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1. 发明专利

TWI388068B 用於製造薄膜型太陽電池的沉積裝置有权
简体标题：用于制造薄膜型太阳电池的沉积设备
公开(公告)号：TWI388068B
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW097148886
申请日：2008-12-16
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD.
发明人：朴勝一 , PARK, SEUNG IL , 許閏成 , HUH, YUNSUNG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521

2. 发明专利

TWI514445B 用於化學氣相沉積的裝置有权
简体标题：用于化学气相沉积的设备
公开(公告)号：TWI514445B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW100133860
申请日：2011-09-21
申请人： DMS有限公司 , DMS CO,. LTD
发明人：許閏成 , HUH, YUN SUNG , 朴勝一 , PARK, SEUNG IL
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45559

3. 发明专利

TWI450411B 用於形成太陽能電池的選擇性發射器的方法和設備有权
简体标题：用于形成太阳能电池的选择性发射器的方法和设备
公开(公告)号：TWI450411B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW100123751
申请日：2011-07-05
申请人： DMS有限公司 , DMS CO,. LTD
发明人：許閏成 , HUH, YUN-SUNG , 朴勝一 , PARK, SEUNG-IL
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521

4. 发明专利

TWI425109B 化學氣相沉積裝置有权
简体标题：化学气相沉积设备
公开(公告)号：TWI425109B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW100128953
申请日：2011-08-12
申请人： DMS有限公司 , DMS CO,. LTD
发明人：許閏成 , HUH, YUN-SUNG , 朴勝一 , PARK, SEUNG-IL
IPC分类号： C23C16/00

5. 发明专利

TWI416742B 形成太陽能電池之選擇性發射極的方法及擴散裝置有权
简体标题：形成太阳能电池之选择性发射极的方法及扩散设备
公开(公告)号：TWI416742B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW098127059
申请日：2009-08-12
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD
发明人：許閏成 , HUH, YUNSUNG , 朴勝一 , PARK, SEUNGIL , 李萬根 , LEE, MANGEUN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/24
CPC分类号： Y02P70/521

6. 发明专利

TWI316977B 用於低溫多晶矽結晶化之金屬催化劑摻雜裝置及利用該裝置之金屬催化劑摻雜方法 CATALYTIC METAL DOPING APPARATUS FOR LOW TEMPERATURE POLY-SILICON CRYSTALLIZATION AND CATALYTIC METAL DOPING METHOD USING THE SAME 有权
简体标题：用于低温多晶硅结晶化之金属催化剂掺杂设备及利用该设备之金属催化剂掺杂方法 CATALYTIC METAL DOPING APPARATUS FOR LOW TEMPERATURE POLY-SILICON CRYSTALLIZATION AND CATALYTIC METAL DOPING METHOD USING THE SAME
公开(公告)号：TWI316977B
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：TW095101016
申请日：2006-01-11
申请人： DMS有限公司
发明人：許閏成 , 黃允碩
IPC分类号： C30B
摘要：本發明揭示一種摻雜裝置與摻雜方法，其對塗覆於玻璃或聚合體基板上的非晶矽進行多晶矽低溫結晶化(Low Temperature poly－crystalline silicon)的過程中可確保重複實現性和安全性的、用於多晶矽低溫結晶化的金屬催化劑。本發明用於多晶矽低溫結晶化的金屬催化劑的摻雜裝置，包括：一腔室、設置於所述腔室內並在上方可置設基板的一加熱裝置、設置於所述加熱裝置上方的一平面狀對向電極板、設置於所述腔室內兩側的線性驅動裝置、在所述線性驅動裝置的作用下做線性運動的一濺射槍，其中，所述濺射槍包括：結合於所述線性驅動裝置的陰極電極、結合於所述陰極電極並與所述對向電極板相對向面設置的陰極電極板。
简体摘要：本发明揭示一种掺杂设备与掺杂方法，其对涂覆于玻璃或聚合体基板上的非晶硅进行多晶硅低温结晶化(Low Temperature poly－crystalline silicon)的过程中可确保重复实现性和安全性的、用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂。本发明用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂的掺杂设备，包括：一腔室、设置于所述腔室内并在上方可置设基板的一加热设备、设置于所述加热设备上方的一平面状对向电极板、设置于所述腔室内两侧的线性驱动设备、在所述线性驱动设备的作用下做线性运动的一溅射枪，其中，所述溅射枪包括：结合于所述线性驱动设备的阴极电极、结合于所述阴极电极并与所述对向电极板相对向面设置的阴极电极板。

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