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1. 发明授权

US09183913B2 Methods of operating a magnetic memory device 有权
标题翻译：操作磁存储器件的方法
公开(公告)号：US09183913B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：US14295452
申请日：2014-06-04
申请人： Daeshik Kim
发明人： Daeshik Kim
IPC分类号： G11C11/16 , G11C13/00 , G11C11/56
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C13/0069 , G11C2213/79
摘要： Provided is a data writing method of a magnetic memory device. The method may include flowing first and second currents near left and right sides, respectively, of a selected memory cell to apply an ambient magnetic field to the selected memory cell. Here, directions of the first and second currents may be anti-parallel to each other.
摘要翻译：提供了一种磁存储器件的数据写入方法。该方法可以包括分别在所选择的存储器单元的左侧和右侧流动第一和第二电流，以将环境磁场施加到所选存储单元。这里，第一和第二电流的方向可以是反平行的。

2. 发明申请

US20150063018A1 METHODS OF OPERATING A MAGNETIC MEMORY DEVICE 有权
标题翻译：操作磁存储器件的方法
公开(公告)号：US20150063018A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：US14295452
申请日：2014-06-04
申请人： Daeshik Kim
发明人： Daeshik Kim
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C13/0069 , G11C2213/79
摘要： Provided is a data writing method of a magnetic memory device. The method may include flowing first and second currents near left and right sides, respectively, of a selected memory cell to apply an ambient magnetic field to the selected memory cell. Here, directions of the first and second currents may be anti-parallel to each other.
摘要翻译：提供了一种磁存储器件的数据写入方法。该方法可以包括分别在所选择的存储器单元的左侧和右侧流动第一和第二电流，以将环境磁场施加到所选存储单元。这里，第一和第二电流的方向可以是反平行的。

3. 发明申请

US20120037995A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED METHOD OF FABRICATION 有权
标题翻译：半导体器件及相关制造方法
公开(公告)号：US20120037995A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：US13175976
申请日：2011-07-05
申请人： Yongdon Kim , Daeshik Kim
发明人： Yongdon Kim , Daeshik Kim
IPC分类号： H01L27/088
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L29/41758 , H01L29/665 , H01L29/66575 , H01L29/7833
摘要： A semiconductor device comprises a device isolation pattern, an active region, a gate pattern, a first source/drain region, and a first barrier region. The device isolation pattern defines an active portion in a semiconductor substrate and the active portion comprises first and second sidewalls extending in a first direction and doped with a first conductive type dopant. The gate pattern extends in a second direction perpendicular to the first direction to cross over the active portion. The first source/drain region and the first barrier region are disposed in the active portion at one side of the gate pattern. The first barrier region is disposed between the first source/drain region and the first sidewall and contacts the first sidewall. The first barrier region is doped with the first conductive type dopant and the first source/drain region is doped with a second conductive type dopant.
摘要翻译：半导体器件包括器件隔离图案，有源区，栅极图案，第一源极/漏极区域和第一势垒区域。器件隔离图案限定半导体衬底中的有源部分，并且有源部分包括在第一方向上延伸并掺杂有第一导电型掺杂剂的第一和第二侧壁。栅极图案沿垂直于第一方向的第二方向延伸以越过有效部分。第一源极/漏极区域和第一势垒区域设置在栅极图案的一侧的有源部分中。第一阻挡区域设置在第一源极/漏极区域和第一侧壁之间并且接触第一侧壁。第一阻挡区域掺杂有第一导电型掺杂剂，并且第一源极/漏极区域掺杂有第二导电型掺杂剂。

4. 发明申请

US20160147599A1 Memory Systems that Perform Rewrites of Resistive Memory Elements and Rewrite Methods for Memory Systems Including Resistive Memory Elements 审中-公开
标题翻译：具有电阻性存储元件重写的存储器系统和包括电阻式存储元件的存储器系统的重写方法
公开(公告)号：US20160147599A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：US14814076
申请日：2015-07-30
申请人： Daeshik Kim
发明人： Daeshik Kim
IPC分类号： G06F11/10 , G06F3/06 , G11C29/52
CPC分类号： G11C29/52 , G06F11/1048 , G11C11/16 , G11C13/00 , G11C29/42 , G11C2029/0411
摘要： A method of operating a nonvolatile memory device, such as a resistive memory device. The method includes performing error correction code (ECC) processing on data read from resistive memory cells to detect whether any of the resistive memories or soft error cell; checking completion of a read operation after storing an address of the soft error cell when the soft error cell is detected; and selectively rewriting error-corrected data into a soft error cell corresponding to the stored address in response to determining that the read operation is completed.
摘要翻译：一种操作诸如电阻式存储器件的非易失性存储器件的方法。该方法包括对从电阻存储器单元读取的数据执行纠错码（ECC）处理，以检测是否存在任何电阻存储器或软错误单元; 当检测到软错误单元时，在存储软错误单元的地址之后检查读取操作的完成; 以及响应于确定所述读取操作完成而选择性地将纠错后的数据重写为与所存储的地址对应的软错误单元。

5. 发明授权

US08471339B2 Semiconductor device and related method of fabrication 有权
标题翻译：半导体器件及相关制造方法
公开(公告)号：US08471339B2
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：US13175976
申请日：2011-07-05
申请人： Yongdon Kim , Daeshik Kim
发明人： Yongdon Kim , Daeshik Kim
IPC分类号： H01L21/70
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L29/41758 , H01L29/665 , H01L29/66575 , H01L29/7833
摘要： A semiconductor device comprises a device isolation pattern, an active region, a gate pattern, a first source/drain region, and a first barrier region. The device isolation pattern defines an active portion in a semiconductor substrate and the active portion comprises first and second sidewalls extending in a first direction and doped with a first conductive type dopant. The gate pattern extends in a second direction perpendicular to the first direction to cross over the active portion. The first source/drain region and the first barrier region are disposed in the active portion at one side of the gate pattern. The first barrier region is disposed between the first source/drain region and the first sidewall and contacts the first sidewall. The first barrier region is doped with the first conductive type dopant and the first source/drain region is doped with a second conductive type dopant.
摘要翻译：半导体器件包括器件隔离图案，有源区，栅极图案，第一源极/漏极区域和第一势垒区域。器件隔离图案限定半导体衬底中的有源部分，并且有源部分包括在第一方向上延伸并掺杂有第一导电型掺杂剂的第一和第二侧壁。栅极图案沿垂直于第一方向的第二方向延伸以越过有效部分。第一源极/漏极区域和第一势垒区域设置在栅极图案的一侧的有源部分中。第一阻挡区域设置在第一源极/漏极区域和第一侧壁之间并且接触第一侧壁。第一阻挡区域掺杂有第一导电型掺杂剂，并且第一源极/漏极区域掺杂有第二导电型掺杂剂。

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