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1. 发明申请

WO2011134999A1 DISPOSITIF ET PROCEDE DE TEXTURATION MECANIQUE D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM DESTINEE A CONSTITUER UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE, PLAQUETTE DE SILICIUM OBTENUE 审中-公开
标题翻译：用于机械地刻印包含光伏电池和结晶硅膜的硅波的装置和方法
公开(公告)号：WO2011134999A1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：PCT/EP2011/056660
申请日：2011-04-27
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , GARANDET, Jean-Paul , BANCILLON, Jacky , FEDERZONI, Luc , PIROT, Marc
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BANCILLON, Jacky , FEDERZONI, Luc , PIROT, Marc
IPC分类号： H01L21/00 , H01L31/18 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L31/02363 , Y02E10/50 , Y10S977/902 , Y10T83/0304 , Y10T428/24355
摘要： L'invention concerne une nouvelle solution de texturation de plaquettes de silicium (4) destinées à constituer des cellules photovoltaïques PV. On peut obtenir des plaquettes de silicium dont la surface comprend des motifs de gravage uniformes de profondeur comprise entre 5 et 50 μm.
摘要翻译：本发明涉及用于纹理化旨在包括光伏（PV）电池的硅晶片（4）的新颖解决方案。可以生产硅晶片，其表面包括深度在5和50μm之间的均匀雕刻图案。

2. 发明公开

EP3213352A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE 有权
标题翻译：程序的制造D'UNE CELLULEPHOTOVOLTAÏQUE
公开(公告)号：EP3213352A1
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：EP15784720.3
申请日：2015-10-26
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： LANTERNE, Adeline , GALL, Samuel , LE PERCHEC, Jérôme , PIROT, Marc
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/02363 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for manufacturing a photovoltaic cell which includes, in series: from a semi-conductive substrate (1) made of crystalline silicon doped according to a first type of doping, and including a first surface (10) and a second surface (11) opposite said first surface (10), texturising (20) the surface of at least the first surface (10) of the substrate (1); forming, on the first texturised surface (10), a first semi-conductive zone (12) doped according to a second type of doping by implantation (21) of first doping elements made up of boron atoms in at least one portion of the substrate (1) and by activation (23) of said first doping elements via laser irradiation (4) of said first surface (10); thermal annealing (22) of the texturised substrate (1) prior to the laser irradiation of the first surface (10), said prior thermal annealing (22) being carried out at a temperature of 600ºC to 950°C, for a time longer than one minute.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造光伏电池的方法，该光伏电池的方法包括以下步骤：从由根据第一类掺杂掺杂的晶体硅制成的半导体衬底（1），并包括第一表面（10）和第二表面与所述第一表面（10）相对的表面（11），纹理化（20）所述衬底（1）的至少所述第一表面（10）的表面; 在所述第一纹理化表面（10）上形成根据第二类型掺杂的第一半导体区（12），所述第一半导体区通过在所述衬底的至少一部分中注入由硼原子构成的第一掺杂元素（21）（1）并通过所述第一表面（10）的激光照射（4）激活（23）所述第一掺杂元素; 在激光照射第一表面（10）之前对纹理化基底（1）进行热退火（22），所述在先热退火（22）在600℃至950℃的温度下进行比等一下。

3. 发明授权

EP2564414B1 DISPOSITIF ET PROCEDE DE TEXTURATION MECANIQUE D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM DESTINEE A CONSTITUER UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE 有权
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR机械纹理硅晶片PV电池
公开(公告)号：EP2564414B1
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：EP11719784.8
申请日：2011-04-27
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BANCILLON, Jacky , FEDERZONI, Luc , PIROT, Marc
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L31/02363 , Y02E10/50 , Y10S977/902 , Y10T83/0304 , Y10T428/24355

4. 发明公开

EP2564414A1 DISPOSITIF ET PROCEDE DE TEXTURATION MECANIQUE D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM DESTINEE A CONSTITUER UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE, PLAQUETTE DE SILICIUM OBTENUE 有权
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR机械纹理硅晶片PV电池
公开(公告)号：EP2564414A1
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：EP11719784.8
申请日：2011-04-27
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BANCILLON, Jacky , FEDERZONI, Luc , PIROT, Marc
IPC分类号： H01L21/00 , H01L31/18 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L31/02363 , Y02E10/50 , Y10S977/902 , Y10T83/0304 , Y10T428/24355
摘要： The invention relates to a novel solution for texturing silicon wafers (4) intended to comprise photovoltaic (PV) cells. Silicon wafers can be produced, the surface of which include uniformly engraved patterns having a depth of between 5 and 50 μm.

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