尽型晶体管(Q8')的栅极(图8)。 (DI1)的耗尽型晶体管(Q8)的栅极和第二增强型负载变换器(DI1)的增强型晶体管(Q5')的栅极, EI2),第一增强型负载逆变器(EI1)的增强型晶体管(Q5)的栅极和第二耗尽型负载变换器(DI2)的耗尽型晶体管(Q8')的栅极, 耦合到第二耗尽型负载逆变器(DI2)的输出(图3)。